Aktualności

Topologia modułu mocy to połówmostek. Głównym celem stworzenia takiego modułu podwójnego jest zmniejszenie wewnętrznej indukcyjności pasożytniczej modułu. Aby zminimalizować wewnętrzny pik napięcia – jedno z ograniczeń dla utrzymania maksymalnego prądu wyjściowego inwertera w obszarze RBSOA (Oblast Bezpiecznej Pracy Wstecznej), konieczne jest zmniejszenie indukcyjności pasożytniczej modułu. Każda nowa generacja układów scalonych wykazuje większy spadek prądu di/dt, co powoduje wyższe piki...

Obecnie dostępne moduły mocy SiC od Mitsubishi Electric (patrz Rysunek 1) należą do pierwszej fazy komercjalizacji technologii SiC, która rozpoczęła się około 2010 roku.

Nowa rodzina układów sterownika bramki SCALE-iFlex LT NTC firmy PI zapewnia dane dotyczące ujemnego współczynnika temperatury (NTC), co umożliwia dokładne zarządzanie cieplne systemów przekształtników i zapewnia odpowiednią współpracę prądową. Dramatycznie poprawiają ogólną niezawodność systemu energii odnawialnej i systemów kolejowych z wieloma modułami ułożonymi równolegle.

Tekst ma na celu dostarczenie praktycznych wskazówek dla osób, które stoją w obliczu konieczności oceny wymagań bezpieczeństwa w zakładach przemysłowych, gdzie w dużej ilości przetwarzane są palne cząstki stałe (pyły). Z punktu widzenia bezpieczeństwa procesowego wskazane jest, że pył powinien być przebadany, aby określić rodzaj ryzyka. Jakie pyły należy testować? Jakie testy są potrzebne? Kiedy można korzystać z wartości uzyskanych w opublikowanych źródłach? Są to niektóre z kwestii, które...

Pierwotnie Mitsubishi Electric rozpoczęło rozwój IGBT o napięciu 4500V w połowie lat 90. Pierwsza komercjalizacja standardowych modułów IGBT w tej klasie napięcia rozpoczęła się na początku lat 2000. Było to bardziej wydajne i kompaktowe rozwiązanie w porównaniu z istniejącymi urządzeniami GTO typu press pack o napięciu 4500V. Rozwój ten był głównie napędzany przez zastosowania w kolejnictwie i napędach średniego napięcia. W międzyczasie dostępnych jest wiele różnych modułów IGBT o napięciu...

Układy półprzewodnikowe wykonane z węglika krzemu (SiC) są uważane za główną innowację we współczesnej elektronice mocy. W porównaniu z klasycznymi układami krzemowymi (Si), SiC umożliwia bardziej wydajne i kompaktowe przetwornice, co pozwala zaoszczędzić energię elektryczną i cenne materiały.

Wraz z rosnącą złożonością i wzrostem liczby urządzeń elektronicznych, potrzeba zapewnienia harmonijnego funkcjonowania i współistnienia tych urządzeń staje się coraz bardziej istotna. Dlatego właśnie ważne jest podkreślenie znaczenia Kompatybilności Elektromagnetycznej. Oto kilka kluczowych aspektów, które podkreślają jej wagę:

Aktywności badawcze na temat SiC są koordynowane w Japonii przez organizację o nazwie NEDO (New Energy and Industrial Development Organization). NEDO to największa japońska publiczna organizacja zarządzająca badaniami i rozwojem, koordynująca wysiłki innowacyjne w strategicznych kierunkach. Rozwój modułów mocy SiC o wysokiej gęstości i wysokim napięciu izolacyjnym jest jednym z głównych kierunków badań i rozwoju NEDO, a Mitsubishi Electric jest kluczowym graczem w tej dziedzinie [2]. Wiele...

Oto kilka istotnych punktów, które należy uwzględnić podczas projektowania urządzeń z myślą o EMC:

Mitsubishi Electric ma wieloletnie doświadczenie i długą historię rozwoju modułów 1700V do zastosowań kolejowych od początku tego wieku. W tym roku MITSUBISHI ELECTRIC wprowadziło najnowszą generację modułów mocy IGBT 1700V, zwanych serią X, które spełniają wymagania aplikacji kolejowych. Rys. 1 pokazuje historyczny rozwój modułów HVIGBT 1700V, wskazując na ciągłe zmniejszanie napięcia przewodzenia IGBT. Napięcie przewodzenia IGBT przyczynia się do redukcji strat mocy przetwornika. Redukcja...

Elektronika mocy jest wystawiona na skrajne warunki środowiskowe podczas pracy, takie jak pył, temperatura, wilgotność, wibracje czy chemikalia. Profil temperatury i wilgotności ma szeroki zakres, zależny od zastosowania i miejsca działania.

Współczesne urządzenia elektroniczne są wykorzystywane w różnorodnych środowiskach, narażone na różne warunki pracy, a ich niezawodność jest niezwykle istotna dla użytkowników. Oto kilka czynników, które mają wpływ na niezawodność i trwałość urządzeń elektronicznych:

Częstotliwość przełączania w tych aplikacjach jest zazwyczaj wyższa niż 20 kHz, przekraczając zakres, dla którego optymalizowane są standardowe przemysłowe moduły IGBT. Od kilku lat Mitsubishi Electric oferuje specjalną serię modułów IGBT dedykowaną tym aplikacjom o wysokiej częstotliwości, zwaną serią NFH. W celu zmniejszenia strat przełączania, wykorzystuje ona układy IGBT z optymalnym kompromisem między napięciem przewodzenia Vce(sat) a stratami wychładzania Eoff. Jako kolejny krok...

Poprawne projektowanie i układanie obwodów mają na celu minimalizację emisji zakłóceń elektromagnetycznych oraz zapewnienie odporności na zakłócenia zewnętrzne. Oto kilka kluczowych aspektów projektowania i układania obwodów związanych z EMC:

Redukcja dwutlenku węgla i odpowiedzialne wykorzystanie energii elektrycznej to główne czynniki napędzające rozwój bardziej zrównoważonego społeczeństwa w przyszłości. Węglik krzemu (SiC) dzięki swoim doskonałym właściwościom fizycznym może przyczynić się do oszczędzania jeszcze większej ilości energii elektrycznej i sprawić, że przekształtniki elektroniczne mocy będą bardziej kompaktowe, co zmniejszy zużycie cennych materiałów i zasobów.

W 2015 roku konsorcjum producentów pociągów i dostawców sprzętu elektrycznego rozpoczęło dyskusje na temat przyszłości taboru kolejowego oraz radykalnych innowacji w dziedzinie pojazdów kolejowych. Dyskusje, jako część projektu Roll2Rail z programu Horizon 2020, doprowadziły również do określenia wymagań technicznych dla modułów półprzewodnikowych mocy na jutro. Moduły te mają zapewnić:

Emisja elektromagnetyczna odnosi się do procesu, w którym urządzenia elektroniczne generują i wydzielają niepożądane sygnały elektromagnetyczne do otoczenia. Z kolei immisja elektromagnetyczna odnosi się do wpływu zakłóceń elektromagnetycznych pochodzących z zewnętrznych źródeł na działanie urządzeń elektronicznych.

Mitsubishi Electric wprowadził na rynek nową serię inteligentnych modułów mocy (IPM) G1 z zaawansowanym układem Si-IGBT, aby rozwiązać kilka kluczowych parametrów wydajnościowych i umożliwić użytkownikowi końcowemu osiągnięcie wysokiej wydajności systemu. Postępy w technologii chipów G1 IPM mają na celu rozwiązanie niektórych wrodzonych wad Si-IGBT, zwłaszcza w przypadku zastosowań sterowania silnikiem. Układ G1 IPM został opracowany poprzez wdrożenie kilku kluczowych innowacji w najnowszej...