Jūs turite būti prisijungę
-
-
-
Category
-
Puslaidininkiai
- Diodai
- Tiristoriai
-
Elektroizoliuoti moduliai
- Elektrai izoliuoti moduliai | VISHAY (IR)
- Elektrai izoliuoti moduliai | INFINEON (EUPEC)
- Elektrai izoliuoti moduliai | Semikronas
- Elektrai izoliuoti moduliai | POWEREX
- Elektrai izoliuoti moduliai | IXYS
- Elektrai izoliuoti moduliai | POSEICO
- Elektrai izoliuoti moduliai | ABB
- Elektrai izoliuoti moduliai | TECHSEM
- Eikite į subkategoriją
- Lygintuviniai tilteliai
-
Tranzistoriai
- Tranzistoriai | GeneSiC
- SiC MOSFET moduliai | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduliai | STARPOWER
- „ABB SiC MOSFET“ moduliai
- IGBT moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | MITSUBISHI
- MOSFET moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | ABB
- IGBT moduliai POWEREX
- IGBT moduliai INFINEON (EUPEC)
- Silicio karbido puslaidininkiniai elementai
- Eikite į subkategoriją
- Valdikliai
- Galios blokai
- Eikite į subkategoriją
- Elektrinių dydžių keitikliai
-
Pasyvūs komponentai (kondensatoriai, rezistoriai, saugikliai, filtrai)
- Rezistoriai
-
Saugikliai
- ABC ir AGC serijos miniatiūriniai saugikliai elektronikai
- Greitaeigiai cilindriniai saugikliai
- Uždelsimo elementai su GL/GG ir AM charakteristikomis
- Ultragreiti intarpai - saugikliai
- Didžiosios Britanijos ir JAV standartų greitaeigiai saugikliai
- Europos standarto greitaeigiai saugikliai
- Saugikliai geležinkeliui
- Aukštos įtampos saugikliai
- Eikite į subkategoriją
-
Kondensatoriai
- Kondensatoriai varikliams
- Elektrolitiniai kondensatoriai
- Snubbers tipo kondensatoriai
- Galios kondensatoriai
- Kondensatoriai DC grandinėms
- Kondensatoriai galios kompensavimui
- Aukštos įtampos kondensatoriai
- Kondensatoriai indukciniam kaitinimui
- Impulsiniai ir energijos kaupimo kondensatoriai
- DC LINK kondensatoriai
- AC / DC grandinių kondensatoriai
- Eikite į subkategoriją
- Slopinimo tinklo filtrai
- Superkondensatoriai
- Apsauga nuo viršįtampių
- TEMPEST spindulių aptikimo filtrai
- Eikite į subkategoriją
-
Relės ir kontaktoriai
- Relių ir kontaktorių teorija
- Trijų fazių puslaidininkinės AC relės
- Puslaidininkinės DC relės
- Reguliatoriai, valdikliai ir jų priedai
- Soft starteriai (minkšto paleidimo įrenginiai) bei reversiniai kontaktoriai
- Elektromechaninės relės
- Kontaktoriai
- Rotaciniai jungikliai
-
Vienos fazės puslaidininkinės AC relės
- AC vienfazės puslaidininkinės relės 1 | D2425 | D2450 serijų
- AC vienfazės puslaidininkinės relės CWA ir CWD serijų
- AC vienfazės puslaidininkinės relės CMRA ir CMRD serijų
- AC vienfazės puslaidininkinės relės PS serijos
- AC puslaidininkinės dvigubos ir keturgubos relės D24 D, TD24 Q, H12D48 D serijų
- Vienfazės puslaidininkinės relės gn serijos
- AC vienfazės puslaidininkinės relės CKR serijos
- AC vienfazės relės DIN bėgiams ERDA ir ERAA serijų
- Vienfazės kintamosios srovės relės, skirtos 150A srovei
- Dvigubos kietojo kūno relės, integruotos su radiatoriumi DIN bėgiui
- Eikite į subkategoriją
- Vienos fazės puslaidininkinės AC relės spausdinimo plokštėms
- Interfejsų relės
- Eikite į subkategoriją
- Indukciniai elementai
- Radiatoriai, varistoriai, termo apsauga
- Ventiliatoriai
- Kondicioneriai, elektros spintų aksesuarai, aušintuvai
-
Baterijos, įkrovikliai, buferiniai maitinimo šaltiniai ir keitikliai
- Baterijos, įkrovikliai - teorinis aprašymas
- Ličio jonų baterijos. Individualios baterijos. Baterijų valdymo sistema (BMS)
- Akumuliatoriai
- Akumuliatorių įkrovikliai ir priedai
- UPS atsarginis maitinimo šaltinis ir buferiniai maitinimo šaltiniai
- Fotoelektros keitikliai ir priedai
- Energijos kaupimas
- Kuro elementai
- Ląstelės litio-joninės
- Eikite į subkategoriją
-
Automatikos komponentai
- Spiralift keltuvai
- Futaba dronų dalys
- Galiniai jungikliai, mikrojungikliai
- Jutikliai, keitikliai
- Pirometrai
- Skaitikliai, laiko relės, paneliniai matuokliai
- Pramoniniai apsaugos įrenginiai
- Šviesos ir garso signalizacija
- Terminio vaizdo kamera
- LED švieslentės
- Valdymo aparatūra - mygtukai ir jungikliai
- Eikite į subkategoriją
-
Laidai, pynės, laidų apsauginės žarnos, lankstūs sujungimai
- Laidai
- Kabelių įvadai ir movos
- Daugiagisliai laidai
-
Kabeliai ekstremalioms sąlygoms
- Kompensaciniai ir prailginimo kabeliai
- Laidai termoporoms
- PT jutikliams prijungimo laidai
- Daugiagysliai laidai temp. -60C iki +1400C
- Vidutinės įtampos kabeliai
- Uždegimo laidai
- Šildymo laidai
- Viengysliai laidai temp. -60C iki +450C
- Geležinkelio kabeliai
- Šildymo kabeliai Ex zonoms
- Eikite į subkategoriją
- Apsaugos vamzdeliai
-
Pintinės
- Plokščios pintinės
- Apvalios pintinės
- Plokščios labai elastingos pintinės
- Apvalios labai elastingos pintinės
- Cilindro formos vario pintinės
- Vario cilindrinės pintinės su apsauga
- Elastingos įžeminimo juostos
- Cinkuoto ir nerūdijančio plieno cilindrinės pintinės
- PCV izoliuotos vario pintinės - temperatūra iki 85 C
- Plokščios aliuminio pintinės
- Sujungimo komplektas - pintinės ir vamzdeliai
- Eikite į subkategoriją
- Aksesuarai geležinkeliams
- Kabelių antgaliai
- Lanksčios izoliuotos šynos
- Daugiasluoksnės lanksčios šynos
- Laidų pravedimo sistemos (PESZLE)
- Eikite į subkategoriją
- Žiūrėti visas kategorijas
-
Puslaidininkiai
-
-
Tranzistoriai
Kategorijos
- Tranzistoriai | GeneSiC
- SiC MOSFET moduliai | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduliai | STARPOWER
- „ABB SiC MOSFET“ moduliai
- IGBT moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | MITSUBISHI
- MOSFET moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | ABB
- IGBT moduliai POWEREX
- IGBT moduliai INFINEON (EUPEC)
- Silicio karbido puslaidininkiniai elementai
- Tranzistorių moduliai | DYNEX
- MOSFET tranzistoriai – įmonės VISHAY (IR)
- SiC MOSFET moduliai | POWEREX
- IGBT moduliai | Semikron
- MOSFET ir IGBT tvarkyklės | Semikron
- MOSFET moduliai | Microsemi
- IGBT tranzistoriai | VISHAY (IR)
- Tarpower IGBT moduliai
- EPC Gan tranzistoriai
| Paveikslėlis | Peržiūrėti produkt | Gamintojo nr. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK10DGDL07E3ete1 Septyni pakuotė | PAMATYKITE | SK10DGDL07E3ETE1 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | PAMATYKITE | G3F75MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | 22 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G3F18MT12U | PAMATYKITE | G3F18MT12U | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC | PAMATYKITE | G3F18MT12FB4 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
Vishay | IGBT tranzistoriai iš VISHAY (IR) | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Microsemi | MOSFET moduliai - Microsemi | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 5 generacijos modulių IPM - serija L | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SEMIDRIVER valdikliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF375DC-66A MOSFET SIC | PAMATYKITE | FMF375DC-66A | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 375 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK25DGDL12T7ete2S septyni pakuotė | PAMATYKITE | SK25DGDL12T7ETE2s | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK35DGDL12T7ete2S septyni paketai | PAMATYKITE | SK35DGDL12T7ETE2s | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Skip 11ac12t7v1 šeši paketai | PAMATYKITE | SKiiP11AC12T7V1 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM600GB066D Pusė tilto | PAMATYKITE | SKM600GB066D | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 600 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-tiltas | PAMATYKITE | SK225GH07H5TD1E2 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | PAMATYKITE | G3F40MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G2R300MT65-CAx | PAMATYKITE | G2R300MT65-CAx | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | PAMATYKITE | G3F17MT12FB2 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 1200V FMF600DXE-24BN | PAMATYKITE | FMF600DXE-24BN | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM200GB12F4 pusė tilto | PAMATYKITE | SKM200GB12F4 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 200 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
ABB | Igbt igb. | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Mega POWER DUAL - IGBT nauji moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | MOSFET moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
ABB | 5SFG 0660B07500x MOSFET SIC | PAMATYKITE | 5SFG 0660B07500x | Galimas kiekis | -- | b | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 2.6 mΩ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 2 x 660 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | 7 IGBT modulių karta | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo
DACPOL yra patyręs būtinos produkcijos tiekėjas tranzistorių kategorijoje. Mūsų klientai gali pasikliauti tiekiamų produktų ir paslaugų kokybe, nesvarbu, ar jie perka MOSFET modulius, diodus, ar silicio karbido puslaidininkinius elementus.
Esame pasiruošę pristatyti produkciją nepriklausomai nuo to, ar užsakote pavienius tranzistorius, ar perkate juos urmu – siūlome visų prekių kompleksinį tiekimą.
Dėl aukščiausios aptarnavimo kokybės savo klientams siūlome tik produktus iš patikimų tiekėjų ir gamintojų. Mūsų inžinierių komanda kiekviename etape dalijasi savo žiniomis ir konsultacijomis, kad klientams galėtume suteikti informaciją apie įsigytų produktų taikymą.
DACPOL pasiūla elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių srityje yra daug platesnė ir apima įvairius elektros ir pramoninius gaminius tranzistorių kategorijoje. Mūsų interneto svetainėje galite susipažinti su visu elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių asortimentu.
Tranzistoriai – rūšys ir taikymas
NPN ir PNP tranzistoriai yra pagrindiniai elektroniniai elementai, naudojami statant elektronines grandines, tokias kaip Arduino ar Raspberry Pi. Šie diskretiniai puslaidininkiniai elementai susideda iš trijų puslaidininkio sluoksnių ir trijų išvadų: emiterio, bazės ir kolektoriaus, kurie leidžia valdyti srovės tekėjimą tarp kolektoriaus ir emiterio. Unipoliniuose tranzistoriuose, pvz., MOSFET, valdymo srovė teka per elektrodą, vadinamą vartais (drena–šaltinis), kas leidžia tiksliai stiprinti elektrinį signalą.
Srovės stiprinimo koeficientas, t. y. bazės srovės santykis su kolektoriaus srove, yra labai svarbus tinkamai poliarizacijai ir elektroninių įrenginių darbui. Dėl veikimo principo, pagrįsto maža valdymo srove, galima įjungti arba išjungti didelę srovę, kas leidžia tranzistorių naudoti kaip stabilizatorių, jungiklį ar stiprintuvą. Sužinokite daugiau ir pasirinkite tinkamą tranzistorių savo projektui – peržiūrėkite mūsų elektronikos dalių pasiūlą jau šiandien!
Lauko tranzistoriai iš DACPOL
Siūlome dviejų tipų tranzistorius: MOS-FET ir IGBT.
MOS-FET tranzistoriai
MOS-FET tranzistoriai gerai veikia jungiant juos lygiagrečiai. Juos galima jungti lygiagrečiai net kelias dešimtis vienetų. Juos lengva valdyti, ir jie nereikalauja srovės paskirstymo korekcijos.
Galimi srovės diapazone nuo 1,1A iki 250A ir įtampos diapazone nuo 12V iki 900V. MOS-FET tranzistoriai gaminami šiose korpuso versijose: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzistoriai
IGBT tranzistoriai pasižymi mažu įtampos kritimu (nuo 2,15÷5,2V) esant didelei srovei (10÷3600A), gebėjimu blokuoti aukštas įtampas (250÷6500V), įtampos valdymu per izoliuotus vartus ir dideliu perjungimo greičiu. Jie gaminami kaip standartiniai moduliai, aukšto dažnio moduliai, aukštos įtampos moduliai, taip pat išmanieji moduliai ir aukštos įtampos išmanieji moduliai. Be to, siūlomi aukštos įtampos diodų moduliai darbui su IGBT tranzistoriais.
Aukšta siūlomų produktų kokybė
Galimi elektroizoliuotuose korpusuose kaip pavieniai tranzistoriai, taip pat kaip pusės tiltai ir pilni tiltai. Tipiniai korpusai: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT tranzistoriai, gaminami kaip išmanieji moduliai, be tranzistorių turi ir valdymo grandines bei apsaugą nuo trumpojo jungimo ir viršįtampių.
Taip pat peržiūrėkite mūsų gaminius kategorijoje tiltiniai lygintuvai!
Kas yra tranzistoriai ir kokios jų pagrindinės rūšys?
Tranzistoriai gali valdyti srovės tekėjimą elektros grandinėse – veikti kaip jungikliai. Jie gaminami iš puslaidininkinių medžiagų, tokių kaip silicis ar silicio karbidas. Pirmąjį tranzistorių 1948 m. sukūrė J. Bardeen ir W.H. Brattain. Jo kūrėjai kartu su W.B. Shockley – bipolinio modelio autoriumi – 1956 m. gavo Nobelio premiją.
Puslaidininkiniai trijų elektrodų elektroniniai elementai skirstomi į dvi pagrindines rūšis. Pirmieji – tai lauko tranzistoriai, dar vadinami unipoliniais, kurie valdomi įtampa. Jie susideda iš vartų, kurie, pritaikius įtampą, sukuria elektromagnetinį lauką, keičiantį varžą tarp dreno ir šaltinio.
Bipolinis tranzistorius, dar vadinamas sandūriniu, yra antrasis tipas. Jį sudaro bazė, emiteris ir kolektorius. Jis valdomas srove, tekančia tarp emiterio ir bazės. Bipoliniai tranzistoriai papildomai skirstomi į n-p-n ir p-n-p modelius.
Kuo pasižymi lauko tranzistorius ir kur jis dažniausiai naudojamas?
MOS-FET tranzistorius (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), priskiriamas lauko, keturių išvadų modeliams, pasižymi didele išėjimo varža ir labai greitu perjungimo laiku. Dėl to jie daugiausia naudojami:
- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose,
- elektromobilių ir hibridinių automobilių įkrovikliuose,
- UPS sistemose,
- variklių pavarose, naudojamose automobilių pramonėje ir pramonėje,
- audio ar telekomunikacijų grandinių stiprintuvuose,
- integrinėse grandinėse, ypač pagrįstose CMOS technologija, naudojama daugumoje mikroprocesorių.
Be to, verta pabrėžti, kad lauko tranzistoriai gali būti naudojami tiek integrinėse grandinėse, paremtose analoginiais, tiek skaitmeniniais signalais.
Kas yra IGBT tranzistoriai ir kur jie naudojami?
IGBT tranzistorius (Insulated Gate Bipolar Transistor), priskiriamas izoliuotų vartų įtaisams, jungia bipolinių ir MOS-FET modelių savybes. Dėl to jie pasižymi lengvu valdymu ir perjungimu. IGBT pritaikytas dirbti su didelės galios apkrovomis – iki kelių šimtų kW. Jis taip pat gali blokuoti aukštas įtampas iki 6,5 kV. Tuo pačiu jo naudojimas užtikrina mažus galios nuostolius. Todėl šio tipo tranzistoriai naudojami, be kita ko:
- keitikliuose, kuriuose nuolatinė įtampa paverčiama kintamąja energetikos sistemoms,
- indukcinėse viryklėse ir įkrovikliuose,
- nepertraukiamo maitinimo šaltiniuose,
- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose,
- pavarų sistemose, naudojamose pramonėje, pvz., elektros varikliuose.
Susiję pranešimai
