![](https://www.dacpol.eu/44017-large_default/tranzystor-sic-mosfet-g3r20mt12n.jpg)
![](https://www.dacpol.eu/44017-large_default/tranzystor-sic-mosfet-g3r20mt12n.jpg)
Musisz być zalogowany/a
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu
proszę używać znaków łacińskich
Tranzystor MOSFET SiC „G3R20MT12N” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA
Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?
Musisz być zalogowany/a
Tranzystor MOSFET SiC „G3R20MT12N” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.
CECHY
ZASTOSOWANIA