Tranzystory firmy GeneSiC

A GeneSiC SiC MOSFET tranzisztorai kiváló vezetési és kapcsolási teljesítményt nyújtanak a szilíciumhoz (Si) képest a „széles tiltott sáv” tulajdonságaiknak és a nagy elektromos tér erősségének köszönhetően.

A GeneSiC szabadalmaztatott...

A GeneSiC SiC MOSFET tranzisztorai kiváló vezetési és kapcsolási teljesítményt nyújtanak a szilíciumhoz...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Tokozás típusa
more... less
Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén
more... less
Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén
more... less
RDS(ON) VGS = 18 V esetén
more... less
RDS(ON) VGS = 15 V esetén
more... less
UDS feszültség
more... less
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Tokozás típusa
Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén
Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén
RDS(ON) VGS = 18 V esetén
RDS(ON) VGS = 15 V esetén
UDS feszültség
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F135MT12J tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F135MT12J tranzisztor ZOBACZ G3F135MT12J TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBACZ G3F20MT12J TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ZOBACZ G3F60MT06K TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ZOBACZ G3F60MT06J TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ZOBACZ G3F60MT06D TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ZOBACZ G3F45MT06J TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ZOBACZ G3F45MT06D TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ZOBACZ G3F33MT06K TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ZOBACZ G3F33MT06J TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K ZOBACZ G3F25MT06K TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J ZOBACZ G3F25MT06J TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R12MT12K TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBACZ G3F40MT12J TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ZOBACZ G3F40MT12K TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ZOBACZ G3F75MT12J TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12K tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12K tranzisztor ZOBACZ G3F65MT12K TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12J tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12J tranzisztor ZOBACZ G3F65MT12J TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F34MT12K tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12K tranzisztor ZOBACZ G3F34MT12K TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F34MT12J tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12J tranzisztor ZOBACZ G3F34MT12J TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F25MT12J tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12J tranzisztor ZOBACZ G3F25MT12J TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- SiC Mosfet G3F25MT12K tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12K tranzisztor ZOBACZ G3F25MT12K TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F18MT12J tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F18MT12J tranzisztor ZOBACZ G3F18MT12J TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F60MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F60MT06L tranzisztor ZOBACZ G3F60MT06L 48 A 34 A -- -- 650 V
Eredmények oldalanként:

A GeneSiC SiC MOSFET tranzisztorai kiváló vezetési és kapcsolási teljesítményt nyújtanak a szilíciumhoz (Si) képest a „széles tiltott sáv” tulajdonságaiknak és a nagy elektromos tér erősségének köszönhetően.

A GeneSiC szabadalmaztatott Trench-Assisted Planar technológiája a legalacsonyabb RDS(ON) értéket biztosítja magas hőmérsékleten és a legkisebb energia veszteséget nagy sebességnél. Ez példátlan, iparágvezető szintű teljesítményt, robusztusságot és minőséget tesz lehetővé.

Fedezze fel a 650 V – 6,5 kV közötti SiC MOSFET tranzisztorok legszélesebb választékát.