Dioda SiC GE10MPS06Q
  • Dioda SiC GE10MPS06Q

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Dioda SiC GE10MPS06Q

  • GE10MPS06Q
  • IFAV 10 A
  • Typ obudowy QFN8x8
  • Napięcie URRM 650 V

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • IFAV 10 A
  • Typ obudowy QFN8x8
  • Napięcie URRM 650 V
Komentarze (0)