Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: HVR

Liniowe rezystory dyskowe

Liniowe rezystory dyskowe

  • 100% materiału aktywnego
  • Wysoki wskaźnik energii udarowej
  • Duża wytrzymałość wysokonapięciowa
  • Zasadniczo bezindukcyjne
  • Duży zakres wielkości geometrycznych
  • Warunki powietrze/olej/SF6
  • Pojedynczy dysk albo konstrukcja modułowa

Dyskowe rezystory liniowe HVR są wykonywane z dokładnie zmieszanej mieszanki gliny, tlenku glinu i węgla. Po wymieszaniu materiał jest prasowany do wymaganego kształtu z średnicą w zakresie od 0,3 do 15,1 cm. Rezystory są potem wypalane w wysokiej temperaturze w piecu tunelowym o kontrolowanych warunkach.

W wyniku tego powstaje rezystor ceramiczny, węglowy, który jest w 100% materiałem aktywnym o minimalnych rozmiarach.

Następnie aluminium jest rozpylane płomieniowo na płaskie powierzchnie rezystora, w celu zapewnienia połączenia elektrycznego, a później dodawane jest nieprzewodzące pokrycie na obrzeża, w celu poprawienia wytrzymałości dielektrycznej.

Ze zdolnością do wytrzymywania energii od Dżuli do Megadżuli przy częstotliwościach do mega Hertza, liniowe rezystory dyskowe HVR mogą być wykorzystywane w większości wymagających aplikacji takich jak przesył energii, trakcja, napędy AC/DC, moc impulsowa, obciążenia testowe, grzanie indukcyjne i sieci formowania impulsów.

Specyfikacja techniczna

Dla liniowych rezystorów dyskowych bez otworu:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
АВ 378 М001А 1,9 7,2 1800 3,5 510 16 1,1 3R9 27k0
АВ 704 М001С 2,4 11,5 2875 4 720 26 1,8 2R0 15k0
АВ 419 М001В 3,1 19,2 4800 5,5 870 43 3 1R2 10k0
АВ 350 М002А 4,2 35,2 8800 7,5 1170 79 5,5 0R68 5К6
АВ 061 М002С 5 50 12500 9 1390 112.5 7,7 0R43 ЗК6
АВ 389 М002В 6 72 18000 10,5 1710 162 11,1 0R33 2K4
АВ 443 M003C 7,4 110 27500 13 2120 248 16,9 0R22 1K0
АВ 395 M003B 8,2 134 33500 14 2390 302 20,8 0R18 820R0
АВ 444 М004А 9,4 176 44000 16,5 2670 396 27,3 0R12 560R0
АВ 917 М004С 10,2 208 52000 17,5 2970 468 32,2 0R10 470R0
АВ 456 М004В 11,2 250 62500 19,5 3210 565 38,8 0R082 390R0
АВ 935 М005С 12,7 322 80500 22 3660 725 49,9 0R068 180R0
АВ 968 М005В 13,7 374 93500 23,5 3980 840 58 0R056 150R0
АВ 449 М006С 15,1 454 113500 26 4370 1020 70,5 0R047 120R0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 1,1 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 379 M001A 1,9 4,8 1200 3,5 340 11,0 0,7 3R9 27K0
AB 380 M001C 2,5 9,1 2275 4,0 570 20,5 1,4 2R0 15K0
AB 335 M001B 3,1 16,8 4200 5,5 760 38,0 2,6 1R2 10K0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 1,4 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 379 M001A 1,9 4,8 1200 3,5 340 11,0 0,7 3R9 27K0
AB 380 M001C 2,5 9,1 2275 4,0 570 20,5 1,4 2R0 15K0
AB 335 M001B 3,1 16,8 4200 5,5 760 38,0 2,6 1R2 10K0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 2,0 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 045 M002A 4,2 27,2 6800 7,5 910 61 4,2 0R68 5K6
AB 851 M002C 5 42 10500 9 1170 94.5 6,5 0R43 3K6
AB 046 M002B 6 64 16000 10,5 1520 144 9,9 0R33 2K4
AB 039 M003C 7,4 100 25000 13 1920 225 15,7 0R22 1K0
AB 801 M003B 8,2 126 31500 14 2250 284 19,6 0R18 820R0
AB 675 M004A 9,4 168 42000 16,5 2550 378 26,1 0R12 560R0
AB 919 M004C 10,2 200 50000 17,5 2860 450 30,9 0R10 470R0
AB 070 M004B 11,2 242 60500 19,5 3100 545 37,6 0R082 390R0
AB 038 M005C 12,7 314 78500 22 3570 705 48,6 0R068 180R0
AB 974 M005B 13,7 366 91500 23,5 3890 825 56,8 0R056 150R0
AB 622 M006C 15,1 446 111500 26 4290 1005 69,3 0R047 120R0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 2,6 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 387 M002B 6 58 14500 10,5 1380 131 9 0R33 2K4
AB 399 M003C 7,4 96 24000 13 1850 216 14,8 0R22 1K0
AB 564 M003B 8,2 120 30000 14 2140 270 18,7 0R18 820R0
AB 902 M004A 9,4 162 40500 16,5 2450 365 25,2 0R12 560R0
AB 923 M004C 10,2 194 48500 17,5 2770 437 30,1 0R10 470R0
AB 029 M004B 11,2 236 59000 19,5 3030 530 36,7 0R082 390R0
AB 967 M005C 12,7 308 77000 22 3500 695 47,8 0R068 180R0
AB 978 M005B 13,7 360 90000 23,5 3830 810 55,9 0R056 150R0
AB 808 M006C 15,1 442 110500 26 4250 995 68,4 0R047 120R0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 3,4 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 409 M003C 7,4 86 21500 13 1650 194 13,4 0R22 1K0
АВ 886 M003B 8,2 110 27500 14 1960 248 17,2 0R18 820R0
АВ 565 М004А 9,4 154 38500 16,5 2330 347 23,7 0R12 560R0
АВ 926 М004С 10,2 184,0 46000 17,5 2630 414 28,6 0R10 470R0
АВ 403 М004В 11,2 228 57000 19,5 2920 515 35,2 0R082 390R0
АВ 460 М005С 12,7 298 74500 22 3390 670 46,3 0R068 180R0
АВ 946 М005В 13,7 352 88000 23,5 3740 790 54,5 0R056 150R0
АВ 410 М006C 15,1 432,0 108000 26 4150 970 66,9 0R047 120R0
Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Liniowe rezystory dyskowe

  • 100% materiału aktywnego
  • Wysoki wskaźnik energii udarowej
  • Duża wytrzymałość wysokonapięciowa
  • Zasadniczo bezindukcyjne
  • Duży zakres wielkości geometrycznych
  • Warunki powietrze/olej/SF6
  • Pojedynczy dysk albo konstrukcja modułowa

Dyskowe rezystory liniowe HVR są wykonywane z dokładnie zmieszanej mieszanki gliny, tlenku glinu i węgla. Po wymieszaniu materiał jest prasowany do wymaganego kształtu z średnicą w zakresie od 0,3 do 15,1 cm. Rezystory są potem wypalane w wysokiej temperaturze w piecu tunelowym o kontrolowanych warunkach.

W wyniku tego powstaje rezystor ceramiczny, węglowy, który jest w 100% materiałem aktywnym o minimalnych rozmiarach.

Następnie aluminium jest rozpylane płomieniowo na płaskie powierzchnie rezystora, w celu zapewnienia połączenia elektrycznego, a później dodawane jest nieprzewodzące pokrycie na obrzeża, w celu poprawienia wytrzymałości dielektrycznej.

Ze zdolnością do wytrzymywania energii od Dżuli do Megadżuli przy częstotliwościach do mega Hertza, liniowe rezystory dyskowe HVR mogą być wykorzystywane w większości wymagających aplikacji takich jak przesył energii, trakcja, napędy AC/DC, moc impulsowa, obciążenia testowe, grzanie indukcyjne i sieci formowania impulsów.

Specyfikacja techniczna

Dla liniowych rezystorów dyskowych bez otworu:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
АВ 378 М001А 1,9 7,2 1800 3,5 510 16 1,1 3R9 27k0
АВ 704 М001С 2,4 11,5 2875 4 720 26 1,8 2R0 15k0
АВ 419 М001В 3,1 19,2 4800 5,5 870 43 3 1R2 10k0
АВ 350 М002А 4,2 35,2 8800 7,5 1170 79 5,5 0R68 5К6
АВ 061 М002С 5 50 12500 9 1390 112.5 7,7 0R43 ЗК6
АВ 389 М002В 6 72 18000 10,5 1710 162 11,1 0R33 2K4
АВ 443 M003C 7,4 110 27500 13 2120 248 16,9 0R22 1K0
АВ 395 M003B 8,2 134 33500 14 2390 302 20,8 0R18 820R0
АВ 444 М004А 9,4 176 44000 16,5 2670 396 27,3 0R12 560R0
АВ 917 М004С 10,2 208 52000 17,5 2970 468 32,2 0R10 470R0
АВ 456 М004В 11,2 250 62500 19,5 3210 565 38,8 0R082 390R0
АВ 935 М005С 12,7 322 80500 22 3660 725 49,9 0R068 180R0
АВ 968 М005В 13,7 374 93500 23,5 3980 840 58 0R056 150R0
АВ 449 М006С 15,1 454 113500 26 4370 1020 70,5 0R047 120R0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 1,1 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 379 M001A 1,9 4,8 1200 3,5 340 11,0 0,7 3R9 27K0
AB 380 M001C 2,5 9,1 2275 4,0 570 20,5 1,4 2R0 15K0
AB 335 M001B 3,1 16,8 4200 5,5 760 38,0 2,6 1R2 10K0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 1,4 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 379 M001A 1,9 4,8 1200 3,5 340 11,0 0,7 3R9 27K0
AB 380 M001C 2,5 9,1 2275 4,0 570 20,5 1,4 2R0 15K0
AB 335 M001B 3,1 16,8 4200 5,5 760 38,0 2,6 1R2 10K0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 2,0 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 045 M002A 4,2 27,2 6800 7,5 910 61 4,2 0R68 5K6
AB 851 M002C 5 42 10500 9 1170 94.5 6,5 0R43 3K6
AB 046 M002B 6 64 16000 10,5 1520 144 9,9 0R33 2K4
AB 039 M003C 7,4 100 25000 13 1920 225 15,7 0R22 1K0
AB 801 M003B 8,2 126 31500 14 2250 284 19,6 0R18 820R0
AB 675 M004A 9,4 168 42000 16,5 2550 378 26,1 0R12 560R0
AB 919 M004C 10,2 200 50000 17,5 2860 450 30,9 0R10 470R0
AB 070 M004B 11,2 242 60500 19,5 3100 545 37,6 0R082 390R0
AB 038 M005C 12,7 314 78500 22 3570 705 48,6 0R068 180R0
AB 974 M005B 13,7 366 91500 23,5 3890 825 56,8 0R056 150R0
AB 622 M006C 15,1 446 111500 26 4290 1005 69,3 0R047 120R0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 2,6 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 387 M002B 6 58 14500 10,5 1380 131 9 0R33 2K4
AB 399 M003C 7,4 96 24000 13 1850 216 14,8 0R22 1K0
AB 564 M003B 8,2 120 30000 14 2140 270 18,7 0R18 820R0
AB 902 M004A 9,4 162 40500 16,5 2450 365 25,2 0R12 560R0
AB 923 M004C 10,2 194 48500 17,5 2770 437 30,1 0R10 470R0
AB 029 M004B 11,2 236 59000 19,5 3030 530 36,7 0R082 390R0
AB 967 M005C 12,7 308 77000 22 3500 695 47,8 0R068 180R0
AB 978 M005B 13,7 360 90000 23,5 3830 810 55,9 0R056 150R0
AB 808 M006C 15,1 442 110500 26 4250 995 68,4 0R047 120R0


Dla liniowych rezystorów dyskowych ze średnicą wewnętrzną 3,4 cm:

Typ dysku Model Średnica zewn. Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Jednostki (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 409 M003C 7,4 86 21500 13 1650 194 13,4 0R22 1K0
АВ 886 M003B 8,2 110 27500 14 1960 248 17,2 0R18 820R0
АВ 565 М004А 9,4 154 38500 16,5 2330 347 23,7 0R12 560R0
АВ 926 М004С 10,2 184,0 46000 17,5 2630 414 28,6 0R10 470R0
АВ 403 М004В 11,2 228 57000 19,5 2920 515 35,2 0R082 390R0
АВ 460 М005С 12,7 298 74500 22 3390 670 46,3 0R068 180R0
АВ 946 М005В 13,7 352 88000 23,5 3740 790 54,5 0R056 150R0
АВ 410 М006C 15,1 432,0 108000 26 4150 970 66,9 0R047 120R0
Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)