A fényképek csak tájékoztató jellegűek. Lásd a termék specifikációit

Kérjük, használjon latin karaktereket

Tranzystor SiC MOSFET G2R120MT33J

  • G2R120MT33J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén 33 A
  • Prąd ciagły IC przy Tc=100oC 24 A
  • RDS(ON) VGS = 18 V esetén 120 mΩ
  • RDS(ON) VGS = 15 V esetén -
  • UDS feszültség 3300 V

Ajánlatkérés küldése

Érdekel ez a termék? További információra vagy egyedi árajánlatra van szüksége?

Lépjen kapcsolatba velünk
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Wiadomość wysłana poprawnie.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén 33 A
  • Prąd ciagły IC przy Tc=100oC 24 A
  • RDS(ON) VGS = 18 V esetén 120 mΩ
  • RDS(ON) VGS = 15 V esetén -
  • UDS feszültség 3300 V