Moduły SIC MOSFET - POWEREX
  • Moduły SIC MOSFET - POWEREX

A fényképek csak tájékoztató jellegűek. Lásd a termék specifikációit

Kérjük, használjon latin karaktereket

Gyártó: POWEREX

Moduły SIC MOSFET - POWEREX

Dane techniczne

  • Tj 200°C
  • Chip wykonany w technologii węglika krzemu
  • Wysokie częstotliwości pracy
  • Niskie straty łączeniowe
  • Niska pojemność
  • Niskie wymagania dla sterownika
  • Szybka, zintegrowana dioda zwrotna Schottky’ego
  • Wysoka gęstość mocy
  • Izolowana podstawa


Moduły SIC MOSFET I Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210006 100 1200 15 50
QJD1210007 100 1200 15 100


Moduły SIC MOSFET II Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210010* 100 1200 15 100
QJD1210011** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky

Typ Prąd @TC= 25°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QID1210005* 100 1200 15 100
QJD1210006** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Wymiary I Generacja


MODUŁY SIC MOSFET I generacja
MODUŁY SIC MOSFET I generacja wymiar



Wymiary II Generacja


MODUŁY SIC MOSFET II generacja
MODUŁY SIC MOSFET II generacja wymiar



Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky


Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT/ SiC Schottky diode

Kevésbé
Olvass tovább

Ajánlatkérés küldése

Érdekel ez a termék? További információra vagy egyedi árajánlatra van szüksége?

Lépjen kapcsolatba velünk
Kérdezzen a termékről close
Köszönjük az üzenetét Amint lehet, válaszolunk
Kérdezzen a termékről close
Böngésszen
Kérelem beküldése

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

Dane techniczne

  • Tj 200°C
  • Chip wykonany w technologii węglika krzemu
  • Wysokie częstotliwości pracy
  • Niskie straty łączeniowe
  • Niska pojemność
  • Niskie wymagania dla sterownika
  • Szybka, zintegrowana dioda zwrotna Schottky’ego
  • Wysoka gęstość mocy
  • Izolowana podstawa


Moduły SIC MOSFET I Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210006 100 1200 15 50
QJD1210007 100 1200 15 100


Moduły SIC MOSFET II Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210010* 100 1200 15 100
QJD1210011** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky

Typ Prąd @TC= 25°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QID1210005* 100 1200 15 100
QJD1210006** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Wymiary I Generacja


MODUŁY SIC MOSFET I generacja
MODUŁY SIC MOSFET I generacja wymiar



Wymiary II Generacja


MODUŁY SIC MOSFET II generacja
MODUŁY SIC MOSFET II generacja wymiar



Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky


Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT/ SiC Schottky diode

Kevésbé
Olvass tovább
Hozzászólások (0)