Jūs turite būti prisijungę
Kategorijos
- Tranzistoriai | GeneSiC
- SiC MOSFET moduliai | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduliai | STARPOWER
- „ABB SiC MOSFET“ moduliai
- IGBT moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | MITSUBISHI
- MOSFET moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | ABB
- IGBT moduliai POWEREX
- IGBT moduliai INFINEON (EUPEC)
- Silicio karbido puslaidininkiniai elementai
- Tranzistorių moduliai | DYNEX
- MOSFET tranzistoriai | VISHAY (IR)
- SiC MOSFET moduliai | POWEREX
- IGBT moduliai | Semikron
- MOSFET ir IGBT tvarkyklės | Semikron
- MOSFET moduliai | Microsemi
- IGBT tranzistoriai | VISHAY (IR)
- Tarpower IGBT moduliai
- EPC Gan tranzistoriai
Paveikslėlis | Peržiūrėti produkt | Gamintojo nr. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf | SEMIKRON | SKM500GB17E4 Pusė tilto | PAMATYKITE | SKM500GB17E4 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 500 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
-- | GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | PAMATYKITE | G3F45MT06D | Galimas kiekis | TO-247-3 | -- | -- | -- | 650 V | 52 A | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | |
picture_as_pdf | EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC7003 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | |
picture_as_pdf | Mitsubishi | IGBT moduliai - DIP-C.I.B serija/C.I.B. serija | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Infineon | PIM integruoti galios moduliai PIM | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Mitsubishi | FMF750DC-66A MOSFET SIC | PAMATYKITE | FMF750DC-66A | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | 750 V | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Mitsubishi | Cm300du-24nfh mosfet sic | PAMATYKITE | CMH300DU-24NFH | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
-- | GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | PAMATYKITE | G3F60MT06J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | 650 V | 46 A | -- | -- | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||
picture_as_pdf | Vishay | VISHAY (IR) įmonės IGBT tranzistoriai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
-- | Mitsubishi | Tranzistoriniai moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Mitsubishi | GBT modulių 3 karta - U serija | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Infineon | Aukštos galios IGBT moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Mitsubishi | Cm200du-24nfh mosfet sic | PAMATYKITE | CMH200DU-24NFH | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | 200 V | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | SEMIKRON | SK25TMLID12F4TE2 3 lygis | PAMATYKITE | SK25TMLID12F4TE2 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | SEMIKRON | Skip 11ac12t7v1 šeši paketai | PAMATYKITE | SKiiP11AC12T7V1 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | SEMIKRON | SK50DGDL12T7ete2s septyni pakuotė | PAMATYKITE | SK50DGDL12T7ETE2s | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC7020 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | |
picture_as_pdf | EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC7014 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 340 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | |
picture_as_pdf | Mitsubishi | IGBT modulių 3 karta - serija H | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | Mitsubishi | Cmh150dy-24nfh mosfet sic | PAMATYKITE | CMH150DY-24NFH | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | 150 V | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | SEMIKRON | SK30DGDL07E3ete1 Septyni pakuotė | PAMATYKITE | SK30DGDL07E3ETE1 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf | GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K MOSFET SiC | PAMATYKITE | G3R12MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | 1200 V | 155 A | -- | -- | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | ||
-- | GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | PAMATYKITE | G3F60MT06D | Galimas kiekis | TO-247-3 | -- | -- | -- | 650 V | 42 A | -- | -- | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||
picture_as_pdf | SEMIKRON | SK 120 GAL 12F4 t Vienas jungiklis | PAMATYKITE | SK120GAL12F4T | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1200 V | 120 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide semiconductors.
We are ready to provide you with a wholesale quantity of the products you are looking for. Regardless of whether you order single product from the transistors category or buy them in bulk quantities, we offer a comprehensive delivery of all products.
To meet the highest quality of service, we offer our clients only products from reliable suppliers and manufacturers. Our team of engineers, at every stage, serves their knowledge and advice so as to be able to provide customers with information on the maintenance and use of purchased products
The products DACPOL offers from the group of electronic components, power supply and connectors is much larger and includes various types of electrical and industrial items from the category of transistors. On our website you can familiarize yourself with the full range of products from the group of electronic components, power supply and connectors.
Field effect transistor
We offer two types of field effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.
MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
They are available in the current range from 1.1A to 250A and voltages from 12V to 900V. The MOS-FET transistors are manufactured in the following types of enclosures: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
They are available in electro-insulated enclosures as single transistors, two-bridge modules (half-bridge), six-element modules (full bridge), seven-element modules (full bridge with transistor). Typical enclosures are: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, and SD4.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protections.