![Tranzystor SiC MOSFET G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET G2R1000MT17J](https://www.dacpol.eu/44013-large_default/tranzystor-sic-mosfet-g2r1000mt17j.jpg)
![Tranzystor SiC MOSFET G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET G2R1000MT17J](https://www.dacpol.eu/44013-large_default/tranzystor-sic-mosfet-g2r1000mt17j.jpg)
Musisz być zalogowany/a
Category
Montaż urządzeń
Modernizacja induktorów
Urządzenia indukcyjne
asd
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu
proszę używać znaków łacińskich
Tranzystor MOSFET SiC „G2R1000MT17J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA
Musisz być zalogowany/a
Tranzystor MOSFET SiC „G2R1000MT17J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA
Chwilowo nie możesz polubić tej opinii
Zgłoś komentarz
Zgłoszenie wysłane
Twoje zgłoszenie nie może zostać wysłane
Napisz swoją opinię
Recenzja została wysłana
Twoja recenzja nie może być wysłana