SiC Mosfet G3F65MT12J tranzistorius
  • SiC Mosfet G3F65MT12J tranzistorius

Nuotraukos yra skirtos tik informaciniams tikslams. Peržiūrėkite produkto specifikaciją

please use latin characters

Gamintojas: GeneSiC Semiconductor

SiC Mosfet G3F65MT12J tranzistorius

  • G3F65MT12J
  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 37 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 26 A
  • UDS įtampa 1200 V

Atsiųskite užklausą

Ar Jūs domina šis produktas? Ar Jums reikia papildomos informacijos ar individualaus pasiūlymo?

Susisiekite su mumis
KLAUSKITE PRODUKTO close
Dėkojame, kad atsiuntėte žinutę. Atsakysime kuo greičiau.
KLAUSKITE PRODUKTO close
Naršyti
atsiųsti paklausimą

Pridėti į norų sąrašą

tu turi būti prisijungęs

  • Korpuso tipas TO-263-7
  • Pastovi srovė ID kai Tc=25oC 37 A
  • Pastovi srovė IDkai Tc=100oC 26 A
  • UDS įtampa 1200 V

Straipsniai

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Paskelbta: žinios, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentarai (0)