Tranzistoriai

Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo

Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių tiekėjas. Mūsų klientai gali pasitikėti mūsų tiekiamų produktų ir paslaugų kokybe, nepriklausomai nuo to, ar jie perka MOSFET modulius, nuolatinės srovės diodus ar silicio...

Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo

Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių...

Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Korpuso tipas
more... less
Būsto tipas
more... less
Rthjc
more... less
Korpusas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Konfiguracija
more... less
VCES įtampa
more... less
Kolektoriaus srovė IC
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
more... less
Galingumas
more... less
V(RD)DSS įtampa
more... less
Rds(on)
more... less
Srovė Id
more... less
UCE
more... less
UCC
more... less
IOUTpeak
more... less
fmax
more... less
dv/dt
more... less
IT(AV)
more... less
Įtampa
more... less
Elektra
more... less
Nuolatinė srovė ID
more... less
URRM įtampa
more... less
VDSmax
more... less
VGSmax
more... less
QG typ (nC)
more... less
QGS typ (nC)
more... less
QGD typ (nC)
more... less
QOSS typ (nC)
more... less
ID (A)
more... less
Pulsed ID (A)
more... less
Package (mm)
more... less
RDS(ON) kai VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) kai VGS = 15 V
more... less
UDS įtampa
more... less
more... less
more... less
Filter
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
Produkto pavadinimas
Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
Korpuso tipas
Būsto tipas
Rthjc
Korpusas
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
Konfiguracija
VCES įtampa
Kolektoriaus srovė IC
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
Galingumas
V(RD)DSS įtampa
Rds(on)
Srovė Id
IOUTpeak
dv/dt
IT(AV)
Įtampa
Elektra
Nuolatinė srovė ID
URRM įtampa
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) kai VGS = 18 V
RDS(ON) kai VGS = 15 V
UDS įtampa
picture_as_pdf 1700V FMF600DXE-34BN Mitsubishi 1700V FMF600DXE-34BN PAMATYKITE FMF600DXE-34BN Galimas kiekis -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1700 V -- -- -- --
picture_as_pdf G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC PAMATYKITE G3F05MT12GB2 Galimas kiekis -- -- -- -- półmostek -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F25MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT06L tranzistorius PAMATYKITE G3F25MT06L Galimas kiekis -- -- -- 125 A -- -- -- 88 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf EPC7004 tranzistorius EPC (Efficient Power Conversion) EPC7004 tranzistorius PAMATYKITE EPC7004 Galimas kiekis -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 7 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 6-Apr 2-Feb 1-Jan 37 60 160 LGA 4.1 x 1.6 -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf GBT modulių 3 karta - U serija Mitsubishi 3 kartos IGBT modulių serija U PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Aukštos galios IGBT moduliai Infineon Aukštos galios IGBT moduliai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Cmh100dy-24nfh mosfet sic Mitsubishi Cmh100dy-24nfh mosfet sic PAMATYKITE CMH100DY-24NFH Galimas kiekis -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 V -- -- -- --
picture_as_pdf PSF25S92F6 MOSFET SIC. Mitsubishi PSF25S92F6 MOSFET SIC. PAMATYKITE PSF25S92F6 Galimas kiekis -- -- -- -- -- 6in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 25 V -- -- -- --
picture_as_pdf SK25TMLID12F4TE2 3 lygis SEMIKRON SK25TMLID12F4TE2 3 lygis PAMATYKITE SK25TMLID12F4TE2 Galimas kiekis -- -- -- -- -- 3-level 1200 V 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SK50GD12T4ete2 šeši pakuotė SEMIKRON SK50GD12T4ete2 šeši pakuotė PAMATYKITE SK50GD12T4ETE2 Galimas kiekis -- -- -- -- -- Six Pack 1200 V 50 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf FMF800DC-66BEW MOSFET SiC Mitsubishi FMF800DC-66BEW MOSFET SiC PAMATYKITE FMF800DC-66BEW Galimas kiekis -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 3300 V -- -- -- --
picture_as_pdf G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC PAMATYKITE G3F18MT12FB4 Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K PAMATYKITE G3F75MT12K Galimas kiekis TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Skim400GD126DLM šeši pakuotė SEMIKRON Skim400GD126DLM šeši pakuotė PAMATYKITE SKiM400GD126DLM Galimas kiekis -- -- -- -- -- Six Pack 1200 V 300 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SKM200GB12F4 pusė tilto SEMIKRON SKM200GB12F4 pusė tilto PAMATYKITE SKM200GB12F4 Galimas kiekis -- -- -- -- -- Half Bridge 1200 V 200 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT modulių 3 karta - serija H Mitsubishi 3-ios kartos IGBT moduliai - H serija PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Cm200du-24nfh mosfet sic Mitsubishi Cm200du-24nfh mosfet sic PAMATYKITE CMH200DU-24NFH Galimas kiekis -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 200 V -- -- -- --
picture_as_pdf PSF15S92F6 MOSFET SIC. Mitsubishi PSF15S92F6 MOSFET SIC. PAMATYKITE PSF15S92F6 Galimas kiekis -- -- -- -- -- 6in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 15 V -- -- -- --
-- SIC MOSFET moduliai Mitsubishi SIC MOSFET moduliai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K PAMATYKITE G3F60MT06K Galimas kiekis TO-247-4 -- -- -- 42 A -- -- -- 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC PAMATYKITE G3F17MT12FB2 Galimas kiekis -- -- -- -- półmostek -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J PAMATYKITE G3F75MT12J Galimas kiekis TO-263-7 -- -- -- 31 A -- -- -- 22 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Dvigubas IGBT modulis HVIGBT QID3320004 POWEREX Dvigubas IGBT modulis HVIGBT QID3320004 PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IGBT TRENCH modulių 4 karta - F serija Mitsubishi Seria ALC 40 wyprowadzenia do druku na zatrzaski PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
Rezultatai puslapyje:

Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo

Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių tiekėjas. Mūsų klientai gali pasitikėti mūsų tiekiamų produktų ir paslaugų kokybe, nepriklausomai nuo to, ar jie perka MOSFET modulius, nuolatinės srovės diodus ar silicio karbido puslaidininkinius elementus.

Esame pasiruošę tiekti didelius užsakymus nesvarbu, ar užsakote atskirus tranzistorius, ar perkate dideliais kiekiais, siūlome visapusišką visų produktų tiekimą.

Dėl aukščiausios aptarnavimo kokybės siūlome savo klientams tik patikrintų tiekėjų ir gamintojų produktus. Mūsų inžinierių komanda kiekviename etape teikia savo žinias ir patarimus, kad galėtume užtikrinti klientams informaciją apie įsigytų produktų priežiūrą ir naudojimą.

Dacpol pasiūla elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių grupėje yra daug platesnė ir apima įvairias elektrines ir pramonines prekes tranzistorių kategorijoje. Mūsų svetainėje galite susipažinti su visa elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių prekių pasiūla.

Poliniai tranzistoriai iš DACPOL

Siūlome du polinių tranzistorių tipus: MOS-FET ir IGBT tranzistorius.

MOS-FET tranzistoriai

MOS-FET tranzistoriai puikiai veikia lygiagrečiuose sujungimuose. Juos galima jungti lygiagrečiai net keliomis dešimtimis vienetų. Juos lengva valdyti ir nereikia koreguoti srovės paskirstymo tarp jų.
Prieinami srovės diapazone nuo 1,1A iki 250A ir įtampose nuo 12V iki 900V. MOS-FET tranzistoriai gaminami tokiuose korpusuose: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

IGBT tranzistoriai

IGBT tranzistoriai pasižymi mažu laidumo įtampos kritimu (nuo 2,15 iki 5,2V) prie didelių srovių (nuo 10 iki 3600A), gebėjimu blokuoti aukštas įtampas (nuo 250 iki 6500V), valdymu per izoliuotą vartą ir dideliu jungimo greičiu. Gaminami kaip standartiniai moduliai, aukštos dažnio moduliai, aukštos įtampos moduliai bei išmanieji aukštos įtampos moduliai. Taip pat siūlomi aukštos įtampos diodiniai moduliai bendradarbiavimui su IGBT tranzistoriais.

Aukšta siūlomų produktų kokybė

Prieinami elektroizoliuotuose korpusuose kaip atskirų tranzistorių, dviejų tranzistorių modulių (pustilčių), šešių elementų modulių (pilnų tiltų), septynių elementų modulių (pilnų tiltų su tranzistoriumi) forma. Tipiški korpusai: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

IGBT tranzistoriai, gaminami išmaniųjų modulių pavidalu, turi ne tik tranzistorius, bet ir valdymo bei apsaugos nuo trumpojo jungimo ir viršįtampių sistemas.

 

Taip pat peržiūrėkite mūsų produktus iš kategorijos lyginamieji tilteliai!

Kas yra tranzistoriai ir kokie jų pagrindiniai tipai?

Tranzistoriai yra puslaidininkiniai elektroniniai elementai su trimis elektrodais, kurie pirmiausia skirtos signalo stiprinimui didinant jo amplitudę. Be to, jie gali kontroliuoti elektros srovės srautą grandinėse – veikti kaip jungikliai. Jie gaminami iš puslaidininkinių medžiagų, tokių kaip silicis ar germanis. Tranzistorius buvo pirmą kartą sukurtas 1948 metais J. Bardeen ir W. H. Brattain. Jų kūrėjai kartu su W. B. Shockley – bipolinio modelio kūrėju – 1956 metais už jį gavo Nobelio premiją.

Puslaidininkiniai, trijų elektrodų elektroniniai elementai skirstomi į du pagrindinius tipus. Pirmieji – poliniai tranzistoriai, dar vadinami unipoliniais, kuriuos valdo įtampa. Jie sudaryti iš vartų, prie kurių pritaikius įtampą susidaro elektromagnetinis laukas, keičiantis varžą tarp nutekėjimo ir šaltinio, t. y. signalo išeigos vietos.

Bipolinis tranzistorius, dar vadinamas jungtiniu, yra kitas jų tipas. Sudarytas iš bazės, emiterio ir kolektoriaus. Valdomas srove, tekančia tarp emiterio ir bazės. Bipoliniai tranzistoriai dar skirstomi į n-p-n ir p-n-p modelius.

Kaip pasižymi polinis tranzistorius ir kur jis dažniausiai naudojamas?

MOS-FET tranzistorius (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), priskiriamas poliniams, keturių kontaktų modeliams, pasižymi dideliu išėjimo varžumu ir labai greitu perjungimo laiku. Dėl šių savybių jie daugiausia naudojami:

- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose, kur užtikrina efektyvų ir veiksmingą tinklo valdymą,

- elektrinių ir hibridinių transporto priemonių įkrovikliuose,

- nepertraukiamo maitinimo šaltiniuose (UPS),

- variklių pavarose, naudojamuose automobilių pramonėje ir pramonėje,

- garso arba telekomunikacijų stiprintuvuose,

- integriniuose grandynuose, ypač pagrįstuose CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technologija, kuri šiandien naudojama daugumoje mikroprocesorių.

Taip pat svarbu paminėti, kad poliniai tranzistoriai gali būti naudojami tiek analoginių, tiek skaitmeninių signalų pagrindu veikiančiuose integriniuose grandynuose.

Kas yra IGBT tranzistoriai ir kam jie naudojami?

IGBT tranzistorius (Insulated Gate Bipolar Transistor), priskiriamas izoliuotų vartų įrenginių grupei, jungia bipolinio ir MOS-FET modelių savybes. Dėl to jis pasižymi lengvu valdymu ir perjungimu. IGBT tranzistorius pritaikytas dirbti su didelėmis apkrovomis, kurios gali siekti kelis šimtus kW. Jis taip pat geba blokuoti aukštas įtampas iki 6 kV. Tuo pačiu jo naudojimas užtikrina mažus galios nuostolius. Dėl šių savybių šis tranzistorius gali būti naudojamas, pavyzdžiui:

- keitikliuose, kuriuose nuolatinė įtampa paverčiama kintamąja energijos sistemoms,

- indukciniuose viryklių ir įkroviklių įrenginiuose,

- avarinio maitinimo šaltiniuose,

- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose,

- pramoniniuose pavarų sistemose, tokiuose kaip elektros varikliai.