Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Oferujemy m.in. tranzystory polowe, MOS-FET, IGBT, oraz elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Oferujemy m.in....

Czytaj więcej
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
Nazwa produktu
Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
picture_as_pdf Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu Mitsubishi Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu ZOBACZ -- Na zamówienie
picture_as_pdf Moduły z węglika krzemu - Powerex i Mitsubishi Mitsubishi Moduły z węglika krzemu - Powerex i Mitsubishi ZOBACZ -- Na zamówienie
Wyników na stronę:

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Oferujemy m.in. tranzystory polowe, MOS-FET, IGBT, oraz elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.