Musisz być zalogowany/a
Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
Obraz | Zobacz produkt | Nr producenta | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
-- |
![]() |
Starpower | Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD25CLR120D6S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD25CLR120D6S | Na zamówienie | -- | chopper | 100 mΩ | 25 A | D6.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD25CUR120D6S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD25CUR120D6S | Na zamówienie | -- | chopper | 100 mΩ | 25 A | D6.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD50CUR120D6S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD50CUR120D6S | Na zamówienie | -- | chopper | 50 mΩ | 50 A | D6.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD50FFR120C5S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD50FFR120C5S | Na zamówienie | 73 A | mostek trójfazowy | 37.5 mΩ | 50 A | C5.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD350HFR120B3S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD350HFR120B3S | Na zamówienie | 473 A | półmostek | 5.2 mΩ | 350 A | B3.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD300HFR120B3S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD300HFR120B3S | Na zamówienie | 381 A | półmostek | 6.5 mΩ | 300 A | B3.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD300HFR120C2S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD300HFR120C2S | Na zamówienie | 381 A | półmostek | 6.5 mΩ | 300 A | C2.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD400HFR120C2S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD400HFR120C2S | 1 | 542 A | półmostek | 4.4 mΩ | 400 A | C2.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD200HFR120C2S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD200HFR120C2S | Na zamówienie | 299 A | półmostek | 8.7 mΩ | 200 A | C2.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD120HFR120C2S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD120HFR120C2S | Na zamówienie | 200 A | półmostek | 13 mΩ | 120 A | C2.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD250HFR170C2S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD250HFR170C2S | Na zamówienie | 340 A | półmostek | 10,4 mΩ | 250 A | C2.0 |
picture_as_pdf |
![]() |
Starpower | MD50CLR120D6S MOSFET SiC | ZOBACZ | MD50CLR120D6S | Na zamówienie | -- | chopper | 50 mΩ | 50 A | D6.0 |
Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.
Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.
Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.
Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.
Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.