shopping_cart
Koszyk
0,00 PLN
0
Schowek
Musisz być zalogowany/a
-
-
-
Category
-
Półprzewodniki
- Diody
-
Tyrystory
- Tyrystory firmy VISHAY (IR)
- Tyrystory firmy LAMINA
- Tyrystory firmy INFINEON (EUPEC)
- Tyrystory firmy ESTEL
- Tyrystory firmy WESTCODE
- Tyrystory firmy Semikron
- Tyrystory firmy POWEREX
- Tyrystory firmy DYNEX
- Tyrystory do grzejnictwa indukcyjnego
- Tyrystory firmy ABB
- Tyrystory firmy TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
-
Moduły elektroizolowane
- Moduły elektroizolowane firmy VISHAY (IR)
- Moduły elektroizolowane firmy INFINEON (EUPEC)
- Moduły elektroizolowane firmy Semikron
- Moduły elektroizolowane firmy POWEREX
- Moduły elektroizolowane firmy IXYS
- Moduły elektroizolowane firmy POSEICO
- Moduły elektroizolowane firmy ABB
- Moduły elektroizolowane firmy TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
- Mostki prostownicze
-
Tranzystory
- Tranzystory firmy GeneSiC
- Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi
- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
- Moduły SiC MOSFET firmy ABB
- Moduły IGBT firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy MITSUBISHI
- Moduły MOSFET firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy ABB
- Moduły IGBT firmy POWEREX
- Moduły IGBT - firmy INFINEON (EUPEC)
- Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
- Przejdź do podkategorii
- Sterowniki
- Bloki mocy
- Przejdź do podkategorii
- Przetworniki prądowe i napięciowe LEM
-
Elementy pasywne (kondensatory, rezystory, bezpieczniki, filtry)
- Rezystory
-
Bezpieczniki
- Bezpieczniki miniaturowe do układów elektronicznych seria ABC i AGC
- Bezpieczniki szybkie rurkowe
- Wkładki zwłoczne o charakterystykach GL/GG oraz AM
- Wkładki topikowe ultraszybkie
- Bezpieczniki szybkie standard brytyjski i amerykański
- Bezpieczniki szybkie standard europejski
- Bezpieczniki trakcyjne
- Wkładki bezpiecznikowe wysokonapięciowe
- Przejdź do podkategorii
-
Kondensatory
- Kondensatory do silników
- Kondensatory elektrolityczne
- Kondensatory foliowe Icel
- Kondensatory mocy
- Kondensatory do obwodów DC
- Kondensatory do kompensacji mocy
- Kondensatory wysokonapięciowe
- Kondensatory do grzejnictwa indukcyjnego
- Kondensatory impulsowe
- Kondensatory DC LINK
- Kondensatory do obwodów AC/DC
- Przejdź do podkategorii
- Filtry przeciwzakłóceniowe
- Superkondensatory
-
Zabezpieczenia przeciwprzepięciowe
- Ograniczniki przepięć dla aplikacji RF
- Ograniczniki przepięć dla systemów wizyjnych
- Ograniczniki przepięć linii zasilających
- Ograniczniki przepięć do LED
- Ograniczniki przepięć do Fotowoltaiki
- Ograniczniki przepięć dla systemów wagowych
- Ograniczniki przepięć dla magistrali Fieldbus
- Przejdź do podkategorii
- Filtry emisji ujawniającej TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Przekaźniki i Styczniki
- Teoria przekaźniki i styczniki
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC 3-fazowe
- Przekaźniki półprzewodnikowe DC
- Regulatory, układy sterujące i akcesoria
- Soft starty i styczniki nawrotne
- Przekaźniki elektromechaniczne
- Styczniki
- Przełączniki obrotowe
-
Przekaźniki półprzewodnikowe AC 1-fazowe
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii 1 | D2425 | D2450
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii CWA I CWD
- Przekażniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii CMRA I CMRD
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii PS
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC podwójne i poczwórne serii D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- 1-fazowe przekaźniki półprzewodnikowe serii gn
- Przekaźniki półprzewodnikowe ac jednofazowe serii ckr
- Przekaźniki AC jednofazowe na szynę din SERII ERDA I ERAA
- Przekaźniki jednofazowe AC na prąd 150A
- Podwójne przekaźniki półprzewodnikowe zintegrowane z radiatorem na szynę DIN
- Przejdź do podkategorii
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC 1-fazowe do druku
- Przekaźniki interfejsowe
- Przejdź do podkategorii
- Rdzenie oraz inne elementy indukcyjne
- Radiatory, Warystory, Zabezpieczenia termiczne
- Wentylatory
- Klimatyzacja, Osprzęt do szaf rozdzielczych, Chłodnice
-
Akumulatory, ładowarki, zasilacze buforowe i przetwornice
- Akumulatory, ładowarki - opis teoretyczny
- Baterie litowo-jonowe. Niestandardowe baterie. System zarządzania baterią (BMS)
- Akumulatory
- Ładowarki akumulatorów i akcesoria
- Zasilacze UPS i zasilacze buforowe
- Przetwornice i osprzęt do fotowoltaiki
- Magazyny energii
- Wodorowe ogniwa paliwowe
- Ogniwa litowo-jonowe
- Przejdź do podkategorii
-
Automatyka
- Części do dronów Futaba
- Wyłączniki krańcowe, Mikrowyłączniki
- Czujniki, Przetworniki
- Pirometry
- Liczniki, Przekaźniki czasowe, Mierniki tablicowe
- Przemysłowe urządzenia ochronne
- Sygnalizacja świetlna i dźwiękowa
- Kamera termowizyjna
- Wyświetlacze LED
- Przyciski i przełączniki
-
Rejestratory
- Rejestrator AL3000
- Rejestrator KR2000
- Rejestrator KR5000
- Miernik z funkcją rejestracji wilgotności i temperatury HN-CH
- Materiały eksploatacyjne do rejestratorów
- Rejestrator 71VR1
- Rejestrator KR 3000
- Rejestratory PC serii R1M
- Rejestratory PC serii R2M
- Rejestrator PC, 12 izolowanych wejść – RZMS-U9
- Rejestrator PC, USB, 12 izolowanych wejść – RZUS
- Przejdź do podkategorii
- Przejdź do podkategorii
-
Przewody, Lica, Peszle, Połączenia elastyczne
- Druty
- Lica
-
Kable do zastosowań specjalnych
- Przewody przedłużające i kompensujące
- Przewody do termopar
- Przewody podłączeniowe do czyjnków PT
- Przewody wielożyłowe temp. -60°C do +1400°C
- SILICOUL przewody średniego napięcia
- Przewody zapłonowe
- Przewody grzejne
- Przewody jednożyłowe temp. -60°C do +450°C
- Przewody kolejowe
- Przewody grzejne w Ex
- Przewody dla przemysłu obronnego
- Przejdź do podkategorii
- Koszulki
-
Plecionki
- Plecionki płaskie
- Plecionki okrągłe
- Bardzo giętkie plecionki - płaskie
- Bardzo giętkie plecionki - okrągłe
- Miedziane plecionki cylindryczne
- Miedziane plecionki cylindryczne i osłony
- Paski uziemiające giętkie
- Plecionki cylindryczne z ocynkowanej i nierdzewnej stali
- Miedziane plecionki izolowane PCV - temperatura do 85 stopni C
- Płaskie plecionki aluminiowe
- Zestaw połączeniowy - plecionki i rurki
- Przejdź do podkategorii
- Osprzęt dla trakcji
- Końcówki kablowe
- Szyny elastyczne izolowane
- Wielowarstwowe szyny elastyczne
- Systemy prowadzenia kabli
- Peszle, rury
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Półprzewodniki
-
-
-
-
-
Montaż urządzeń
- Montaż urządzeń na zamówienie
- Montaż szaf
- Montaż systemów zasilania
- Podzespoły
- Maszyny budowane na zamówienie
- Rozwiązania dla uczelni wyższych oraz szkół średnich
-
Testery przemysłowe
- Testery elementów półprzewodnikowych mocy
- Testery aparatów elektrycznych
- Testery warystorów i ograniczników przepięć
- Tester do badania bezpieczników samochodowych
- Tester Qrr do pomiaru ładunku przejściowego w tyrystorach i diodach mocy
- Tester rotora wyłączników serii FD
- Tester audytowy wyłączników różnicowoprądowych
- Tester do kalibracji przekaźników
- Tester badań wizyjnych tłoczysk sprężyn gazowych
- Tyrystorowy łącznik wielkoprądowy
- Tester do zrywania siatki
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
-
Półprzewodniki
Kategorie
Informacje
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie.
Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami.
DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów:
Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty.
Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów.
Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne.
Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
| Obraz | Zobacz produkt | Nr producenta | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | 155 A | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 10 mΩ | 12 mΩ | 1200 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 | Na zamówienie | TO-247-3 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | 46 A | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 | Na zamówienie | TO-247-3 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | 57 A | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | 70 A | -- | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | 78 A | -- | 55 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Diody firmy GeneSiC | ZOBACZ | Diody firmy GeneSiC 34305 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC MOSFET G3R12MT12K | ZOBACZ | G3R12MT12K | Na zamówienie | -- | -- | TO-247-4 | 155 A | -- | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 10 mΩ | 12 mΩ | 1200 V |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC MOSFET G3R60MT07K | ZOBACZ | G3R60MT07K | Na zamówienie | -- | -- | TO-247-4 | 48 A | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7020 Tranzystor 53882 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 11 | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7007 Tranzystor 53879 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 25 | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 mΩ | - | 1200 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | GD10MPS12A Dioda SiC | ZOBACZ | GD10MPS12A Dioda SiC 36236 | Na zamówienie | -- | 10 | TO-220-2 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7019 Tranzystor 53808 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 1-May | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7014 Tranzystor 53811 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 340 | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | 44 A | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7003 Tranzystor 53846 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 30 | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Tranzystor | ZOBACZ | EPC23104 Tranzystor 53851 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 11 | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | ZOBACZ | EPC23103 Tranzystor 53853 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 7-Jun | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7004 Tranzystor 53858 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 7 | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- |
Wyników na stronę:
Nasza Oferta
W naszej ofercie znajdą Państwo diody SiC oraz tranzystory SiC i GaN.
Przewaga nad Krzemem
W porównaniu do krzemu, który posiada pasmo wzbronione wynoszące 1,12 eV, nasze półprzewodniki SiC i GaN charakteryzują się znacznie większymi przerwami wzbronionymi, wynoszącymi odpowiednio 3,26 eV i 3,39 eV.
Dzięki temu, zarówno SiC, jak i GaN mogą obsługiwać wyższe napięcia i częstotliwości, co czyni je idealnymi do zaawansowanych zastosowań technologicznych.
Technologia SiC i GaN
SiC i GaN posiadają unikalne właściwości, które wpływają na ich działanie i różnorodne zastosowania. Wybór odpowiedniego materiału zależy od specyficznych wymagań projektów i aplikacji.