G3R12MT12K MOSFET SiC
  • G3R12MT12K MOSFET SiC

Nuotraukos yra skirtos tik informaciniams tikslams. Peržiūrėkite produkto specifikaciją

please use latin characters

Gamintojas: GeneSiC Semiconductor

G3R12MT12K MOSFET SiC

  • G3R12MT12K
  • Korpuso tipas TO-247-4
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 155 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V 12 mΩ
  • UDS įtampa 1200 V

The "G3R12MT12K" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau

Atsiųskite užklausą

Ar Jūs domina šis produktas? Ar Jums reikia papildomos informacijos ar individualaus pasiūlymo?

Susisiekite su mumis
KLAUSKITE PRODUKTO close
Dėkojame, kad atsiuntėte žinutę. Atsakysime kuo greičiau.
KLAUSKITE PRODUKTO close
Naršyti
atsiųsti paklausimą

Pridėti į norų sąrašą

tu turi būti prisijungęs

  • Korpuso tipas TO-247-4
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 155 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V 12 mΩ
  • UDS įtampa 1200 V

The "G3R12MT12K" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau

Straipsniai

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Paskelbta: žinios, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentarai (0)