G2R1000MT3J MOSFET SIC.
  • G2R1000MT3J MOSFET SIC.

Nuotraukos yra skirtos tik informaciniams tikslams. Peržiūrėkite produkto specifikaciją

please use latin characters

Gamintojas: GeneSiC Semiconductor

G2R1000MT3J MOSFET SIC.

  • G2R1000MT33J
  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 5 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V -
  • UDS įtampa 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau
54,70 PLN
54,70 PLN Bendroji kaina / vnt.
44,47 PLN Grynoji kaina / vnt.
Su PVM

Prieinamumas: Atkreipkite dėmesį, kad šio produkto nėra sandėlyje

Galite pateikti išankstinį užsakymą, užregistruoti susidomėjimą produktu spustelėdami mygtuką „Paklausk dėl prieinamumo“.

Šiuo metu nėra sandėlyje
KLAUSKITE PRODUKTO close
Dėkojame, kad atsiuntėte žinutę. Atsakysime kuo greičiau.
KLAUSKITE PRODUKTO close
Naršyti
atsiųsti paklausimą

Pridėti į norų sąrašą

tu turi būti prisijungęs

  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 5 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V -
  • UDS įtampa 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau

Straipsniai

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Paskelbta: žinios, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentarai (0)