G2R1000MT17J MOSFET SIC.
  • G2R1000MT17J MOSFET SIC.

Nuotraukos yra skirtos tik informaciniams tikslams. Peržiūrėkite produkto specifikaciją

please use latin characters

Gamintojas: GeneSiC Semiconductor

G2R1000MT17J MOSFET SIC.

  • G2R1000MT17J
  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 5 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V -
  • UDS įtampa 1700 V
Nauja

The "G2R1000MT17J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau
19,68 PLN
19,68 PLN Bendroji kaina / vnt.
16,00 PLN Grynoji kaina / vnt.
Su PVM
Prieinamumas: Prieinama kiekis vnt: 900

Kiekio nuolaidos

Kiekis Vieneto nuolaida Jūs sutaupote
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 4,92 PLN 590,40 PLN
KLAUSKITE PRODUKTO close
Dėkojame, kad atsiuntėte žinutę. Atsakysime kuo greičiau.
KLAUSKITE PRODUKTO close
Naršyti
atsiųsti paklausimą

Pridėti į norų sąrašą

tu turi būti prisijungęs

  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 5 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V -
  • UDS įtampa 1700 V
Nauja

The "G2R1000MT17J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau

Straipsniai

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Paskelbta: žinios, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentarai (0)