Tranzistoriai | GeneSiC

GeneSiC SiC MOSFET tranzistoriai užtikrina puikų laidumą ir perjungimo našumą, palyginti su siliciu (Si), dėl savo „plataus uždraustojo tarpo“ charakteristikų ir didelio elektrinio lauko stiprio.

GeneSiC patentuota

GeneSiC SiC MOSFET tranzistoriai užtikrina puikų laidumą ir perjungimo našumą, palyginti su siliciu (Si),...

Skaityk daugiau

Kategorijos

Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Korpuso tipas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
RDS(ON) kai VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) kai VGS = 15 V
more... less
UDS įtampa
more... less
more... less
more... less
Filter
Parsisiųsk Produktų sąrašą
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
descasc
Produkto pavadinimas
descasc
 Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
descasc
Korpuso tipas
descasc
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
descasc
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
descasc
RDS(ON) kai VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) kai VGS = 15 V
descasc
UDS įtampa
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F135MT12J tranzistorius PAMATYKITE G3F135MT12J Galimas kiekis TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K PAMATYKITE G3F20MT12K Galimas kiekis TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J PAMATYKITE G3F20MT12J Galimas kiekis TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K PAMATYKITE G3F60MT06K Galimas kiekis TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J PAMATYKITE G3F60MT06J Galimas kiekis TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D PAMATYKITE G3F60MT06D Galimas kiekis TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J PAMATYKITE G3F45MT06J Galimas kiekis TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D PAMATYKITE G3F45MT06D Galimas kiekis TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K PAMATYKITE G3F33MT06K Galimas kiekis TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J PAMATYKITE G3F33MT06J Galimas kiekis TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K PAMATYKITE G3F25MT06K Galimas kiekis TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J PAMATYKITE G3F25MT06J Galimas kiekis TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC PAMATYKITE G3R12MT12K Galimas kiekis TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J PAMATYKITE G3F40MT12J Galimas kiekis TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K PAMATYKITE G3F40MT12K Galimas kiekis TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J PAMATYKITE G3F75MT12J Galimas kiekis TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12K tranzistorius PAMATYKITE G3F65MT12K Galimas kiekis TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12J tranzistorius PAMATYKITE G3F65MT12J Galimas kiekis TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12K tranzistorius PAMATYKITE G3F34MT12K Galimas kiekis TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12J tranzistorius PAMATYKITE G3F34MT12J Galimas kiekis TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12J tranzistorius PAMATYKITE G3F25MT12J Galimas kiekis TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12K tranzistorius PAMATYKITE G3F25MT12K Galimas kiekis TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F18MT12J tranzistorius PAMATYKITE G3F18MT12J Galimas kiekis TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F60MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F60MT06L tranzistorius PAMATYKITE G3F60MT06L Galimas kiekis 48 A 34 A -- -- 650 V
Rezultatai puslapyje:
Atgal į viršų

GeneSiC SiC MOSFET tranzistoriai užtikrina puikų laidumą ir perjungimo našumą, palyginti su siliciu (Si), dėl savo „plataus uždraustojo tarpo“ charakteristikų ir didelio elektrinio lauko stiprio.

GeneSiC patentuota Trench-Assisted Planar technologija užtikrina mažiausią RDS(ON) koeficientą aukštose temperatūrose ir mažiausius energijos nuostolius dideliais greičiais. Tai leidžia pasiekti precedento neturintį, pramonės lyderio lygio našumą, patikimumą ir kokybę.

Kviečiame susipažinti su plačiausiu 650 V – 6,5 kV SiC MOSFET tranzistorių asortimentu.