Musisz być zalogowany/a
Kategorie
- 5 generacja modułów IGBT - seria A
- 5 generacja modułów IGBT TRENTCH - seria NF
- Moduły IGBT - seria NFM
- Moduły IGBT szybkie - seria NFH
- 4 generacja modułów IGBT TRENCH - seria F
- 3 generacja modułów IGBT - seria H
- 3 generacja modułów IGBT - seria U
- Moduły IGBT - seria DIP-C.I.B/seria C.I.B.
- Wysokonapięciowe moduły IGBT
- Wysokonapięciowe moduły diodowe
- Wysokonapięciowy inteligentny moduł mocy
- 5 generacja modułów IPM - dla zastosowań jako przekształtnik w bateriach słonecznych
- 5 generacja modułów IPM - seria L
- 4 generacja modułów IPM - seria S-DASH
- 3 generacja modułów IPM - seria S
- 3 generacja modułów IPM - seria V
- AS-IPM
- DIP-IPM 1200V
- 4 generacja modułów DIP IPM
- 3 generacja modułów DIP i MINI DIP IPM
- MDIP i MINI - DIP IPM
- Sterowniki hybrydowe do modułów IGBT
- 6 generacja modułów IGBT -seria NX
- Wielopoziomowe moduły IGBT
- Nowe moduły mega POWER DUAL - IGBT
- 5 generacja modułów ipm -seria FULL GATE CSTBT (WERSJA L1 i S1 )
- 6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1
- 7 generacja modułów IGBT
- DIPIPM TM 600V & 1200V
- Moduły CI/CIB
Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.
Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.
Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.
Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.