A Navitas Semiconductor, a GaN és SiC technológia vezetője bemutatta új, 1200V-os SiCPAK™ teljesítménymoduljait epoxi szigeteléssel, amelyek ötször jobb hőállóságot biztosítanak a hagyományos megoldásokhoz képest. A saját fejlesztésű GeneSiC™ SiC MOSFET technológiának köszönhetően az új modulok alacsonyabb energiaveszteséget, nagyobb megbízhatóságot és extrém körülmények közötti működőképességet biztosítanak. Alkalmasak például EV töltőkhöz, ipari hajtásokhoz, szünetmentes tápegységekhez (UPS) és napelemes rendszerekhez. A következő generációs félvezetők úttörőjeként a Navitas a világ első 20 éves garanciáját kínálja GaNFast™ eszközeire.

Ez a cikk bemutatja az intrinszikus biztonság ellenőrzésének folyamatát, beleértve a kulcsfontosságú szempontokat, mint például a zónák osztályozása, az eszközcsoportok, a hőmérsékleti osztályok és a kábelek követelményei az intrinszikusan biztonságos áramkörökben. Öt alapvető tippet ad a megfelelő berendezés kiválasztásához, a megfelelő dokumentáció biztosításához és a biztonsági szabványoknak való megfeleléshez, mint például az IEC 60079-14 robbanásveszélyes atmoszférákhoz.

A telepókus borítások fontos elemei az ipari gépeknek, biztosítva a védelmet és a berendezések hosszú élettartamát. Tudd meg, hogyan járulnak hozzá ezek az innovatív megoldások a teljesítményhez és a biztonsághoz, milyen anyagokat használnak, és hogyan zajlik a gyártásuk és javításuk. Ismerd meg, hogyan befolyásolja a megfelelő telepókus borítások kiválasztása a gépek munkájának optimalizálását, beleértve a modern megmunkáló eszközöket és nagy sebességű rendszereket.