Navitas wprowadza najnowsze moduły mocy SiCPAK™ – nowy standard niezawodności i wydajności w wysokich temperaturach

Navitas wprowadza najnowsze moduły mocy SiCPAK™ – nowy standard niezawodności i wydajności w wysokich temperaturach

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), lider branży półprzewodników z azotku galu (GaN) i węglika krzemu (SiC), ogłosił premierę najnowszych modułów mocy SiCPAK™. Wyróżniają się one zastosowaniem nowoczesnej technologii zalewania żywicą epoksydową, która znacząco podnosi niezawodność i stabilność pracy w trudnych warunkach termicznych.

Rewolucyjna technologia żywicy epoksydowej – 5x niższy wzrost oporu cieplnego

Nowe moduły SiCPAK™ 1200V zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach wysokiej mocy w ekstremalnych warunkach środowiskowych. Dzięki zastosowaniu innowacyjnej technologii żywicy epoksydowej, moduły te oferują pięciokrotnie mniejszy wzrost oporu cieplnego po 1000 cyklach testów szoku termicznego (-40°C do +125°C), w porównaniu do tradycyjnych modułów z żelem silikonowym.

Wszystkie moduły silikonowe zawiodły testy izolacyjne, natomiast panele SiCPAK™ z zalewą epoksydową utrzymały bezpieczne poziomy izolacji, co przekłada się na dłuższą żywotność systemów i większe bezpieczeństwo.

Nowoczesna technologia MOSFET – niższe straty mocy, wyższa niezawodność

Seria modułów SiCPAK™ wykorzystuje własną technologię „trench-assisted planar SiC MOSFET” od GeneSiC™, która oferuje:

• Nawet 20% niższe straty mocy,
• Mniejsze nagrzewanie, co wpływa na dłuższą żywotność komponentów,
• Wyjątkową stabilność parametrów w wysokich temperaturach.

W praktyce oznacza to niższy wzrost oporu RDS(ON) w miarę wzrostu temperatury, co pozwala na bardziej wydajną i energooszczędną pracę urządzeń w szerokim zakresie temperatur.

Dodatkowo, wszystkie tranzystory SiC MOSFET GeneSiC™ oferują:

• Najwyższy testowany poziom odporności na przebicie lawinowe,
• Do 30% lepszą odporność na zwarcia,
• Ścisłą tolerancję napięcia progowego – co ułatwia ich łączenie równoległe.

Zastosowania i konfiguracje modułów SiCPAK™

Nowe moduły są skierowane do szerokiej gamy zastosowań:

• Szybkie ładowarki DC do pojazdów elektrycznych (EV DCFC),
• Przemysłowe napędy silnikowe,
• Zasilacze UPS,
• Inwertery i optymalizatory mocy do instalacji fotowoltaicznych,
• Systemy magazynowania energii (ESS),
• Spawarki przemysłowe i indukcyjne urządzenia grzewcze.

Dostępne konfiguracje: półmostek, pełny mostek, 3L-T-NPC, z zakresem rezystancji od 4,6 mΩ do 18,5 mΩ. Wszystkie moduły mają wbudowane termistory NTC i są zgodne z popularnymi standardami pinów press-fit. Dostępna jest także opcja fabrycznego nałożenia materiału termoprzewodzącego (TIM), co ułatwia montaż.

O firmie Navitas

Navitas Semiconductor to jedyna na świecie firma specjalizująca się wyłącznie w półprzewodnikach nowej generacji, założona w 2014 roku. Rozwiązania GaNFast™ oraz GeneSiC™ umożliwiają szybsze ładowanie, wyższą gęstość mocy i znaczną oszczędność energii. Obszary zastosowań obejmują centra danych AI, elektromobilność, energetykę odnawialną, magazynowanie energii, urządzenia domowe i przemysłowe oraz elektronikę konsumencką.

Navitas posiada ponad 300 patentów oraz oferuje pierwszą na świecie 20-letnią gwarancję na układy GaNFast™. Firma jest również pierwszym producentem półprzewodników z certyfikatem CarbonNeutral®.

Sprawdź naszą ofertę:

• Diod firmy Gensic
• Tranzystorów firmy Genesic