Moduły SIC MOSFET - POWEREX
  • Moduły SIC MOSFET - POWEREX

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: POWEREX

Moduły SIC MOSFET - POWEREX

Dane techniczne

  • Tj 200°C
  • Chip wykonany w technologii węglika krzemu
  • Wysokie częstotliwości pracy
  • Niskie straty łączeniowe
  • Niska pojemność
  • Niskie wymagania dla sterownika
  • Szybka, zintegrowana dioda zwrotna Schottky’ego
  • Wysoka gęstość mocy
  • Izolowana podstawa


Moduły SIC MOSFET I Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210006 100 1200 15 50
QJD1210007 100 1200 15 100


Moduły SIC MOSFET II Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210010* 100 1200 15 100
QJD1210011** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky

Typ Prąd @TC= 25°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QID1210005* 100 1200 15 100
QJD1210006** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Wymiary I Generacja


MODUŁY SIC MOSFET I generacja
MODUŁY SIC MOSFET I generacja wymiar



Wymiary II Generacja


MODUŁY SIC MOSFET II generacja
MODUŁY SIC MOSFET II generacja wymiar



Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky


Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT/ SiC Schottky diode

Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Dane techniczne

  • Tj 200°C
  • Chip wykonany w technologii węglika krzemu
  • Wysokie częstotliwości pracy
  • Niskie straty łączeniowe
  • Niska pojemność
  • Niskie wymagania dla sterownika
  • Szybka, zintegrowana dioda zwrotna Schottky’ego
  • Wysoka gęstość mocy
  • Izolowana podstawa


Moduły SIC MOSFET I Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210006 100 1200 15 50
QJD1210007 100 1200 15 100


Moduły SIC MOSFET II Generacja

Typ Prąd @TC= 150°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QJD1210010* 100 1200 15 100
QJD1210011** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky

Typ Prąd @TC= 25°C
[A]		 Napięcie
[V]		 RDS (on) @Tj=25°C
[mΩ]		 Prąd diody zwrotnej
[A]
QID1210005* 100 1200 15 100
QJD1210006** 100 1200 15 100

* Podstawa miedziana
** Podstawa AlSiC



Wymiary I Generacja


MODUŁY SIC MOSFET I generacja
MODUŁY SIC MOSFET I generacja wymiar



Wymiary II Generacja


MODUŁY SIC MOSFET II generacja
MODUŁY SIC MOSFET II generacja wymiar



Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT / dioda SiC Schottky


Wymiary Moduły hybrydowe Si IGBT/ SiC Schottky diode

Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)