Moduły SiC MOSFET

Charakterystyka

Straty mocy zredukowane o 70%
Moduły SiC MOSFET mają około 10 razy większą wytrzymałość krytyczną na przebicie niż moduły krzemowe oraz ich warstwa dryfu stanowi jedną dziesiątą grubości. Pozwala to na dużą redukcję oporności elektrycznej, a co za tym idzie zmniejsza straty mocy.

Wysoka temperatura pracy
SiC ma trzykrotnie większą szerokość pasma wzbronionego niż krzem, co zapobiega przepływowi prądu upływowego i umożliwia pracę w wysokich temperaturach.

Wysoka szybkość przełączeń
Moduły SiC charakteryzują się dużym napięciem przebicia oraz małymi stratami mocy. Możliwe jest również zastosowanie diod Schottky’ego (SBD), których nie można stosować z modułami krzemowymi. Dzięki temu moduły SiC charakteryzują się wysoką szybkością przełączeń.

Usprawnione odprowadzanie ciepła
SiC ma trzykrotnie większą przewodność cieplną niż krzem, co poprawia odprowadzanie ciepła.

Zastosowania

• Urządzenia przemysłowe
• Trakcja
• Fotowoltaika
• Urządzenia domowe