Diodai | SEMIKRONAS

A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes,...
A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between...
Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
IFSM
more... less
I2t
more... less
Rthjc
more... less
IT(AV)/TC
more... less
URRM įtampa
more... less
Filter
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
Produkto pavadinimas
Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
Rthjc
IT(AV)/TC
URRM įtampa
picture_as_pdf SKR130/16 Diodas SEMIKRON SKR130/16 Diodas PAMATYKITE SKR130/16 Galimas kiekis 1250 A 31000 A2s 0,35 °C/W 165 / 100 A/°C 1600 V
picture_as_pdf SKN130/16 Diodas SEMIKRON SKN130/16 Diodas PAMATYKITE SKN130/16 Galimas kiekis 2500 A 31000 A2s 0,35 °C/W 165 / 100 A/°C 1600 V
picture_as_pdf SKR60F17 Diodas SEMIKRON SKR60F17 Diodas PAMATYKITE SKR60F17 Galimas kiekis 1400 A 9800 A2s 0,5 °C/W 60 / 100 A/°C 1700 V
picture_as_pdf SKN26/12 Diodas SEMIKRON SKN26/12 Diodas PAMATYKITE SKN26/12 2 375 A 700 A2s 2 °C/W 25 / 100 A/°C 1200 V
picture_as_pdf SKN26/08 Diodas SEMIKRON SKN26/08 Diodas PAMATYKITE SKN26/08 33 375 A 700 A2s 2 °C/W 25 / 100 A/°C 800 V
picture_as_pdf SKN240/12 Diodas SEMIKRON SKN240/12 Diodas PAMATYKITE SKN240/12 Galimas kiekis 6000 A 180000 A2s 0,2 °C/W 320 / 100 A/°C 1200 V
picture_as_pdf SKN130/14 Diodas SEMIKRON SKN130/14 Diodas PAMATYKITE SKN130/14 7 2500 A 31000 A2s 0,35 °C/W 165 / 100 A/°C 1400 V
picture_as_pdf SKN130/08 Diodas SEMIKRON SKN130/08 Diodas PAMATYKITE SKN130/08 12 1250 A 31000 A2s 0,35 °C/W 165 / 100 A/°C 800 V
picture_as_pdf SKR26/08 Diodas SEMIKRON SKR26/08 Diodas PAMATYKITE SKR26/08 Galimas kiekis 375 A 700 A2s 2 °C/W 25 / 100 A/°C 800 V
picture_as_pdf SKR240/08 Diodas SEMIKRON SKR240/08 Diodas PAMATYKITE SKR240/08 Galimas kiekis 6000 A 180000 A2s 0,2 °C/W 320 / 100 A/°C 800 V
picture_as_pdf SKR141F15 Diodas SEMIKRON SKR141F15 Diodas PAMATYKITE SKR141F15 Galimas kiekis 2500 A 31000 A2s 0,2 °C/W 140 / 100 A/°C 1500 V
Rezultatai puslapyje:
A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes, diodes against overvoltage, high-voltage diodes.

The diodes used in power electronics systems require protection against the effects of short circuits and overvoltages.

Only quick fuses should be used for short-circuit protection of diodes. These are specially designed fuses with current values adapted to the current size of the diodes and burning out in a very short time after the occurrence of a short circuit. To protect diodes against commutation overvoltages, RC surge suppressors should be used. The parameters of the surge suppressor elements are selected so that the overvoltage occurring at the diode is limited to its safe value.