shopping_cart
Krepšelis
0,00 PLN
0
Iškarpinė
Jūs turite būti prisijungę
Informacija
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
Paveikslėlis | Peržiūrėti produkt | Gamintojo nr. | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf | Vishay | VISHAY (IR) įmonės IGBT tranzistoriai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH40KD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PH40KD | Galimas kiekis | TO-247AC | -- | 1200 V | -- | 30 A | 15 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4BC30UD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4BC30UD | Galimas kiekis | TO-220AB | 23 A | 600 V | 0:00 AM | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PF50W IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PF50W | Galimas kiekis | TO-247AC | 51 A | 900 V | 28 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH50U IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PH50U | Galimas kiekis | TO-247AC | 45 A | 1200 V | 24 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC40UD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PC40UD | 11 | TO-247AC | 40 A | 600 V | 20 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4BC30KD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4BC30KD | Galimas kiekis | TO-220AB | 28 A | 600 V | 16 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC50F IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PC50F | Galimas kiekis | TO-247AC | 70 A | 600 V | 39 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRGB440U IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRGB440U | Galimas kiekis | TO-220AB | 40 A | 500 V | 22 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH50KD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PH50KD | Galimas kiekis | TO-247 | -- | 1200 V | -- | 45 A | 24 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH40UD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PH40UD | Galimas kiekis | TO-247AC | -- | 1200 V | -- | 30 A | 15 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC40FD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PC40FD | Galimas kiekis | TO-247AC | 49 A | 600 V | 27 A | -- | -- | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC50FD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PC50FD | Galimas kiekis | TO-247AC | -- | 600 V | -- | 70 A | 39 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC50KD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PC50KD | Galimas kiekis | TO-247AC | -- | 600 V | -- | 52 A | 30 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PC50UD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PC50UD | Galimas kiekis | TO-247AC | -- | 600 V | -- | 55 A | 27 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PH50UD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PH50UD | Galimas kiekis | TO-247AC | -- | 1200 V | -- | 45 A | 24 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PSC71UD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PSC71UD | Galimas kiekis | SUPER 247 | -- | 600 V | -- | 85 A | 60 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PSH71KD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PSH71KD | Galimas kiekis | SUPER 247 | -- | 1200 V | -- | 78 A | 42 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRG4PF50WD IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRG4PF50WD | 110 | TO-247AC | -- | 900 V | -- | 51 A | 28 A | |
picture_as_pdf | Vishay | IRGBC20U IGBT tranzistorius | PAMATYKITE | IRGBC20U | Galimas kiekis | TO-220AB | 13 A | 600 V | 6,5 A | -- | -- |
Rezultatai puslapyje:
We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors.
Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.