Tranzistorių moduliai | MITSUBISHI

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Skaityk daugiau

Kategorijos

Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
VCES įtampa
more... less
Kolektoriaus srovė IC
more... less
In stock
more... less
Środowisko
Filter
Parsisiųsk Produktų sąrašą
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
descasc
Produkto pavadinimas
descasc
 Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
descasc
VCES įtampa
descasc
Kolektoriaus srovė IC
descasc
-- Tranzistoriniai moduliai Mitsubishi Tranzistoriniai moduliai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- --
-- QM100DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM100DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM100DY-2H 3 1000 V 100 A
-- QM30DY-H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM30DY-H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM30DY-H Galimas kiekis 600 V 30 A
-- QM75HA-H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM75HA-H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM75HA-H 3 600 V 75 A
-- QM200DY-H Bipoliarinis Modulis Mitsubishi QM200DY-H Bipoliarinis Modulis PAMATYKITE QM200DY-H 2 600 V 200 A
-- QM400HA-2H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM400HA-2H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM400HA-2H 1 1000 V 400 A
-- QM50DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM50DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM50DY-2H Galimas kiekis 1000 V 50 A
-- QM75DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM75DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM75DY-2H Galimas kiekis 1000 V 75 A
-- QM300HA-2H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM300HA-2H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM300HA-2H Galimas kiekis 1000 V 300 A
-- QM20TD-H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM20TD-H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM20TD-H 14 600 V 20 A
-- QM150HY-2H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM150HY-2H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM150HY-2H 1 1000 V 15 A
-- QM150DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM150DY-2H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM150DY-2H Galimas kiekis 1000 V 150 A
-- QM600HA-24 BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM600HA-24 BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM600HA-24 1 1200 V 60 A
-- QM10HA-HB BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM10HA-HB BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM10HA-HB 1 600 V 10:00 AM
-- QM75DY-H BIPOLARINIS tranzistorius Mitsubishi QM75DY-H BIPOLARINIS tranzistorius PAMATYKITE QM75DY-H Galimas kiekis 600 V 75 A
Rezultatai puslapyje:
Atgal į viršų

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.