6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1
  • 6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: Mitsubishi

6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1

Dane techniczne

  • Niskie straty dzięki zastosowaniu Chipów Full Gate CSTBT
  • 600 V generacja 5 typu CSTBT: VCE(sat) ( @Tj =125°C) = 1,75V - 1200 V generacja 6 typu CSTBT: VCE(sat)@Tj =125°C) = 1,85V - Zoptymalizowany czujnik temperatury chipa
  • Znacząco poprawiona odporność na cykle temperaturowe ∆Tj dzięki nowej
    technologii połączeń wewnętrznych
  • Mechaniczna zgodność z serią V (małe obudowy)
  • Zabezpieczenie zwarciowe (S.C.)
  • Zabezpieczenie podnapięciowe (UV)
  • Zabezpieczenie temperaturowe (FO)
  • Terminal (SPR, SNR ) dla sterowania zewnętrznymi transoptorami poprzez regulowane źródło napięcie.


Symbol Schemat VCES
[V]		 IC[A]
200 300 400 450 600
D 1200     PM400DV1A060   PM600DV1A060
1200 PM200DV1A120 PM300DV1A120   PM450DV1A120  


Obudowa V1 Schemat układu
6 GENERACJA MODUŁÓW IPM FULL GATE - SERIA V1 obudowa 6 GENERACJA MODUŁÓW IPM FULL GATE - SERIA V1 schemat ukladu
Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Dane techniczne

  • Niskie straty dzięki zastosowaniu Chipów Full Gate CSTBT
  • 600 V generacja 5 typu CSTBT: VCE(sat) ( @Tj =125°C) = 1,75V - 1200 V generacja 6 typu CSTBT: VCE(sat)@Tj =125°C) = 1,85V - Zoptymalizowany czujnik temperatury chipa
  • Znacząco poprawiona odporność na cykle temperaturowe ∆Tj dzięki nowej
    technologii połączeń wewnętrznych
  • Mechaniczna zgodność z serią V (małe obudowy)
  • Zabezpieczenie zwarciowe (S.C.)
  • Zabezpieczenie podnapięciowe (UV)
  • Zabezpieczenie temperaturowe (FO)
  • Terminal (SPR, SNR ) dla sterowania zewnętrznymi transoptorami poprzez regulowane źródło napięcie.


Symbol Schemat VCES
[V]		 IC[A]
200 300 400 450 600
D 1200     PM400DV1A060   PM600DV1A060
1200 PM200DV1A120 PM300DV1A120   PM450DV1A120  


Obudowa V1 Schemat układu
6 GENERACJA MODUŁÓW IPM FULL GATE - SERIA V1 obudowa 6 GENERACJA MODUŁÓW IPM FULL GATE - SERIA V1 schemat ukladu
Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)