Tranzystor SiC MOSFET G3R30MT12K
  • Tranzystor SiC MOSFET G3R30MT12K

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: GeneSiC Semiconductor

Tranzystor SiC MOSFET G3R30MT12K

  • G3R30MT12K
  • Typ obudowy TO-247-4
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 70 A
  • Prąd ciagły IC przy Tc=100oC 50 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 25 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V 30 mΩ
  • Napięcie UDS 1200 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3R30MT12K” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie
Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-247-4
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 70 A
  • Prąd ciagły IC przy Tc=100oC 50 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 25 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V 30 mΩ
  • Napięcie UDS 1200 V

Tranzystor MOSFET SiC „G3R30MT12K” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar.

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie
Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)