Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Konfiguracja
more... less
UDS feszültség
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Konfiguracja
UDS feszültség
-- Moduły SiC MOSFET Mitsubishi Moduły SiC MOSFET ZOBACZ -- -- --
picture_as_pdf CMH400DU-24NFH MOSFET SiC Mitsubishi CMH400DU-24NFH MOSFET SiC ZOBACZ CMH400DU-24NFH 2in1 400 V
picture_as_pdf CMH600DU-24NFH MOSFET SiC Mitsubishi CMH600DU-24NFH MOSFET SiC ZOBACZ CMH600DU-24NFH 2in1 600 V
picture_as_pdf CMH400HC6-24NFM MOSFET SiC Mitsubishi CMH400HC6-24NFM MOSFET SiC ZOBACZ CMH400HC6-24NFM 1in1 400 V
picture_as_pdf FMF375DC-66A MOSFET SiC Mitsubishi FMF375DC-66A MOSFET SiC ZOBACZ FMF375DC-66A 2in1 375 V
picture_as_pdf FMF750DC-66A MOSFET SiC Mitsubishi FMF750DC-66A MOSFET SiC ZOBACZ FMF750DC-66A 2in1 750 V
picture_as_pdf CMH600DC-66X MOSFET SiC Mitsubishi CMH600DC-66X MOSFET SiC ZOBACZ CMH600DC-66X 2in1 600 V
picture_as_pdf PSF15S92F6 MOSFET SiC Mitsubishi PSF15S92F6 MOSFET SiC ZOBACZ PSF15S92F6 6in1 15 V
picture_as_pdf PSF25S92F6 MOSFET SiC Mitsubishi PSF25S92F6 MOSFET SiC ZOBACZ PSF25S92F6 6in1 25 V
picture_as_pdf PSH30L92C6-W MOSFET SiC Mitsubishi PSH30L92C6-W MOSFET SiC ZOBACZ PSH30L92C6-W Three-phase interleaved 30Arms V
picture_as_pdf PSH20L91A6-A MOSFET SiC Mitsubishi PSH20L91A6-A MOSFET SiC ZOBACZ PSH20L91A6-A Two-phase interleaved 20Arms V
picture_as_pdf PSF20L91A6-A MOSFET SiC Mitsubishi PSF20L91A6-A MOSFET SiC ZOBACZ PSF20L91A6-A Two-phase interleaved 20Arms V
picture_as_pdf FMF800DC-66BEW MOSFET SiC Mitsubishi FMF800DC-66BEW MOSFET SiC ZOBACZ FMF800DC-66BEW 2in1 3300 V
picture_as_pdf 1200V FMF600DXE-24BN Mitsubishi 1200V FMF600DXE-24BN ZOBACZ FMF600DXE-24BN 2in1 1200 V
picture_as_pdf CMH300DX-24NFH MOSFET SiC Mitsubishi CMH300DX-24NFH MOSFET SiC ZOBACZ CMH300DX-24NFH 2in1 300 V
picture_as_pdf CMH300DU-24NFH MOSFET SiC Mitsubishi CMH300DU-24NFH MOSFET SiC ZOBACZ CMH300DU-24NFH 2in1 300 V
picture_as_pdf CMH200DU-24NFH MOSFET SiC Mitsubishi CMH200DU-24NFH MOSFET SiC ZOBACZ CMH200DU-24NFH 2in1 200 V
picture_as_pdf 1700V FMF600DXE-34BN Mitsubishi 1700V FMF600DXE-34BN ZOBACZ FMF600DXE-34BN 2in1 1700 V
picture_as_pdf PMF75CGA120 MOSFET SiC Mitsubishi PMF75CGA120 MOSFET SiC ZOBACZ PMF75CGA120 6in1 75 V
picture_as_pdf PMF75CGAL120 MOSFET SiC Mitsubishi PMF75CGAL120 MOSFET SiC ZOBACZ PMF75CGAL120 6in1 75 V
picture_as_pdf CMH100DY-24NFH MOSFET SiC Mitsubishi CMH100DY-24NFH MOSFET SiC ZOBACZ CMH100DY-24NFH 2in1 100 V
picture_as_pdf CMH150DY-24NFH MOSFET SiC Mitsubishi CMH150DY-24NFH MOSFET SiC ZOBACZ CMH150DY-24NFH 2in1 150 V
picture_as_pdf FMF300BXZ-24B MOSFET SiC Mitsubishi FMF300BXZ-24B MOSFET SiC ZOBACZ FMF300BXZ-24B 4in1 300 V
picture_as_pdf FMF400BX-24B MOSFET SiC Mitsubishi FMF400BX-24B MOSFET SiC ZOBACZ FMF400BX-24B 4in1 400 V
Eredmények oldalanként:

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.