Nuotraukos yra skirtos tik informaciniams tikslams. Peržiūrėkite produkto specifikaciją

please use latin characters

SiC MOSFET tranzistorius G3R30MT12J

  • G3R30MT12J
  • Būsto tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 85 A
  • Pastovi srovė IC kai Tc=100oC 60 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 25 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V 30 mΩ
  • UDS įtampa 1200 V

The "G3R30MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding

Atsiųskite užklausą

Ar Jūs domina šis produktas? Ar Jums reikia papildomos informacijos ar individualaus pasiūlymo?

Susisiekite su mumis
KLAUSKITE PRODUKTO close
Pranešimas sėkmingai išsiųstas.
KLAUSKITE PRODUKTO close
Naršyti

Pridėti į norų sąrašą

tu turi būti prisijungęs

  • Būsto tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 85 A
  • Pastovi srovė IC kai Tc=100oC 60 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 25 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V 30 mΩ
  • UDS įtampa 1200 V

The "G3R30MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding