G2R120MT33J Tranzystor SiC MOSFET
  • G2R120MT33J Tranzystor SiC MOSFET

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: GeneSiC Semiconductor

G2R120MT33J Tranzystor SiC MOSFET

  • G2R120MT33J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 33 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 24 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 120 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 3300 V

Tranzystor MOSFET SiC „G2R120MT33J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar. 

Cechy:

• Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach

• Najniższe straty energii przy dużych prędkościach

• Wytrzymała dioda korpusu

• 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)

• Dłuższa wytrzymałość na zwarcie

• LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

Zastosowania:

• Falowniki solarne

• Ładowanie EV/HEV

• Napędy silnikowe

• Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC

• Zasilacze impulsowe

• UPS

• Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne

• Ogrzewanie indukcyjne i spawanie

Mniej
Czytaj więcej
470,29 PLN
470,29 PLN Cena brutto/szt.
382,35 PLN Cena netto/szt.
Brutto

Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie

Można złożyć zamówienie wstępne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.

Obecnie brak na stanie
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 33 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 24 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 120 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 3300 V

Tranzystor MOSFET SiC „G2R120MT33J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar. 

Cechy:

• Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach

• Najniższe straty energii przy dużych prędkościach

• Wytrzymała dioda korpusu

• 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)

• Dłuższa wytrzymałość na zwarcie

• LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

Zastosowania:

• Falowniki solarne

• Ładowanie EV/HEV

• Napędy silnikowe

• Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC

• Zasilacze impulsowe

• UPS

• Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne

• Ogrzewanie indukcyjne i spawanie

Mniej
Czytaj więcej

Powiązane artykuły

GeneSiC - Diody SiC Merged-PiN Schottky (MPS) ™ GeneSiC - Diody SiC Merged-PiN Schottky (MPS) ™
Opublikowany w: Aktualności, R&D
18-10-2024
Diody Merged-PiN Schottky (MPS) to nowatorska konstrukcja GeneSiC, która łączy najlepsze cechy obu struktur diod PiN...
Czytaj więcej
Komentarze (0)