G3R40MT12D MOSFET SiC
  • G3R40MT12D MOSFET SiC

A fényképek csak tájékoztató jellegűek. Lásd a termék specifikációit

Kérjük, használjon latin karaktereket

Gyártó: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12D MOSFET SiC

  • G3R40MT12D
  • Tokozás típusa TO-247-3
  • Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén 63 A
  • Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén 44 A
  • RDS(ON) VGS = 18 V esetén 34 mΩ
  • RDS(ON) VGS = 15 V esetén 40 mΩ
  • UDS feszültség 1200 V
Új

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Kevésbé
Olvass tovább
61,50 PLN
61,50 PLN Cena brutto/szt.
50,00 PLN Cena netto/szt.
Adóval együtt

Elérhetőség: Felhívjuk figyelmét, hogy ez a termék elfogyott

Előrendelést leadni és a termék iránti érdeklődését az „Elérhetőségről érdeklődni” gombra kattintva tudja elérni.

Mennyiségi kedvezmény

Mennyiség Kedvezmény Megtakarítás
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 8,61 PLN 1 033,20 PLN
Jelenleg nincs raktáron
Kérdezzen a termékről close
Köszönjük az üzenetét Amint lehet, válaszolunk
Kérdezzen a termékről close
Böngésszen
Kérelem beküldése

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Tokozás típusa TO-247-3
  • Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén 63 A
  • Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén 44 A
  • RDS(ON) VGS = 18 V esetén 34 mΩ
  • RDS(ON) VGS = 15 V esetén 40 mΩ
  • UDS feszültség 1200 V
Új

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Kevésbé
Olvass tovább

Related articles

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Posted in: Aktualności, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Hozzászólások (0)