Tranzistoriai

Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo

Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių tiekėjas. Mūsų klientai gali pasitikėti mūsų tiekiamų produktų ir paslaugų kokybe, nepriklausomai nuo to, ar jie perka MOSFET modulius, nuolatinės srovės diodus ar silicio...

Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo

Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių...

Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Korpuso tipas
more... less
Būsto tipas
more... less
Rthjc
more... less
Korpusas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Konfiguracija
more... less
VCES įtampa
more... less
Kolektoriaus srovė IC
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
more... less
Galingumas
more... less
V(RD)DSS įtampa
more... less
Rds(on)
more... less
Srovė Id
more... less
UCE
more... less
UCC
more... less
IOUTpeak
more... less
fmax
more... less
dv/dt
more... less
IT(AV)
more... less
Įtampa
more... less
Elektra
more... less
Nuolatinė srovė ID
more... less
URRM įtampa
more... less
VDSmax
more... less
VGSmax
more... less
QG typ (nC)
more... less
QGS typ (nC)
more... less
QGD typ (nC)
more... less
QOSS typ (nC)
more... less
ID (A)
more... less
Pulsed ID (A)
more... less
Package (mm)
more... less
RDS(ON) kai VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) kai VGS = 15 V
more... less
UDS įtampa
more... less
more... less
more... less
Filter
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
Produkto pavadinimas
Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
Korpuso tipas
Būsto tipas
Rthjc
Korpusas
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
Konfiguracija
VCES įtampa
Kolektoriaus srovė IC
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
Galingumas
V(RD)DSS įtampa
Rds(on)
Srovė Id
IOUTpeak
dv/dt
IT(AV)
Įtampa
Elektra
Nuolatinė srovė ID
URRM įtampa
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) kai VGS = 18 V
RDS(ON) kai VGS = 15 V
UDS įtampa
picture_as_pdf SK 30 DGDL 066 ir IGBT modulis SEMIKRON SK 30 DGDL 066 ir IGBT modulis PAMATYKITE SK30DGDL066ET Galimas kiekis -- -- -- -- -- Seven Pack 600 V 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SEMIX223GB17E4P Pusė tilto SEMIKRON SEMIX223GB17E4P Pusė tilto PAMATYKITE SEMiX223GB17E4p Galimas kiekis -- -- -- -- -- Half Bridge 1700 V 225 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J PAMATYKITE G3F33MT06J Galimas kiekis TO-263-7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J PAMATYKITE G3F20MT12J Galimas kiekis TO-263-7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F60MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F60MT06L tranzistorius PAMATYKITE G3F60MT06L Galimas kiekis -- -- -- 48 A -- -- -- 34 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf VISHAY (IR) įmonės IGBT tranzistoriai Vishay IGBT tranzistoriai iš VISHAY (IR) PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Aukštos įtampos IGBT moduliai Mitsubishi Wysokonapięciowe moduły IGBT PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf EconoPACK+ serijos IGBT moduliai Infineon Modułai IGBT serijos EconoPACK+ PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf PMF75CGA120 MOSFET SIC. Mitsubishi PMF75CGA120 MOSFET SIC. PAMATYKITE PMF75CGA120 Galimas kiekis -- -- -- -- -- 6in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 75 V -- -- -- --
picture_as_pdf ABB SiC MOSFET moduliai ABB ABB SiC MOSFET moduliai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Psh20l91a6-a mosfet sic Mitsubishi Psh20l91a6-a mosfet sic PAMATYKITE PSH20L91A6-A Galimas kiekis -- -- -- -- -- Two-phase interleaved -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 20Arms V -- -- -- --
-- Starpower sic mosfet moduliai Starpower Starpower sic mosfet moduliai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC PAMATYKITE G3F09MT12GB4 Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf EPC7019 tranzistorius EPC (Efficient Power Conversion) EPC7019 tranzistorius PAMATYKITE EPC7019 Galimas kiekis -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 1-May -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 40 6 23 7-Jun 3-Apr 51 95 530 LGA 6.05 x 2.3 -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K PAMATYKITE G3F25MT06K Galimas kiekis TO-247-4 -- -- -- 100 A -- -- -- 71 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F45MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F45MT06L tranzistorius PAMATYKITE G3F45MT06L Galimas kiekis -- -- -- 61 A -- -- -- 43 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf EPC23104 tranzistorius EPC (Efficient Power Conversion) EPC23104 tranzistorius PAMATYKITE EPC23104 Galimas kiekis -- -- -- -- -- Half Bridge ePower Stage -- -- -- -- -- -- -- 11 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 -- -- -- 15, 16.6 15 78 QFN 3.5 x 5 -- -- -- -- -- -- --
-- Dipipm TM 600V ir 1200V Mitsubishi Dipipm TM 600V ir 1200V PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf MDIP ir MINI - DIP IPM Mitsubishi MDIP ir MINI - DIP IPM PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf EASY PIM serijos IGBT moduliai Infineon IGBT moduliai serijos EASY PIM PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SIC. GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R60MT07K Galimas kiekis TO-247-4 -- -- -- 48 A -- -- -- 34 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V -- -- -- --
picture_as_pdf Cm300du-24nfh mosfet sic Mitsubishi Cm300du-24nfh mosfet sic PAMATYKITE CMH300DU-24NFH Galimas kiekis -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 300 V -- -- -- --
-- Transistoro moduliai DYNEX POWER Transistoro moduliai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- SK225GH07H5TD1E2 H-tiltas SEMIKRON SK225GH07H5TD1E2 H-tiltas PAMATYKITE SK225GH07H5TD1E2 Galimas kiekis -- -- -- -- -- H-Bridge 650 V 225 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
Rezultatai puslapyje:

Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo

Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių tiekėjas. Mūsų klientai gali pasitikėti mūsų tiekiamų produktų ir paslaugų kokybe, nepriklausomai nuo to, ar jie perka MOSFET modulius, nuolatinės srovės diodus ar silicio karbido puslaidininkinius elementus.

Esame pasiruošę tiekti didelius užsakymus nesvarbu, ar užsakote atskirus tranzistorius, ar perkate dideliais kiekiais, siūlome visapusišką visų produktų tiekimą.

Dėl aukščiausios aptarnavimo kokybės siūlome savo klientams tik patikrintų tiekėjų ir gamintojų produktus. Mūsų inžinierių komanda kiekviename etape teikia savo žinias ir patarimus, kad galėtume užtikrinti klientams informaciją apie įsigytų produktų priežiūrą ir naudojimą.

Dacpol pasiūla elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių grupėje yra daug platesnė ir apima įvairias elektrines ir pramonines prekes tranzistorių kategorijoje. Mūsų svetainėje galite susipažinti su visa elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių prekių pasiūla.

Poliniai tranzistoriai iš DACPOL

Siūlome du polinių tranzistorių tipus: MOS-FET ir IGBT tranzistorius.

MOS-FET tranzistoriai

MOS-FET tranzistoriai puikiai veikia lygiagrečiuose sujungimuose. Juos galima jungti lygiagrečiai net keliomis dešimtimis vienetų. Juos lengva valdyti ir nereikia koreguoti srovės paskirstymo tarp jų.
Prieinami srovės diapazone nuo 1,1A iki 250A ir įtampose nuo 12V iki 900V. MOS-FET tranzistoriai gaminami tokiuose korpusuose: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

IGBT tranzistoriai

IGBT tranzistoriai pasižymi mažu laidumo įtampos kritimu (nuo 2,15 iki 5,2V) prie didelių srovių (nuo 10 iki 3600A), gebėjimu blokuoti aukštas įtampas (nuo 250 iki 6500V), valdymu per izoliuotą vartą ir dideliu jungimo greičiu. Gaminami kaip standartiniai moduliai, aukštos dažnio moduliai, aukštos įtampos moduliai bei išmanieji aukštos įtampos moduliai. Taip pat siūlomi aukštos įtampos diodiniai moduliai bendradarbiavimui su IGBT tranzistoriais.

Aukšta siūlomų produktų kokybė

Prieinami elektroizoliuotuose korpusuose kaip atskirų tranzistorių, dviejų tranzistorių modulių (pustilčių), šešių elementų modulių (pilnų tiltų), septynių elementų modulių (pilnų tiltų su tranzistoriumi) forma. Tipiški korpusai: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

IGBT tranzistoriai, gaminami išmaniųjų modulių pavidalu, turi ne tik tranzistorius, bet ir valdymo bei apsaugos nuo trumpojo jungimo ir viršįtampių sistemas.

 

Taip pat peržiūrėkite mūsų produktus iš kategorijos lyginamieji tilteliai!

Kas yra tranzistoriai ir kokie jų pagrindiniai tipai?

Tranzistoriai yra puslaidininkiniai elektroniniai elementai su trimis elektrodais, kurie pirmiausia skirtos signalo stiprinimui didinant jo amplitudę. Be to, jie gali kontroliuoti elektros srovės srautą grandinėse – veikti kaip jungikliai. Jie gaminami iš puslaidininkinių medžiagų, tokių kaip silicis ar germanis. Tranzistorius buvo pirmą kartą sukurtas 1948 metais J. Bardeen ir W. H. Brattain. Jų kūrėjai kartu su W. B. Shockley – bipolinio modelio kūrėju – 1956 metais už jį gavo Nobelio premiją.

Puslaidininkiniai, trijų elektrodų elektroniniai elementai skirstomi į du pagrindinius tipus. Pirmieji – poliniai tranzistoriai, dar vadinami unipoliniais, kuriuos valdo įtampa. Jie sudaryti iš vartų, prie kurių pritaikius įtampą susidaro elektromagnetinis laukas, keičiantis varžą tarp nutekėjimo ir šaltinio, t. y. signalo išeigos vietos.

Bipolinis tranzistorius, dar vadinamas jungtiniu, yra kitas jų tipas. Sudarytas iš bazės, emiterio ir kolektoriaus. Valdomas srove, tekančia tarp emiterio ir bazės. Bipoliniai tranzistoriai dar skirstomi į n-p-n ir p-n-p modelius.

Kaip pasižymi polinis tranzistorius ir kur jis dažniausiai naudojamas?

MOS-FET tranzistorius (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), priskiriamas poliniams, keturių kontaktų modeliams, pasižymi dideliu išėjimo varžumu ir labai greitu perjungimo laiku. Dėl šių savybių jie daugiausia naudojami:

- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose, kur užtikrina efektyvų ir veiksmingą tinklo valdymą,

- elektrinių ir hibridinių transporto priemonių įkrovikliuose,

- nepertraukiamo maitinimo šaltiniuose (UPS),

- variklių pavarose, naudojamuose automobilių pramonėje ir pramonėje,

- garso arba telekomunikacijų stiprintuvuose,

- integriniuose grandynuose, ypač pagrįstuose CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technologija, kuri šiandien naudojama daugumoje mikroprocesorių.

Taip pat svarbu paminėti, kad poliniai tranzistoriai gali būti naudojami tiek analoginių, tiek skaitmeninių signalų pagrindu veikiančiuose integriniuose grandynuose.

Kas yra IGBT tranzistoriai ir kam jie naudojami?

IGBT tranzistorius (Insulated Gate Bipolar Transistor), priskiriamas izoliuotų vartų įrenginių grupei, jungia bipolinio ir MOS-FET modelių savybes. Dėl to jis pasižymi lengvu valdymu ir perjungimu. IGBT tranzistorius pritaikytas dirbti su didelėmis apkrovomis, kurios gali siekti kelis šimtus kW. Jis taip pat geba blokuoti aukštas įtampas iki 6 kV. Tuo pačiu jo naudojimas užtikrina mažus galios nuostolius. Dėl šių savybių šis tranzistorius gali būti naudojamas, pavyzdžiui:

- keitikliuose, kuriuose nuolatinė įtampa paverčiama kintamąja energijos sistemoms,

- indukciniuose viryklių ir įkroviklių įrenginiuose,

- avarinio maitinimo šaltiniuose,

- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose,

- pramoniniuose pavarų sistemose, tokiuose kaip elektros varikliai.