Diody firmy GeneSiC
  • Diody firmy GeneSiC

A fényképek csak tájékoztató jellegűek. Lásd a termék specifikációit

Kérjük, használjon latin karaktereket

Gyártó: GeneSiC Semiconductor

Diody firmy GeneSiC

Diody SiC Schottky


Charakterystyka

  • Zwiększona wytrzymałość na prąd udarowy
  • Lepsza wartosć QC/IF
  • Niska rezystancja termiczna dla szybszego odprowadzania ciepła
  • Maksymalna temperatura pracy 175 °C
  • Niezależne temperaturowo przełączanie
  • Dodatni współczynnik temperaturowy of VF
  • Bardzo wysoka szybkość przełączeń


Zastosowania

  • Dioda Boost w układach korekcji współczynnika mocy (PFC)
  • Przekształtniki AC-DC [&] DC-DC
  • Przeciw-równoległa dioda w falownikach
  • UPS
  • Przekształtniki do paneli solarnych i turbin wiatrowych
  • Pojazdy elektryczne i szybkie ładowarki DC
  • Napędy elektryczne
  • Oświetlenie LED i HID
  • Grzejnictwo indukcyjne i spawarki


Dane elektryczne

Typ produktu URRM [V] IF [A] Obudowa Konfiguracja
GB01SLT06-214 650 1 DO-214 1
GE04MPS06E 4 TO-252-2 1
GE04MPS06A 4 TO-220-2 1
GE06MPS06E 6 TO-252-2 1
GE06MPS06A 6 TO-220-2 1
GE08MPS06E 8 TO-252-2 1
GE08MPS06A 8 TO-220-2 1
GE10MPS06E 10 TO-252-2 1
GE10MPS06A 10 TO-220-2 1
GE12MPS06A 12 TO-220-2 1
GE2X8MPS06D 16 TO-247-3 3
GE2X10MPS06D 20 TO-247-3 3
GD30MPS06J 30 TO-263-7 1
GD30MPS06H 30 TO-247-2 1
GD2X30MPS06N 60 SOT-227 2
GD2X100MPS06N 200 SOT-227 2
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214 1
GB01SLT12-252 1 TO-252-2 1
GB02SLT12-214 2 DO-214 1
GC02MPS12-220 2 TO-220-2 1
GD02MPS12E 2 TO-252-2 1
GC05MPS12-252 5 TO-252-2 1
GC08MPS12-252 8 TO-252-2 1
GC08MPS12-220 8 TO-220-2 1
GC2X5MPS12-247 10 TO-247-3 3
GD10MPS12A 10 TO-220-2 1
GD10MPS12E 10 TO-252-2 1
GD10MPS12H 10 TO-247-2 1
GC15MPS12-220 15 TO-220-2 1
GC15MPS12-247 15 TO-247-2 1
GC2X8MPS12-247 15 TO-247-3 3
GC20MPS12-220 20 TO-220-2 1
GC20MPS12-220 20 TO-247-2 1
GC2X10MPS12-247 20 TO-247-3 3
GC2X15MPS12-247 30 TO-247-3 3
GC2X20MPS12-247 40 TO-247-3 3
GD50MPS12H 50 TO-247-2 1
GD2X30MPS12N 60 SOT-227 2
GD2X50MPS12N 100 SOT-227 2
GD2X100MPS12N 200 SOT-227 2
GB05MPS17-263 1700 5 TO-247-2 1
GB05MPS17H 5 TO-263-7 1
GB10MPS17-247 10 TO-247-2 1
GB10MPS17H 10 TO-247-2 1
GB25MPS17-247 25 TO-247-2 1
GB50MPS17-247 50 TO-247-2 1
GB2X50MPS17-227 100 SOT-227 2
GD2X75MPS17N 150 SOT-227 2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214 1
GAP3SLT33-220FP 0.3 TO-220-FP 1
GB05MPS33-263 5 TO-263-7 1
GC50MPS33H 50 TO-247-2 1


1 2 3

Dioda Schottky'ego - dioda ze złączem wykonanym z warstwy półprzewodnika (najczęściej krzemu) i warstwy metalu, nazywana jest diodą Schottky’ego. Swoją nazwę zawdzięcza niemieckiemu fizykowi, Walterowi Schottky, który wynalazł to urządzenie półprzewodnikowe.

Dioda charakteryzuje się niższym spadkiem napięcia, niż klasyczna, krzemowa dioda złączowa, a także wyższą częstotliwością pracy niż ona. Dioda Schottky'ego ma wiele zastosowań w elektronice, między innymi jako element zabezpieczający układy elektroniczne, a także prostownik do sygnałów o wysokiej częstotliwości.

Kevésbé
Olvass tovább

Ajánlatkérés küldése

Érdekel ez a termék? További információra vagy egyedi árajánlatra van szüksége?

Lépjen kapcsolatba velünk
Kérdezzen a termékről close
Köszönjük az üzenetét Amint lehet, válaszolunk
Kérdezzen a termékről close
Böngésszen
Kérelem beküldése

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

Diody SiC Schottky


Charakterystyka

  • Zwiększona wytrzymałość na prąd udarowy
  • Lepsza wartosć QC/IF
  • Niska rezystancja termiczna dla szybszego odprowadzania ciepła
  • Maksymalna temperatura pracy 175 °C
  • Niezależne temperaturowo przełączanie
  • Dodatni współczynnik temperaturowy of VF
  • Bardzo wysoka szybkość przełączeń


Zastosowania

  • Dioda Boost w układach korekcji współczynnika mocy (PFC)
  • Przekształtniki AC-DC [&] DC-DC
  • Przeciw-równoległa dioda w falownikach
  • UPS
  • Przekształtniki do paneli solarnych i turbin wiatrowych
  • Pojazdy elektryczne i szybkie ładowarki DC
  • Napędy elektryczne
  • Oświetlenie LED i HID
  • Grzejnictwo indukcyjne i spawarki


Dane elektryczne

Typ produktu URRM [V] IF [A] Obudowa Konfiguracja
GB01SLT06-214 650 1 DO-214 1
GE04MPS06E 4 TO-252-2 1
GE04MPS06A 4 TO-220-2 1
GE06MPS06E 6 TO-252-2 1
GE06MPS06A 6 TO-220-2 1
GE08MPS06E 8 TO-252-2 1
GE08MPS06A 8 TO-220-2 1
GE10MPS06E 10 TO-252-2 1
GE10MPS06A 10 TO-220-2 1
GE12MPS06A 12 TO-220-2 1
GE2X8MPS06D 16 TO-247-3 3
GE2X10MPS06D 20 TO-247-3 3
GD30MPS06J 30 TO-263-7 1
GD30MPS06H 30 TO-247-2 1
GD2X30MPS06N 60 SOT-227 2
GD2X100MPS06N 200 SOT-227 2
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214 1
GB01SLT12-252 1 TO-252-2 1
GB02SLT12-214 2 DO-214 1
GC02MPS12-220 2 TO-220-2 1
GD02MPS12E 2 TO-252-2 1
GC05MPS12-252 5 TO-252-2 1
GC08MPS12-252 8 TO-252-2 1
GC08MPS12-220 8 TO-220-2 1
GC2X5MPS12-247 10 TO-247-3 3
GD10MPS12A 10 TO-220-2 1
GD10MPS12E 10 TO-252-2 1
GD10MPS12H 10 TO-247-2 1
GC15MPS12-220 15 TO-220-2 1
GC15MPS12-247 15 TO-247-2 1
GC2X8MPS12-247 15 TO-247-3 3
GC20MPS12-220 20 TO-220-2 1
GC20MPS12-220 20 TO-247-2 1
GC2X10MPS12-247 20 TO-247-3 3
GC2X15MPS12-247 30 TO-247-3 3
GC2X20MPS12-247 40 TO-247-3 3
GD50MPS12H 50 TO-247-2 1
GD2X30MPS12N 60 SOT-227 2
GD2X50MPS12N 100 SOT-227 2
GD2X100MPS12N 200 SOT-227 2
GB05MPS17-263 1700 5 TO-247-2 1
GB05MPS17H 5 TO-263-7 1
GB10MPS17-247 10 TO-247-2 1
GB10MPS17H 10 TO-247-2 1
GB25MPS17-247 25 TO-247-2 1
GB50MPS17-247 50 TO-247-2 1
GB2X50MPS17-227 100 SOT-227 2
GD2X75MPS17N 150 SOT-227 2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214 1
GAP3SLT33-220FP 0.3 TO-220-FP 1
GB05MPS33-263 5 TO-263-7 1
GC50MPS33H 50 TO-247-2 1


1 2 3

Dioda Schottky'ego - dioda ze złączem wykonanym z warstwy półprzewodnika (najczęściej krzemu) i warstwy metalu, nazywana jest diodą Schottky’ego. Swoją nazwę zawdzięcza niemieckiemu fizykowi, Walterowi Schottky, który wynalazł to urządzenie półprzewodnikowe.

Dioda charakteryzuje się niższym spadkiem napięcia, niż klasyczna, krzemowa dioda złączowa, a także wyższą częstotliwością pracy niż ona. Dioda Schottky'ego ma wiele zastosowań w elektronice, między innymi jako element zabezpieczający układy elektroniczne, a także prostownik do sygnałów o wysokiej częstotliwości.

Kevésbé
Olvass tovább

Related articles

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Posted in: Aktualności, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Hozzászólások (0)