Diodai | GeneSiC

A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes,...
A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between...
Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
URRM įtampa
more... less
IFAV
more... less
Būsto tipas
more... less
In stock
more... less
Środowisko
Filter
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
Produkto pavadinimas
Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
URRM įtampa
Būsto tipas
picture_as_pdf GA7PNS150-220 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GA7PNS150-220 Diode Sic. PAMATYKITE GA01PNS150-220 Galimas kiekis 15000 V 1:00 AM TO-220
picture_as_pdf GA7PNS150-201 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GA7PNS150-201 Diode Sic. PAMATYKITE GA01PNS150-201 Galimas kiekis 15000 V 1:00 AM DO-201
picture_as_pdf GB2X50MPS12-227 SIC LED GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227 SIC LED PAMATYKITE GB2X50MPS12-227 Galimas kiekis 1200 V 100 A SOT-227
picture_as_pdf GC2X10MPS12-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247 Diode Sic. PAMATYKITE GC2X10MPS12-247 Galimas kiekis 1200 V 20 A TO-247-3
picture_as_pdf GC2X20MPS12-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 Diode Sic. PAMATYKITE GC2X20MPS12-247 Galimas kiekis 1200 V 40 A TO-247-3
picture_as_pdf GB20SLT12-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 Diode Sic. PAMATYKITE GB20SLT12-247 Galimas kiekis 1200 V 20 A TO-247-2
picture_as_pdf GB25MPS17-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247 Diode Sic. PAMATYKITE GB25MPS17-247 Galimas kiekis 1700 V 25 A TO-247-2
picture_as_pdf GB2X100MPS12-227 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 Diode Sic. PAMATYKITE GB2X100MPS12-227 Galimas kiekis 1200 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GC2X50MPS06-227 SIC LED GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227 SIC LED PAMATYKITE GC2X50MPS06-227 Galimas kiekis 650 V 100 A SOT-227
picture_as_pdf GC2X15MPS12-247 SIC LED GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247 SIC LED PAMATYKITE GC2X15MPS12-247 Galimas kiekis 1200 V 30 A TO-247-3
picture_as_pdf GC2X100MPS06-227 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227 Diode Sic. PAMATYKITE GC2X100MPS06-227 Galimas kiekis 650 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GC20mps12-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC20mps12-247 Diode Sic. PAMATYKITE GC20MPS12-247 Galimas kiekis 1200 V 20 A TO-247-2
picture_as_pdf GC20MPS12-220 SIC LED GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 SIC LED PAMATYKITE GC20MPS12-220 Galimas kiekis 1200 V 20 A TO-220-2
picture_as_pdf GC15MPS12-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 Diode Sic. PAMATYKITE GC15MPS12-247 Galimas kiekis 1200 V 15 A TO-247-2
picture_as_pdf GC15MPS12-220 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220 Diode Sic. PAMATYKITE GC15MPS12-220 Galimas kiekis 1200 V 15 A TO-220-2
picture_as_pdf GC10MPS12-252 SIC LED GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 SIC LED PAMATYKITE GC10MPS12-252 Galimas kiekis 1200 V 10:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC10MPS12-220 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 Diode Sic. PAMATYKITE GC10MPS12-220 Galimas kiekis 1200 V 10:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GC08MPS12-252 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 Diode Sic. PAMATYKITE GC08MPS12-252 Galimas kiekis 1200 V 8:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC08MPS12-220 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220 Diode Sic. PAMATYKITE GC08MPS12-220 Galimas kiekis 1200 V 8:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GC05MPS12-252 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252 Diode Sic. PAMATYKITE GC05MPS12-252 Galimas kiekis 1200 V 5:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC02MPS12-220 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 Diode Sic. PAMATYKITE GC02MPS12-220 Galimas kiekis 1200 V 2:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GB50SLT12-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247 Diode Sic. PAMATYKITE GB50SLT12-247 Galimas kiekis 1200 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GB50mps17-247 Diode Sic. GeneSiC Semiconductor GB50mps17-247 Diode Sic. PAMATYKITE GB50MPS17-247 Galimas kiekis 1700 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GA-PNS80-220 diodų sic GeneSiC Semiconductor GA-PNS80-220 diodų sic PAMATYKITE GA01PNS80-220 Galimas kiekis 8000 V 1:00 AM TO-220
Rezultatai puslapyje:
A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes, diodes against overvoltage, high-voltage diodes.

The diodes used in power electronics systems require protection against the effects of short circuits and overvoltages.

Only quick fuses should be used for short-circuit protection of diodes. These are specially designed fuses with current values adapted to the current size of the diodes and burning out in a very short time after the occurrence of a short circuit. To protect diodes against commutation overvoltages, RC surge suppressors should be used. The parameters of the surge suppressor elements are selected so that the overvoltage occurring at the diode is limited to its safe value.