G2R1000MT33J MOSFET SiC
  • G2R1000MT33J MOSFET SiC

A fényképek csak tájékoztató jellegűek. Lásd a termék specifikációit

Kérjük, használjon latin karaktereket

Gyártó: GeneSiC Semiconductor

G2R1000MT33J MOSFET SiC

  • G2R1000MT33J
  • Tokozás típusa TO-263-7
  • Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén 5 A
  • Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén 3 A
  • RDS(ON) VGS = 18 V esetén 1000 mΩ
  • RDS(ON) VGS = 15 V esetén -
  • UDS feszültség 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Kevésbé
Olvass tovább
54,70 PLN
54,70 PLN Cena brutto/szt.
44,47 PLN Cena netto/szt.
Adóval együtt

Elérhetőség: Felhívjuk figyelmét, hogy ez a termék elfogyott

Előrendelést leadni és a termék iránti érdeklődését az „Elérhetőségről érdeklődni” gombra kattintva tudja elérni.

Jelenleg nincs raktáron
Kérdezzen a termékről close
Köszönjük az üzenetét Amint lehet, válaszolunk
Kérdezzen a termékről close
Böngésszen
Kérelem beküldése

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Tokozás típusa TO-263-7
  • Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén 5 A
  • Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén 3 A
  • RDS(ON) VGS = 18 V esetén 1000 mΩ
  • RDS(ON) VGS = 15 V esetén -
  • UDS feszültség 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Kevésbé
Olvass tovább

Related articles

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Posted in: Aktualności, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Hozzászólások (0)