Nuotraukos yra skirtos tik informaciniams tikslams. Peržiūrėkite produkto specifikaciją

please use latin characters

G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F33MT06J
  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V -
  • UDS įtampa 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding

Atsiųskite užklausą

Ar Jūs domina šis produktas? Ar Jums reikia papildomos informacijos ar individualaus pasiūlymo?

Susisiekite su mumis
KLAUSKITE PRODUKTO close
Pranešimas sėkmingai išsiųstas.
KLAUSKITE PRODUKTO close
Naršyti

Pridėti į norų sąrašą

tu turi būti prisijungęs

  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V -
  • UDS įtampa 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding