Jūs turite būti prisijungę
-
-
-
Category
-
Puslaidininkiai
- Diodai
- Tiristoriai
-
Elektroizoliuoti moduliai
- Elektrai izoliuoti moduliai | VISHAY (IR)
- Elektrai izoliuoti moduliai | INFINEON (EUPEC)
- Elektrai izoliuoti moduliai | Semikronas
- Elektrai izoliuoti moduliai | POWEREX
- Elektrai izoliuoti moduliai | IXYS
- Elektrai izoliuoti moduliai | POSEICO
- Elektrai izoliuoti moduliai | ABB
- Elektrai izoliuoti moduliai | TECHSEM
- Eikite į subkategoriją
- Lygintuviniai tilteliai
-
Tranzistoriai
- Tranzistoriai | GeneSiC
- SiC MOSFET moduliai | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduliai | STARPOWER
- „ABB SiC MOSFET“ moduliai
- IGBT moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | MITSUBISHI
- MOSFET moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | ABB
- IGBT moduliai POWEREX
- IGBT moduliai INFINEON (EUPEC)
- Silicio karbido puslaidininkiniai elementai
- Eikite į subkategoriją
- Valdikliai
- Galios blokai
- Eikite į subkategoriją
- Elektrinių dydžių keitikliai
-
Pasyvūs komponentai (kondensatoriai, rezistoriai, saugikliai, filtrai)
- Rezistoriai
-
Saugikliai
- ABC ir AGC serijos miniatiūriniai saugikliai elektronikai
- Greitaeigiai cilindriniai saugikliai
- Uždelsimo elementai su GL/GG ir AM charakteristikomis
- Ultragreiti intarpai - saugikliai
- Didžiosios Britanijos ir JAV standartų greitaeigiai saugikliai
- Europos standarto greitaeigiai saugikliai
- Saugikliai geležinkeliui
- Aukštos įtampos saugikliai
- Eikite į subkategoriją
-
Kondensatoriai
- Kondensatoriai varikliams
- Elektrolitiniai kondensatoriai
- Snubbers tipo kondensatoriai
- Galios kondensatoriai
- Kondensatoriai DC grandinėms
- Kondensatoriai galios kompensavimui
- Aukštos įtampos kondensatoriai
- Kondensatoriai indukciniam kaitinimui
- Impulsiniai ir energijos kaupimo kondensatoriai
- DC LINK kondensatoriai
- AC / DC grandinių kondensatoriai
- Eikite į subkategoriją
- Slopinimo tinklo filtrai
- Superkondensatoriai
- Apsauga nuo viršįtampių
- TEMPEST spindulių aptikimo filtrai
- Eikite į subkategoriją
-
Relės ir kontaktoriai
- Relių ir kontaktorių teorija
- Trijų fazių puslaidininkinės AC relės
- Puslaidininkinės DC relės
- Reguliatoriai, valdikliai ir jų priedai
- Soft starteriai (minkšto paleidimo įrenginiai) bei reversiniai kontaktoriai
- Elektromechaninės relės
- Kontaktoriai
- Rotaciniai jungikliai
-
Vienos fazės puslaidininkinės AC relės
- AC vienfazės puslaidininkinės relės 1 | D2425 | D2450 serijų
- AC vienfazės puslaidininkinės relės CWA ir CWD serijų
- AC vienfazės puslaidininkinės relės CMRA ir CMRD serijų
- AC vienfazės puslaidininkinės relės PS serijos
- AC puslaidininkinės dvigubos ir keturgubos relės D24 D, TD24 Q, H12D48 D serijų
- Vienfazės puslaidininkinės relės gn serijos
- AC vienfazės puslaidininkinės relės CKR serijos
- AC vienfazės relės DIN bėgiams ERDA ir ERAA serijų
- Vienfazės kintamosios srovės relės, skirtos 150A srovei
- Dvigubos kietojo kūno relės, integruotos su radiatoriumi DIN bėgiui
- Eikite į subkategoriją
- Vienos fazės puslaidininkinės AC relės spausdinimo plokštėms
- Interfejsų relės
- Eikite į subkategoriją
- Indukciniai elementai
- Radiatoriai, varistoriai, termo apsauga
- Ventiliatoriai
- Kondicioneriai, elektros spintų aksesuarai, aušintuvai
-
Baterijos, įkrovikliai, buferiniai maitinimo šaltiniai ir keitikliai
- Baterijos, įkrovikliai - teorinis aprašymas
- Ličio jonų baterijos. Individualios baterijos. Baterijų valdymo sistema (BMS)
-
Akumuliatoriai
- Panasonic įmonės akumuliatoriai
- SSB įmonės akumuliatoriai
- Sonnenschein Dryfit įmonės akumuliatoriai
- MK Battery įmonės geliniai akumuliatoriai
- FIAMM įmonės akumuliatoriai
- Victron Energy akumuliatoriai
- „Victron Energy LiFePO4“ akumuliatoriai
- „Dyno“ baterijos
- APC UPS RBC akumuliatorių paketai
- Eikite į subkategoriją
- Akumuliatorių įkrovikliai ir priedai
- UPS atsarginis maitinimo šaltinis ir buferiniai maitinimo šaltiniai
- Fotoelektros keitikliai ir priedai
- Energijos kaupimas
- Kuro elementai
- Ląstelės litio-joninės
- Eikite į subkategoriją
-
Automatikos komponentai
- Futaba Drone Parts
- Galiniai jungikliai, mikrojungikliai
- Jutikliai, keitikliai
- Pirometrai
- Skaitikliai, laiko relės, paneliniai matuokliai
- Pramoniniai apsaugos įrenginiai
- Šviesos ir garso signalizacija
- Terminio vaizdo kamera
- LED švieslentės
- Valdymo aparatūra - mygtukai ir jungikliai
- Eikite į subkategoriją
-
Laidai, pynės, laidų apsauginės žarnos, lankstūs sujungimai
- Laidai
- Daugiagisliai laidai
-
Kabeliai ekstremalioms sąlygoms
- Kompensaciniai ir prailginimo kabeliai
- Laidai termoporoms
- PT jutikliams prijungimo laidai
- Daugiagysliai laidai temp. -60C iki +1400C
- Vidutinės įtampos kabeliai
- Uždegimo laidai
- Šildymo laidai
- Viengysliai laidai temp. -60C iki +450C
- Geležinkelio kabeliai
- Šildymo kabeliai Ex zonoms
- Eikite į subkategoriją
- Apsaugos vamzdeliai
-
Pintinės
- Plokščios pintinės
- Apvalios pintinės
- Plokščios labai elastingos pintinės
- Apvalios labai elastingos pintinės
- Cilindro formos vario pintinės
- Vario cilindrinės pintinės su apsauga
- Elastingos įžeminimo juostos
- Cinkuoto ir nerūdijančio plieno cilindrinės pintinės
- PCV izoliuotos vario pintinės - temperatūra iki 85 C
- Plokščios aliuminio pintinės
- Sujungimo komplektas - pintinės ir vamzdeliai
- Eikite į subkategoriją
- Aksesuarai geležinkeliams
- Kabelių antgaliai
- Lanksčios izoliuotos šynos
- Daugiasluoksnės lanksčios šynos
- Laidų pravedimo sistemos (PESZLE)
- Eikite į subkategoriją
- Žiūrėti visas kategorijas
-
Puslaidininkiai
-
-
Tranzistoriai
Kategorijos
- Tranzistoriai | GeneSiC
- SiC MOSFET moduliai | Mitsubishi
- SiC MOSFET moduliai | STARPOWER
- „ABB SiC MOSFET“ moduliai
- IGBT moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | MITSUBISHI
- MOSFET moduliai | MITSUBISHI
- Tranzistorių moduliai | ABB
- IGBT moduliai POWEREX
- IGBT moduliai INFINEON (EUPEC)
- Silicio karbido puslaidininkiniai elementai
- Tranzistorių moduliai | DYNEX
- MOSFET tranzistoriai – įmonės VISHAY (IR)
- SiC MOSFET moduliai | POWEREX
- IGBT moduliai | Semikron
- MOSFET ir IGBT tvarkyklės | Semikron
- MOSFET moduliai | Microsemi
- IGBT tranzistoriai | VISHAY (IR)
- Tarpower IGBT moduliai
- EPC Gan tranzistoriai
| Paveikslėlis | Peržiūrėti produkt | Gamintojo nr. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK 120 GAL 12F4 t Vienas jungiklis | PAMATYKITE | SK120GAL12F4T | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1200 V | 120 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK50GD12T4ete2 šeši pakuotė | PAMATYKITE | SK50GD12T4ETE2 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K MOSFET SiC | PAMATYKITE | G3R12MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | 155 A | -- | -- | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F18MT12K tranzistorius | PAMATYKITE | G3F18MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J | PAMATYKITE | G3F45MT06J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G3F25MT12U | PAMATYKITE | G3F25MT12U | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC23103 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7-Jun | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM75GB17E4 pusė tilto | PAMATYKITE | SKM75GB17E4 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
POWEREX | Dvigubas IGBT modulis HVIGBT QID3320004 | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 3 kartos DIP ir MINI DIP IPM moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Greiti IGBT moduliai - serija NFH | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | IPM FULL GATE modulių 6 karta - V1 serija | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PMF75CGA120 MOSFET SIC. | PAMATYKITE | PMF75CGA120 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 75 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Cmh600du-24nfh mosfet sic | PAMATYKITE | CMH600DU-24NFH | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 600 V | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PSF20L91A6-a mosfet sic | PAMATYKITE | PSF20L91A6-A | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Two-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 20Arms V | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
Starpower | Starpower sic mosfet moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC7019 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1-May | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SEMIX223GB17E4P Pusė tilto | PAMATYKITE | SEMiX223GB17E4p | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F18MT12J tranzistorius | PAMATYKITE | G3F18MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |||
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D | PAMATYKITE | G3F45MT06D | Galimas kiekis | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G3F45MT06U | PAMATYKITE | G3F45MT06U | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 tranzistorius | PAMATYKITE | EPC7003 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Silicio karbido moduliai - Powerex ir Mitsubishi | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4 kartos DIP IPM moduliai | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistoriai iš patikimo tiekėjo
Dacpol yra patyręs tranzistorių kategorijos reikalingų prekių tiekėjas. Mūsų klientai gali pasitikėti mūsų tiekiamų produktų ir paslaugų kokybe, nepriklausomai nuo to, ar jie perka MOSFET modulius, nuolatinės srovės diodus ar silicio karbido puslaidininkinius elementus.
Esame pasiruošę tiekti didelius užsakymus nesvarbu, ar užsakote atskirus tranzistorius, ar perkate dideliais kiekiais, siūlome visapusišką visų produktų tiekimą.
Dėl aukščiausios aptarnavimo kokybės siūlome savo klientams tik patikrintų tiekėjų ir gamintojų produktus. Mūsų inžinierių komanda kiekviename etape teikia savo žinias ir patarimus, kad galėtume užtikrinti klientams informaciją apie įsigytų produktų priežiūrą ir naudojimą.
Dacpol pasiūla elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių grupėje yra daug platesnė ir apima įvairias elektrines ir pramonines prekes tranzistorių kategorijoje. Mūsų svetainėje galite susipažinti su visa elektroninių komponentų, maitinimo šaltinių ir jungčių prekių pasiūla.
Poliniai tranzistoriai iš DACPOL
Siūlome du polinių tranzistorių tipus: MOS-FET ir IGBT tranzistorius.
MOS-FET tranzistoriai
MOS-FET tranzistoriai puikiai veikia lygiagrečiuose sujungimuose. Juos galima jungti lygiagrečiai net keliomis dešimtimis vienetų. Juos lengva valdyti ir nereikia koreguoti srovės paskirstymo tarp jų.
Prieinami srovės diapazone nuo 1,1A iki 250A ir įtampose nuo 12V iki 900V. MOS-FET tranzistoriai gaminami tokiuose korpusuose: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT tranzistoriai
IGBT tranzistoriai pasižymi mažu laidumo įtampos kritimu (nuo 2,15 iki 5,2V) prie didelių srovių (nuo 10 iki 3600A), gebėjimu blokuoti aukštas įtampas (nuo 250 iki 6500V), valdymu per izoliuotą vartą ir dideliu jungimo greičiu. Gaminami kaip standartiniai moduliai, aukštos dažnio moduliai, aukštos įtampos moduliai bei išmanieji aukštos įtampos moduliai. Taip pat siūlomi aukštos įtampos diodiniai moduliai bendradarbiavimui su IGBT tranzistoriais.
Aukšta siūlomų produktų kokybė
Prieinami elektroizoliuotuose korpusuose kaip atskirų tranzistorių, dviejų tranzistorių modulių (pustilčių), šešių elementų modulių (pilnų tiltų), septynių elementų modulių (pilnų tiltų su tranzistoriumi) forma. Tipiški korpusai: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
IGBT tranzistoriai, gaminami išmaniųjų modulių pavidalu, turi ne tik tranzistorius, bet ir valdymo bei apsaugos nuo trumpojo jungimo ir viršįtampių sistemas.
Taip pat peržiūrėkite mūsų produktus iš kategorijos lyginamieji tilteliai!
Kas yra tranzistoriai ir kokie jų pagrindiniai tipai?
Tranzistoriai yra puslaidininkiniai elektroniniai elementai su trimis elektrodais, kurie pirmiausia skirtos signalo stiprinimui didinant jo amplitudę. Be to, jie gali kontroliuoti elektros srovės srautą grandinėse – veikti kaip jungikliai. Jie gaminami iš puslaidininkinių medžiagų, tokių kaip silicis ar germanis. Tranzistorius buvo pirmą kartą sukurtas 1948 metais J. Bardeen ir W. H. Brattain. Jų kūrėjai kartu su W. B. Shockley – bipolinio modelio kūrėju – 1956 metais už jį gavo Nobelio premiją.
Puslaidininkiniai, trijų elektrodų elektroniniai elementai skirstomi į du pagrindinius tipus. Pirmieji – poliniai tranzistoriai, dar vadinami unipoliniais, kuriuos valdo įtampa. Jie sudaryti iš vartų, prie kurių pritaikius įtampą susidaro elektromagnetinis laukas, keičiantis varžą tarp nutekėjimo ir šaltinio, t. y. signalo išeigos vietos.
Bipolinis tranzistorius, dar vadinamas jungtiniu, yra kitas jų tipas. Sudarytas iš bazės, emiterio ir kolektoriaus. Valdomas srove, tekančia tarp emiterio ir bazės. Bipoliniai tranzistoriai dar skirstomi į n-p-n ir p-n-p modelius.
Kaip pasižymi polinis tranzistorius ir kur jis dažniausiai naudojamas?
MOS-FET tranzistorius (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), priskiriamas poliniams, keturių kontaktų modeliams, pasižymi dideliu išėjimo varžumu ir labai greitu perjungimo laiku. Dėl šių savybių jie daugiausia naudojami:
- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose, kur užtikrina efektyvų ir veiksmingą tinklo valdymą,
- elektrinių ir hibridinių transporto priemonių įkrovikliuose,
- nepertraukiamo maitinimo šaltiniuose (UPS),
- variklių pavarose, naudojamuose automobilių pramonėje ir pramonėje,
- garso arba telekomunikacijų stiprintuvuose,
- integriniuose grandynuose, ypač pagrįstuose CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technologija, kuri šiandien naudojama daugumoje mikroprocesorių.
Taip pat svarbu paminėti, kad poliniai tranzistoriai gali būti naudojami tiek analoginių, tiek skaitmeninių signalų pagrindu veikiančiuose integriniuose grandynuose.
Kas yra IGBT tranzistoriai ir kam jie naudojami?
IGBT tranzistorius (Insulated Gate Bipolar Transistor), priskiriamas izoliuotų vartų įrenginių grupei, jungia bipolinio ir MOS-FET modelių savybes. Dėl to jis pasižymi lengvu valdymu ir perjungimu. IGBT tranzistorius pritaikytas dirbti su didelėmis apkrovomis, kurios gali siekti kelis šimtus kW. Jis taip pat geba blokuoti aukštas įtampas iki 6 kV. Tuo pačiu jo naudojimas užtikrina mažus galios nuostolius. Dėl šių savybių šis tranzistorius gali būti naudojamas, pavyzdžiui:
- keitikliuose, kuriuose nuolatinė įtampa paverčiama kintamąja energijos sistemoms,
- indukciniuose viryklių ir įkroviklių įrenginiuose,
- avarinio maitinimo šaltiniuose,
- impulsiniuose maitinimo šaltiniuose,
- pramoniniuose pavarų sistemose, tokiuose kaip elektros varikliai.
Susiję pranešimai
