MOSFET tranzistoriai | VISHAY (IR)

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Korpusas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
more... less
V(RD)DSS įtampa
more... less
Rds(on)
more... less
Filter
Parsisiųsk Produktų sąrašą
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
descasc
Produkto pavadinimas
descasc
 Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
descasc
Korpusas
descasc
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
descasc
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
descasc
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
descasc
V(RD)DSS įtampa
descasc
Rds(on)
descasc
picture_as_pdf VISHAY (IR) įmonės MOSFET tranzistoriai Vishay VISHAY (IR) įmonės MOSFET tranzistoriai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IRF830A MOSFET tranzistorius Vishay IRF830A MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRF830A Galimas kiekis TO-220AB 5:00 AM -- -- 500 V 1,4 Ohm
picture_as_pdf IRLBA3803P MOSFET tranzistorius Vishay IRLBA3803P MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRLBA3803P Galimas kiekis SUPER 220 126 A -- 179 A 30 V 0,005 Ohm
picture_as_pdf IRFB31N20D MOSFET tranzistorius Vishay IRFB31N20D MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFB31N20D Galimas kiekis TO-220AB 31 A 22 A -- 200 V 0,082 Ohm
picture_as_pdf IRFD90N20D MOSFET tranzistorius Vishay IRFD90N20D MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFD90N20D Galimas kiekis -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IRFP2907 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP2907 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP2907 Galimas kiekis TO-247 125 A -- 177 A 75 V 0,045 Ohm
picture_as_pdf IRFU110 MOSFET tranzistorius Vishay IRFU110 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFU110 Galimas kiekis I-Pak 2,7 A -- 4,3 A 100 V 0,54 Ohm
picture_as_pdf IRFP250 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP250 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP250 Galimas kiekis TO-247 19 A -- 30 A 200 V 0,085 Ohm
picture_as_pdf IRFR9220 MOSFET tranzistorius Vishay IRFR9220 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFR9220 Galimas kiekis D-Pak -2,3 A -- -3,6 A -200 V 1,5 Ohm
picture_as_pdf IRFR220 MOSFET tranzistorius Vishay IRFR220 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFR220 Galimas kiekis D-Pak 3:00 AM -- 4,8 A 200 V 0,8 Ohm
picture_as_pdf IRFB4310 Tranzistorius Vishay IRFB4310 Tranzistorius PAMATYKITE IRFB4310 Galimas kiekis -- 140 A 97 A -- 100 V 0,0056 Ohm
picture_as_pdf IRFPS59N60C MOSFET tranzistorius Vishay IRFPS59N60C MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFPS59N60C Galimas kiekis SUPER 247 37 A -- 59 A 600 V 0,045 Ohm
picture_as_pdf IRFP260N MOSFET tranzistorius Vishay IRFP260N MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP260N Galimas kiekis TO-247 29 A -- 46 A 200 V 0,055 Ohm
picture_as_pdf FA57SA50LC Tranzistorius Vishay FA57SA50LC Tranzistorius PAMATYKITE FA57SA50LC Galimas kiekis SOT-227 57 A 36 A -- 500 V --
picture_as_pdf IRF7832 MOSFET tranzistorius Vishay IRF7832 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRF7832 Galimas kiekis SO-8 20 A -- -- 30 V 0,004 Ohm
picture_as_pdf IRF9610. Vishay IRF9610. PAMATYKITE IRF9610 Galimas kiekis TO-220AB -1,8 A -1 A -- -200 V 3 Ohm
picture_as_pdf IRSF3010 MOSFET tranzistorius Vishay IRSF3010 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRSF3010 Galimas kiekis -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IRF820 MOSFET tranzistorius Vishay IRF820 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRF820 Galimas kiekis TO-220AB 2,5 A 1,6 A -- 500 V 3 Ohm
picture_as_pdf IRFD120 MOSFET tranzistorius Vishay IRFD120 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFD120 Galimas kiekis HEXDIP 0,94 A -- 1,3 A 100 V 0,27 Ohm
picture_as_pdf IRFI540N MOSFET tranzistorius Vishay IRFI540N MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFI540N Galimas kiekis TO-220 Full Pack 13 A -- 18 A 100 V 0,052 Ohm
picture_as_pdf IRFP22N50A MOSFET tranzistorius Vishay IRFP22N50A MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP22N50A Galimas kiekis TO-247 14 A -- 22 A 500 V 0,23 Ohm
picture_as_pdf IRFP360 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP360 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP360 Galimas kiekis TO-247 14 A -- 23 A 400 V 0,2 Ohm
picture_as_pdf IRFP90N20D MOSFET tranzistorius Vishay IRFP90N20D MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP90N20D Galimas kiekis -- 116 A -- -- 200 V --
picture_as_pdf IRFPG50 MOSFET tranzistorius Vishay IRFPG50 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFPG50 Galimas kiekis TO-247 3,9 A -- 6,1 A 100 V 2 Ohm
Rezultatai puslapyje:
Atgal į viršų

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.