Tranzystory SiC MOSFET

Charakterystyka

• Niska pojemność
• Temperaturowo niezależna praca
• Wysoka odporność na przepięcie i zwarcie
• Niska rezystancja termiczna
• Szybka i niezawodna dioda
• Bezhalogenowy, zgody z RoHS

Zastosowania

• Pojazdy elektryczne - napędy oraz ładowarki
• Przekształtniki do paneli solarnych
• Smart Grid
• Napedy silnikowe
• Wysoko napięciowe przekształtniki DC-DC i AC-DC
• Grzejnictwo indukcyjne i spawalnictwo

Typ produktu	UDSS [V]	RDS(on) [mΩ]	Obudowa	Konfiguracja
G3R60MT07J	750	60	TO-263-7
G3R60MT07D		60	TO-247-3
G3R60MT07K		60	TO-247-4
G3R20MT12K	1200	20	TO-247-4
G3R20MT12N		20	SOT-227
G3R30MT12K		30	TO-247-4
G3R30MT12J		30	TO-263-7
G3R40MT12D		40	TO-247-3
G3R40MT12J		40	TO-263-7
G3R40MT12K		40	TO-247-4
G3R75MT12D		75	TO-247-3
G3R75MT12J		75	TO-263-7
G3R75MT12K		75	TO-247-4
G3R160MT12D		160	TO-247-3
G3R160MT12J		160	TO-263-7
G3R350MT12D		350	TO-247-3
G33R350MT12J		350	TO-263-7
G3R20MT17K	1700	20	TO-247-4
G3R20MT17N		20	SOT-227
G3R45MT17K		45	TO-247-4
G3R45MT17D		45	TO-247-3
G3R160MT17J		160	TO-247-7
G3R160MT17D		160	TO-247-3
G3R450MT17J		450	TO-247-7
G3R450MT17D		450	TO-247-3
G3R1000MT17D		1000	TO-247-3
G3R1000MT17J		1000	TO-263-7
G3R80MT33J	3300	80	TO-263-7
G3R350MT33J		350	TO-263-7
G3R1000MT33J		1000	TO-263-7