SiC MOSFET moduliai | STARPOWER

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Būsto tipas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Konfiguracija
more... less
Rds(on)
more... less
Srovė Id
more... less
Filter
Parsisiųsk Produktų sąrašą
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
descasc
Produkto pavadinimas
descasc
 Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
descasc
Būsto tipas
descasc
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
descasc
Konfiguracija
descasc
Rds(on)
descasc
Srovė Id
descasc
-- Starpower sic mosfet moduliai Starpower Starpower sic mosfet moduliai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- --
picture_as_pdf MD25ClR120D6S MOSFET SIC. Starpower MD25ClR120D6S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD25CLR120D6S Galimas kiekis D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf MD25CUR120D6S MOSFET SIC. Starpower MD25CUR120D6S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD25CUR120D6S Galimas kiekis D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf MD50CUR120D6S MOSFET SIC. Starpower MD50CUR120D6S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD50CUR120D6S Galimas kiekis D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
picture_as_pdf MD50FFR120C5S MOSFET SIC. Starpower MD50FFR120C5S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD50FFR120C5S Galimas kiekis C5.0 73 A mostek trójfazowy 37.5 mΩ 50 A
picture_as_pdf MD350HFR120B3S MOSFET SIC. Starpower MD350HFR120B3S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD350HFR120B3S Galimas kiekis B3.0 473 A półmostek 5.2 mΩ 350 A
picture_as_pdf MD300HFR120B3S MOSFET SIC. Starpower MD300HFR120B3S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD300HFR120B3S Galimas kiekis B3.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD300HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD300HFR120C2S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD300HFR120C2S Galimas kiekis C2.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD400HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD400HFR120C2S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD400HFR120C2S 1 C2.0 542 A półmostek 4.4 mΩ 400 A
picture_as_pdf MD200HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD200HFR120C2S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD200HFR120C2S Galimas kiekis C2.0 299 A półmostek 8.7 mΩ 200 A
picture_as_pdf MD120HFR120C2S MOSFET SIC. Starpower MD120HFR120C2S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD120HFR120C2S Galimas kiekis C2.0 200 A półmostek 13 mΩ 120 A
picture_as_pdf MD250HFR170C2S MOSFET SIC. Starpower MD250HFR170C2S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD250HFR170C2S Galimas kiekis C2.0 340 A półmostek 10,4 mΩ 250 A
picture_as_pdf MD50ClR120D6S MOSFET SIC. Starpower MD50ClR120D6S MOSFET SIC. PAMATYKITE MD50CLR120D6S Galimas kiekis D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
Rezultatai puslapyje:
Atgal į viršų

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.