Jūs turite būti prisijungę
Tranzistoriai
Kategorijos
- Tranzistoriai | GeneSiC
- SiC MOSFET moduliai | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduliai | STARPOWER
- „ABB SiC MOSFET“ moduliai
- IGBT moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | MITSUBISHI
- MOSFET moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | ABB
- IGBT moduliai POWEREX
- IGBT moduliai INFINEON (EUPEC)
- Silicio karbido puslaidininkiniai elementai
- Tranzistorių moduliai | DYNEX
- MOSFET tranzistoriai | VISHAY (IR)
- SiC MOSFET moduliai | POWEREX
- IGBT moduliai | Semikron
- MOSFET ir IGBT tvarkyklės | Semikron
- MOSFET moduliai | Microsemi
- IGBT tranzistoriai | VISHAY (IR)
- Tarpower IGBT moduliai
- EPC Gan tranzistoriai
Paveikslėlis | Peržiūrėti produkt | Gamintojo nr. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK 30 DGDL 066 ir IGBT modulis | PAMATYKITE | SK30DGDL066ET | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 600 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SEMIX223GB17E4P Pusė tilto | PAMATYKITE | SEMiX223GB17E4p | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J | PAMATYKITE | G3F33MT06J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | ||||
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | PAMATYKITE | G3F20MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |||
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F60MT06L tranzistorius | PAMATYKITE | G3F60MT06L | Galimas kiekis | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IGBT tranzistoriai iš VISHAY (IR) | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Wysokonapięciowe moduły IGBT | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Infineon | Modułai IGBT serijos EconoPACK+ | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | PMF75CGA120 MOSFET SIC. | PAMATYKITE | PMF75CGA120 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 75 V | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
ABB | ABB SiC MOSFET moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Psh20l91a6-a mosfet sic | PAMATYKITE | PSH20L91A6-A | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Two-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 20Arms V | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
Starpower | Starpower sic mosfet moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC | PAMATYKITE | G3F09MT12GB4 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC7019 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1-May | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K | PAMATYKITE | G3F25MT06K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | 100 A | -- | -- | -- | 71 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | ||
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F45MT06L tranzistorius | PAMATYKITE | G3F45MT06L | Galimas kiekis | -- | -- | -- | 61 A | -- | -- | -- | 43 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC23104 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | Dipipm TM 600V ir 1200V | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | MDIP ir MINI - DIP IPM | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Infineon | IGBT moduliai serijos EASY PIM | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K MOSFET SIC. | PAMATYKITE | G3R60MT07K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Cm300du-24nfh mosfet sic | PAMATYKITE | CMH300DU-24NFH | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
DYNEX POWER | Transistoro moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-tiltas | PAMATYKITE | SK225GH07H5TD1E2 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo
Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių tiekėjas. Mūsų klientai gali pasitikėti mūsų tiekiamų produktų ir paslaugų kokybe, nepriklausomai nuo to, ar jie perka MOSFET modulius, nuolatinės srovės diodus ar silicio karbido puslaidininkinius elementus.
Esame pasiruošę tiekti didelius užsakymus nesvarbu, ar užsakote atskirus tranzistorius, ar perkate dideliais kiekiais, siūlome visapusišką visų produktų tiekimą.
Dėl aukščiausios aptarnavimo kokybės siūlome savo klientams tik patikrintų tiekėjų ir gamintojų produktus. Mūsų inžinierių komanda kiekviename etape teikia savo žinias ir patarimus, kad galėtume užtikrinti klientams informaciją apie įsigytų produktų priežiūrą ir naudojimą.
Dacpol pasiūla elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių grupėje yra daug platesnė ir apima įvairias elektrines ir pramonines prekes tranzistorių kategorijoje. Mūsų svetainėje galite susipažinti su visa elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių prekių pasiūla.
Poliniai tranzistoriai iš DACPOL
Siūlome du polinių tranzistorių tipus: MOS-FET ir IGBT tranzistorius.
MOS-FET tranzistoriai
MOS-FET tranzistoriai puikiai veikia lygiagrečiuose sujungimuose. Juos galima jungti lygiagrečiai net keliomis dešimtimis vienetų. Juos lengva valdyti ir nereikia koreguoti srovės paskirstymo tarp jų.
Prieinami srovės diapazone nuo 1,1A iki 250A ir įtampose nuo 12V iki 900V. MOS-FET tranzistoriai gaminami tokiuose korpusuose: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzistoriai
IGBT tranzistoriai pasižymi mažu laidumo įtampos kritimu (nuo 2,15 iki 5,2V) prie didelių srovių (nuo 10 iki 3600A), gebėjimu blokuoti aukštas įtampas (nuo 250 iki 6500V), valdymu per izoliuotą vartą ir dideliu jungimo greičiu. Gaminami kaip standartiniai moduliai, aukštos dažnio moduliai, aukštos įtampos moduliai bei išmanieji aukštos įtampos moduliai. Taip pat siūlomi aukštos įtampos diodiniai moduliai bendradarbiavimui su IGBT tranzistoriais.
Aukšta siūlomų produktų kokybė
Prieinami elektroizoliuotuose korpusuose kaip atskirų tranzistorių, dviejų tranzistorių modulių (pustilčių), šešių elementų modulių (pilnų tiltų), septynių elementų modulių (pilnų tiltų su tranzistoriumi) forma. Tipiški korpusai: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT tranzistoriai, gaminami išmaniųjų modulių pavidalu, turi ne tik tranzistorius, bet ir valdymo bei apsaugos nuo trumpojo jungimo ir viršįtampių sistemas.
Taip pat peržiūrėkite mūsų produktus iš kategorijos lyginamieji tilteliai!
Kas yra tranzistoriai ir kokie jų pagrindiniai tipai?
Tranzistoriai yra puslaidininkiniai elektroniniai elementai su trimis elektrodais, kurie pirmiausia skirtos signalo stiprinimui didinant jo amplitudę. Be to, jie gali kontroliuoti elektros srovės srautą grandinėse – veikti kaip jungikliai. Jie gaminami iš puslaidininkinių medžiagų, tokių kaip silicis ar germanis. Tranzistorius buvo pirmą kartą sukurtas 1948 metais J. Bardeen ir W. H. Brattain. Jų kūrėjai kartu su W. B. Shockley – bipolinio modelio kūrėju – 1956 metais už jį gavo Nobelio premiją.
Puslaidininkiniai, trijų elektrodų elektroniniai elementai skirstomi į du pagrindinius tipus. Pirmieji – poliniai tranzistoriai, dar vadinami unipoliniais, kuriuos valdo įtampa. Jie sudaryti iš vartų, prie kurių pritaikius įtampą susidaro elektromagnetinis laukas, keičiantis varžą tarp nutekėjimo ir šaltinio, t. y. signalo išeigos vietos.
Bipolinis tranzistorius, dar vadinamas jungtiniu, yra kitas jų tipas. Sudarytas iš bazės, emiterio ir kolektoriaus. Valdomas srove, tekančia tarp emiterio ir bazės. Bipoliniai tranzistoriai dar skirstomi į n-p-n ir p-n-p modelius.
Kaip pasižymi polinis tranzistorius ir kur jis dažniausiai naudojamas?
MOS-FET tranzistorius (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), priskiriamas poliniams, keturių kontaktų modeliams, pasižymi dideliu išėjimo varžumu ir labai greitu perjungimo laiku. Dėl šių savybių jie daugiausia naudojami:
- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose, kur užtikrina efektyvų ir veiksmingą tinklo valdymą,
- elektrinių ir hibridinių transporto priemonių įkrovikliuose,
- nepertraukiamo maitinimo šaltiniuose (UPS),
- variklių pavarose, naudojamuose automobilių pramonėje ir pramonėje,
- garso arba telekomunikacijų stiprintuvuose,
- integriniuose grandynuose, ypač pagrįstuose CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technologija, kuri šiandien naudojama daugumoje mikroprocesorių.
Taip pat svarbu paminėti, kad poliniai tranzistoriai gali būti naudojami tiek analoginių, tiek skaitmeninių signalų pagrindu veikiančiuose integriniuose grandynuose.
Kas yra IGBT tranzistoriai ir kam jie naudojami?
IGBT tranzistorius (Insulated Gate Bipolar Transistor), priskiriamas izoliuotų vartų įrenginių grupei, jungia bipolinio ir MOS-FET modelių savybes. Dėl to jis pasižymi lengvu valdymu ir perjungimu. IGBT tranzistorius pritaikytas dirbti su didelėmis apkrovomis, kurios gali siekti kelis šimtus kW. Jis taip pat geba blokuoti aukštas įtampas iki 6 kV. Tuo pačiu jo naudojimas užtikrina mažus galios nuostolius. Dėl šių savybių šis tranzistorius gali būti naudojamas, pavyzdžiui:
- keitikliuose, kuriuose nuolatinė įtampa paverčiama kintamąja energijos sistemoms,
- indukciniuose viryklių ir įkroviklių įrenginiuose,
- avarinio maitinimo šaltiniuose,
- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose,
- pramoniniuose pavarų sistemose, tokiuose kaip elektros varikliai.