![](https://www.dacpol.eu/44024-large_default/tranzystor-sic-mosfet-g2r120mt33j.jpg)
![](https://www.dacpol.eu/44024-large_default/tranzystor-sic-mosfet-g2r120mt33j.jpg)
Musisz być zalogowany/a
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu
proszę używać znaków łacińskich
Tranzystor MOSFET SiC „G2R120MT33J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
Cechy:
• Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
• Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
• Wytrzymała dioda korpusu
• 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
• Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
• LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie
Zastosowania:
• Falowniki solarne
• Ładowanie EV/HEV
• Napędy silnikowe
• Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
• Zasilacze impulsowe
• UPS
• Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
• Ogrzewanie indukcyjne i spawanie
Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?
Musisz być zalogowany/a
Tranzystor MOSFET SiC „G2R120MT33J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
Cechy:
• Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
• Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
• Wytrzymała dioda korpusu
• 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
• Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
• LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie
Zastosowania:
• Falowniki solarne
• Ładowanie EV/HEV
• Napędy silnikowe
• Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
• Zasilacze impulsowe
• UPS
• Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
• Ogrzewanie indukcyjne i spawanie