G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET
  • G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 78 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 650 V

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 78 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 650 V
Komentarze (0)