G3F20MT12J Tranzystor SiC MOSFET
  • G3F20MT12J Tranzystor SiC MOSFET

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: GeneSiC Semiconductor

G3F20MT12J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F20MT12J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 123 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 87 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 20 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 1200 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3F20MT12J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.

Cechy:

• Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach

• Najniższe straty energii przy dużych prędkościach

• Wytrzymała dioda korpusu

• 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)

• Dłuższa wytrzymałość na zwarcie

• LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

Zastosowania:

• Falowniki solarne

• Ładowanie EV/HEV

• Napędy silnikowe

• Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC

• Zasilacze impulsowe

• UPS

• Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne

• Ogrzewanie indukcyjne i spawanie

Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 123 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 87 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 20 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 1200 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3F20MT12J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.

Cechy:

• Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach

• Najniższe straty energii przy dużych prędkościach

• Wytrzymała dioda korpusu

• 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)

• Dłuższa wytrzymałość na zwarcie

• LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

Zastosowania:

• Falowniki solarne

• Ładowanie EV/HEV

• Napędy silnikowe

• Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC

• Zasilacze impulsowe

• UPS

• Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne

• Ogrzewanie indukcyjne i spawanie

Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)