Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
  • Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: Mitsubishi

Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu

Elementy półprzewodnikowe Mitsubishi

Diody oraz elementy w pełni sterowalne wykonywane w technologii węglika krzemu to nowe produkty jakie pojawiły się w ofercie firmy Dacpol. Węglik krzemu (SiC) jest materiałem, który dzięki swoim cechom pozwala wytwarzać przyrządy półprzewodnikowe o atrakcyjnych cechach z punktu widzenia energoelektroniki. W porównaniu z klasycznymi elementami krzemowymi półprzewodniki SiC charakteryzująsięwysokąodpornościąna przepięcia, wysokątemperaturąpracy, niskąrezystancją w stanie przewodzenia oraz możliwością ograniczenia gabarytów elementu bez utraty zdolności blokowania napięcia.

Półprzewodniki SIC - czym się charakteryzują?

Diody Schottky’ego, które są w danym momencie najbardziej rozpowszechnionymi elementami SiC charakteryzująsiębardzo krótkim czasem wyłączania trr oraz niskim poziomem ładunku przejściowego. Powyższe cechy powoduję, że zastosowanie półprzewodników z węglika krzemu jako diody zwrotne oraz zerowe ogranicza straty przekształtnika oraz pozwala na podniesienie częstotliwości jego pracy.
Podobnie zastosowanie elementów w pełni sterowalnych takich jak tranzystory JFET oraz BJT pozwala ograniczyć straty mocy przekształtnika, podwyższyćtemperaturęoraz częstotliwośćjego pracy. Dzięki temu możemy zbudować kompleksowe urządzenie charakteryzujące się małymi gabarytami (między innymi dzięki ograniczeniu rozmiarów układu chłodzenia oraz redukcji zastosowanych elementów biernych), wysokimi gęstościami mocy oraz wysoką jakością energii wejściowej oraz wyjściowej.

Półprzewodniki z węglika krzemu wykonane w technologii węglika krzemu znajdująszerokie zastosowanie w aplikacjach, gdzie jest wymagany wysoki poziom niezawodności, sprawności oraz trudne warunki środowiskowe:

  • Falowniki o wysokich częstotliwościach pracy
  • Przekształtniki współpracujące z ogniwami fotowoltaicznymi
  • Układy korekcji współczynnika mocy
  • Wysokotemperaturowe przetwornice DC/DC oraz AC/DC
  • UPS
  • Układy rezonansowe
  • Napędy elektryczne


Tranzystory SiC JFET

Typ VDS
[V]		 ID /Tj
[A/°C]		 RDS(ON)
[Ω]		 Rodzaj Obudowa
SJEP120R100 1200 17 / 125 12 / 175 0,1 Normalnie wyłączony TO-247
SJEP170R550 1700 4 / 125 3 / 175 0,55 Normalnie wyłączony TO-247
SJEP120R063 1200 30 / 125 20 / 175 0,063 Normalnie wyłączony TO-247
SJDP120R085 1200 52 / 100 43 / 150 0,085 Normalnie wyłączony TO-247
SJEN120R025* 1200 68 / 100 46 / 150 0,025 Normalnie wyłączony SOT-227

* Element w fazie przygotowania: dostępny będzie od 3 kwartału 2011.



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R063


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R063



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R100


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R100



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP170R550


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP170R550



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJDP120R085


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJDP120R085



Diody Sic Schottky

Typ VDS
[V]		 ID/Tj
[A/°C]		 QC
[nC]		 Konfiguracja Obudowa
SDA05S120 1200 12 / 100 8 / 145 35 1 TO-220
SDA10S120 1200 21 / 100 10 / 145 64 1 TO-220
SDP30S120 1200 45,8 / 100 30 / 130 194 1 TO-247
SDP10S120D 1200 10 / 100 6 / 145 35 2 TO-247
SDP20S120D 1200 18 / 100 20 / 145 129 2 TO-247


Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA05S120 Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA10S120
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA05S120 Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA10S120
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP10S120D Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP20S120D
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP10S120D Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP20S120D


Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP30S120


Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP30S120



Tranzystory SiC BJT

Typ VDS
[V]		 IF/Tj
[A/°C]		 VCE(SAT)
[V]		 RON(SAT)
[mΩ]		 Tj(max)
[°C]		 Obudowa
BT1206AC-P1 1200 6 / 25 0,75 125 175 TO-247
BT1220AC-P1 1200 20 / 25 0,75 38 175 TO-247
BT1206AB-P1 1200 45,8 / 25 1 167 250 TO-258
BT1220AB-P1 1200 20 / 25 1 50 250 TO-258


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AC-P1


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AC-P1



Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1220AC-P1


Charakterystyki



Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AB-P1


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AB-P1



Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1220AB-P1


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1220AB-P1

Sprawdź naszą ofertę na szyny miedziano-aluminiowe, dostępne w naszym sklepie!

Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Elementy półprzewodnikowe Mitsubishi

Diody oraz elementy w pełni sterowalne wykonywane w technologii węglika krzemu to nowe produkty jakie pojawiły się w ofercie firmy Dacpol. Węglik krzemu (SiC) jest materiałem, który dzięki swoim cechom pozwala wytwarzać przyrządy półprzewodnikowe o atrakcyjnych cechach z punktu widzenia energoelektroniki. W porównaniu z klasycznymi elementami krzemowymi półprzewodniki SiC charakteryzująsięwysokąodpornościąna przepięcia, wysokątemperaturąpracy, niskąrezystancją w stanie przewodzenia oraz możliwością ograniczenia gabarytów elementu bez utraty zdolności blokowania napięcia.

Półprzewodniki SIC - czym się charakteryzują?

Diody Schottky’ego, które są w danym momencie najbardziej rozpowszechnionymi elementami SiC charakteryzująsiębardzo krótkim czasem wyłączania trr oraz niskim poziomem ładunku przejściowego. Powyższe cechy powoduję, że zastosowanie półprzewodników z węglika krzemu jako diody zwrotne oraz zerowe ogranicza straty przekształtnika oraz pozwala na podniesienie częstotliwości jego pracy.
Podobnie zastosowanie elementów w pełni sterowalnych takich jak tranzystory JFET oraz BJT pozwala ograniczyć straty mocy przekształtnika, podwyższyćtemperaturęoraz częstotliwośćjego pracy. Dzięki temu możemy zbudować kompleksowe urządzenie charakteryzujące się małymi gabarytami (między innymi dzięki ograniczeniu rozmiarów układu chłodzenia oraz redukcji zastosowanych elementów biernych), wysokimi gęstościami mocy oraz wysoką jakością energii wejściowej oraz wyjściowej.

Półprzewodniki z węglika krzemu wykonane w technologii węglika krzemu znajdująszerokie zastosowanie w aplikacjach, gdzie jest wymagany wysoki poziom niezawodności, sprawności oraz trudne warunki środowiskowe:

  • Falowniki o wysokich częstotliwościach pracy
  • Przekształtniki współpracujące z ogniwami fotowoltaicznymi
  • Układy korekcji współczynnika mocy
  • Wysokotemperaturowe przetwornice DC/DC oraz AC/DC
  • UPS
  • Układy rezonansowe
  • Napędy elektryczne


Tranzystory SiC JFET

Typ VDS
[V]		 ID /Tj
[A/°C]		 RDS(ON)
[Ω]		 Rodzaj Obudowa
SJEP120R100 1200 17 / 125 12 / 175 0,1 Normalnie wyłączony TO-247
SJEP170R550 1700 4 / 125 3 / 175 0,55 Normalnie wyłączony TO-247
SJEP120R063 1200 30 / 125 20 / 175 0,063 Normalnie wyłączony TO-247
SJDP120R085 1200 52 / 100 43 / 150 0,085 Normalnie wyłączony TO-247
SJEN120R025* 1200 68 / 100 46 / 150 0,025 Normalnie wyłączony SOT-227

* Element w fazie przygotowania: dostępny będzie od 3 kwartału 2011.



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R063


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R063



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R100


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP120R100



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP170R550


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJEP170R550



Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJDP120R085


Charakterystyki wyjściowe tranzystora SJDP120R085



Diody Sic Schottky

Typ VDS
[V]		 ID/Tj
[A/°C]		 QC
[nC]		 Konfiguracja Obudowa
SDA05S120 1200 12 / 100 8 / 145 35 1 TO-220
SDA10S120 1200 21 / 100 10 / 145 64 1 TO-220
SDP30S120 1200 45,8 / 100 30 / 130 194 1 TO-247
SDP10S120D 1200 10 / 100 6 / 145 35 2 TO-247
SDP20S120D 1200 18 / 100 20 / 145 129 2 TO-247


Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA05S120 Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA10S120
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA05S120 Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDA10S120
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP10S120D Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP20S120D
Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP10S120D Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP20S120D


Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP30S120


Charakterystyka prądowo-napięciowa diody SDP30S120



Tranzystory SiC BJT

Typ VDS
[V]		 IF/Tj
[A/°C]		 VCE(SAT)
[V]		 RON(SAT)
[mΩ]		 Tj(max)
[°C]		 Obudowa
BT1206AC-P1 1200 6 / 25 0,75 125 175 TO-247
BT1220AC-P1 1200 20 / 25 0,75 38 175 TO-247
BT1206AB-P1 1200 45,8 / 25 1 167 250 TO-258
BT1220AB-P1 1200 20 / 25 1 50 250 TO-258


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AC-P1


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AC-P1



Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1220AC-P1


Charakterystyki



Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AB-P1


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1206AB-P1



Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1220AB-P1


Charakterystyki wyjściowe tranzystora BT1220AB-P1

Sprawdź naszą ofertę na szyny miedziano-aluminiowe, dostępne w naszym sklepie!

Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)