Silicio karbido puslaidininkiniai elementai

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect...
Skaityk daugiau

Kategorijos

Parsisiųsk Produktų sąrašą
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
descasc
Produkto pavadinimas
descasc
 Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
descasc
picture_as_pdf Silicio karbido puslaidininkiniai elementai Mitsubishi Silicio karbido puslaidininkiniai elementai PAMATYKITE -- Galimas kiekis
picture_as_pdf Silicio karbido moduliai - Powerex ir Mitsubishi Mitsubishi Silicio karbido moduliai - Powerex ir Mitsubishi PAMATYKITE -- Galimas kiekis
Rezultatai puslapyje:
Atgal į viršų

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.