Tranzystory MOSFET SiC

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana...

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu...

Czytaj więcej
Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
więcej... mniej
Prąd ciagły IC przy Tc=100oC
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 15 V
więcej... mniej
W magazynie
więcej... mniej
Dostępne nośniki
Środowisko
Filtruj
Pobierz Listę Produktów
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
descasc
Nazwa produktu
descasc
 Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
descasc
Typ obudowy
descasc
Napięcie UDS
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
descasc
Prąd ciagły IC przy Tc=100oC
descasc
Typ obudowy
descasc
RDS(ON) dla VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) dla VGS = 15 V
descasc
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R30MT12J ZOBACZ G3R30MT12J Na zamówienie -- 1200 V 85 A -- 60 A TO-263-7 25 mΩ 30 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R20MT17N ZOBACZ G3R20MT17N Na zamówienie -- 1700 V 84 A -- 60 A SOT-227 - 20 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R20MT17K ZOBACZ G3R20MT17K Na zamówienie -- 1700 V 95 A -- 67 A TO-247-4 - 20 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R20MT12N ZOBACZ G3R20MT12N Na zamówienie -- 1200 V 90 A -- 64 A SOT-227 17 mΩ 20 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R160MT17D ZOBACZ G3R160MT17D Na zamówienie -- 1700 V - -- - TO-247-3 - 160 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R160MT12D ZOBACZ G3R160MT12D Na zamówienie -- 1200 V 19 A -- 13 A TO-247-3 135 mΩ 160 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G2R1000MT33J ZOBACZ G2R1000MT33J Na zamówienie -- 3300 V 5 A -- 3 A TO-263-7 1000 mΩ -
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G2R1000MT17J ZOBACZ G2R1000MT17J 900 -- 1700 V 5 A -- 3 A TO-263-7 1000 mΩ -
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G2R1000MT17D ZOBACZ G2R1000MT17D Na zamówienie -- 1200 V 5 A -- 4 A TO-247-3 1000 mΩ -
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R30MT12K ZOBACZ G3R30MT12K Na zamówienie -- 1200 V 70 A -- 50 A TO-247-4 25 mΩ 30 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R350MT12D ZOBACZ G3R350MT12D Na zamówienie -- 1200 V 10 A -- 7 A TO-247-3 295 mΩ 350 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R45MT17K ZOBACZ G3R45MT17K Na zamówienie -- 1700 V 46 A -- 33 A TO-247-4 - 45 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R45MT17D ZOBACZ G3R45MT17D Na zamówienie -- 1700 V 52 A -- 37 A TO-247-3 - 45 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R450MT17J ZOBACZ G3R450MT17J Na zamówienie -- 1700 V 8 A -- 5 A TO-263-7 - 450 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R450MT17D ZOBACZ G3R450MT17D Na zamówienie -- 1700 V 7 A -- 5 A TO-247-3 - 450 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R40MT12K ZOBACZ G3R40MT12K 16 -- 1200 V 69 A -- 36 A TO-247-4 34 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R40MT12J ZOBACZ G3R40MT12J Na zamówienie -- 1200 V 66 A -- 47 A TO-263-7 34 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R40MT12D ZOBACZ G3R40MT12D 500 -- 1200 V 63 A -- 44 A TO-247-3 34 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R350MT12J ZOBACZ G3R350MT12J Na zamówienie -- 1200 V 10 A -- 7 A TO-263-7 295 mΩ 350 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G3R160MT12J ZOBACZ G3R160MT12J Na zamówienie -- 1200 V 19 A -- 14 A TO-263-7 135 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC MOSFET... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC MOSFET G2R120MT33J ZOBACZ G2R120MT33J Na zamówienie -- 3300 V 33 A -- 24 A TO-263-7 120 mΩ -
-- G3F20MT12J Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F20MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F20MT12J Na zamówienie TO-263-7 1200 V 123 A 87 A -- -- 20 mΩ -
Wyników na stronę:
Powrót do góry

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana przez GeneSiC technologia Trench-Assisted Planar zapewnia najniższy współczynnik RDS(ON) w wysokich temperaturach i najniższe straty energii przy dużych prędkościach. Umożliwia to osiągnięcie niespotykanego dotąd, wiodącego w branży poziomu wydajności, solidności i jakości.

Zapraszamy do zapoznania się z najszerszą gamą tranzystorów MOSFET SiC 650 V – 6,5 kV.