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GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F65MT12K tranzistorius | PAMATYKITE | G3F65MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | 35 A | -- | -- | -- | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | PAMATYKITE | G3F20MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC23103 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7-Jun | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Seria ALC 40 wyprowadzenia do druku na zatrzaski | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | IPM FULL GATE modulių 6 karta - V1 serija | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | PSH30L92C6-in MOSFET SIC | PAMATYKITE | PSH30L92C6-W | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- |
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Mitsubishi | CMH400HC6-24NFM MOSFET SIC. | PAMATYKITE | CMH400HC6-24NFM | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 1in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 400 V | -- | -- |
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Mitsubishi | 7 IGBT modulių karta | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK10DGDL12T7ete1s septyni pakuotė | PAMATYKITE | SK10DGDL12T7ETE1s | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skim429GD17E4v5 šeši pakuotė | PAMATYKITE | SKiM429GD17E4V5 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1700 V | 420 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC7020 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F65MT12J tranzistorius | PAMATYKITE | G3F65MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | 26 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | PAMATYKITE | G3F20MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |||
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Mitsubishi | Aukštos įtampos diodų moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Greiti IGBT moduliai - serija NFH | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | IPM modulių 5 karta - FULL GATE CSTBT serija (L1 ir S1 versijos) | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Starpower | GD225HFY120C6S IGBT. | PAMATYKITE | GD225HFY120C6S | Galimas kiekis | -- | C6.1 Black | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Cmh600du-24nfh mosfet sic | PAMATYKITE | CMH600DU-24NFH | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 600 V | -- | -- |
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SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-tiltas | PAMATYKITE | SK225GH07H5TD1E2 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D | PAMATYKITE | G3F45MT06D | Galimas kiekis | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | |
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GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F34MT12K tranzistorius | PAMATYKITE | G3F34MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | 63 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | ||
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | PAMATYKITE | G3F60MT06K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | ||
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC23104 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 4 kartos DIP IPM moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide semiconductors.
We are ready to provide you with a wholesale quantity of the products you are looking for. Regardless of whether you order single product from the transistors category or buy them in bulk quantities, we offer a comprehensive delivery of all products.
To meet the highest quality of service, we offer our clients only products from reliable suppliers and manufacturers. Our team of engineers, at every stage, serves their knowledge and advice so as to be able to provide customers with information on the maintenance and use of purchased products
The products DACPOL offers from the group of electronic components, power supply and connectors is much larger and includes various types of electrical and industrial items from the category of transistors. On our website you can familiarize yourself with the full range of products from the group of electronic components, power supply and connectors.
Field effect transistor
We offer two types of field effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.
MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
They are available in the current range from 1.1A to 250A and voltages from 12V to 900V. The MOS-FET transistors are manufactured in the following types of enclosures: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
They are available in electro-insulated enclosures as single transistors, two-bridge modules (half-bridge), six-element modules (full bridge), seven-element modules (full bridge with transistor). Typical enclosures are: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, and SD4.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protections.