G3R350MT12D MOSFET SIC.
  • G3R350MT12D MOSFET SIC.

Nuotraukos yra skirtos tik informaciniams tikslams. Peržiūrėkite produkto specifikaciją

please use latin characters

Gamintojas: GeneSiC Semiconductor

G3R350MT12D MOSFET SIC.

  • G3R350MT12D
  • Korpuso tipas TO-247-3
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 10 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V 350 mΩ
  • UDS įtampa 1200 V

The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau
19,74 PLN
19,74 PLN Bendroji kaina / vnt.
16,05 PLN Grynoji kaina / vnt.
Su PVM

Prieinamumas: Atkreipkite dėmesį, kad šio produkto nėra sandėlyje

Galite pateikti išankstinį užsakymą, užregistruoti susidomėjimą produktu spustelėdami mygtuką „Paklausk dėl prieinamumo“.

Šiuo metu nėra sandėlyje
KLAUSKITE PRODUKTO close
Dėkojame, kad atsiuntėte žinutę. Atsakysime kuo greičiau.
KLAUSKITE PRODUKTO close
Naršyti
atsiųsti paklausimą

Pridėti į norų sąrašą

tu turi būti prisijungęs

  • Korpuso tipas TO-247-3
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 10 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) kai VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) kai VGS = 15 V 350 mΩ
  • UDS įtampa 1200 V

The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
mažiau
Skaityk daugiau

Straipsniai

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Paskelbta: žinios, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentarai (0)