Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: HVR

Rezystory H. V. do kompaktowych zespołów obwodów elektrycznych

Rezystory H. V. do kompaktowych zespołów obwodów elektrycznych

  • 100% materiału aktywnego
  • Wysoki wskaźnik energii udarowej
  • Duża wytrzymałość wysokonapięciowa
  • Duży zakres wielkości geometrycznych

Typowe zastosowania:

  • Ładowanie/rozładowywanie kondensatorów
  • Dzielniki napięcia
  • Ochrona przepięciowa

Seria HVR rezystorów wysokonapięciowych do kompaktowych zespołów obwodów elektrycznych jest wykonywana z dokładnie dobranej mieszanki gliny, tlenku glinu i węgla. Po wymieszaniu materiał jest prasowany do określonego kształtu, a później wypalany w kontrolowanych warunkach przy wysokiej temperaturze. Ten proces spiekający wytwarza rezystor ceramiczny, węglowy, który jest w 100% materiałem aktywnym o minimalnych rozmiarach.

Rezystory H. V. do kompaktowych zespołów obwodów elektrycznych cechuje się promienistymi stykami ołowianymi i wysokiej jakości powłoką z żywicy epoksydowej w celu ulepszenia wytrzymałości dielektrycznej i mechanicznej.

Naturalnie bezindukcyjne i zdolne wytrzymać chwilowe impulsy wysokich napięć, ta seria jest idealna do zastosowań ładowania, rozładowania, snubberów, dzielników napięć i ochrony przepięciowej. Te typowe zastosowania cechują źródła dużych mocy, lasery, radary, medyczny i wojskowy sprzęt.

Specyfikacja techniczna

Dla serii kompaktowych rezystorów H. V. o średnim zakresie mocy 1,0 W – 2,5 W:

Typ dysku Model Ogólne wymiary Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Do Max Lo Max LpZakr.
Jednostki (cm) (cm) (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 912 1104 13 9 4,5-6 0,4 100 1 100 2,0 2,4 1R2 8K2
AB 903 1107 13 12 7,5-9 0,7 175 1,25 140 2,5 1,4 2R2 15K0
AB 017 1111 13 16 11,5-13 1 250 1,5 165 3,5 0,9 3R3 22K0
AB 892 1114 13 19 14,5-16 1,3 325 1,75 185 4 0,7 4R7 27K0
AJ 149 1117 13 22 17,5-19 1,6 400 2 200 5 0,6 5R6 33K0
AB 986 1414 16 19 14,5-16 2,2 550 2,25 245 6,5 1,1 2R7 18K0
AB 993 1417 16 22 17,5-19 2,6 650 2,5 260 7,0 0,9 3R3 22K0


Dla serii kompaktowych rezystorów H. V. o średnim zakresie mocy 2,6 W – 4,5 W:

Typ dysku Model Ogólne wymiary Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Do Max Lo Max LpZakr.
Jednostki (cm) (cm) (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 058 1911 21 16 11,5-13 3,1 775 2,75 280 9 2,6 1R2 8K2
AB 840 1915 21 20 15,5-17 4,3 1075 3,25 330 11,5 1,9 1R5 10K0
AB 893 1917 21 22 17,5-19 4,8 1200 3,5 345 13 1,7 1R8 12K0
AB 620 1920 21 25 20,5-22 5,7 1425 4 355 15 1,4 2R2 15K0
AB 663 1927 21 32 27,5-29 7,7 1925 4,75 405 20 1,1 2R7 18K0
AB 880 2410 26 15 10,5-12 4,5 1125 3,75 300 12,5 4,5 0R68 4K7
AB 885 2415 26 20 15,5-17 6,8 1700 4,5 380 17,5 3 1R0 6K8


Dla serii kompaktowych rezystorów H. V. o średnim zakresie mocy 4,6 W – 13,8 W:

Typ dysku Model Ogólne wymiary Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Do Max Lo Max LpZakr.
Jednostki (cm) (cm) (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 881 2420 26 25 20,5-22 9 2250 5,25 430 22.5 2,3 1R5 8K2
AB 662 2425 26 30 25,5-27 11,3 2825 6 470 28 1,8 1R8 12K0
AB 241 2435 26 40 35,5-37 15,8 3950 7,75 510 38 1,3 2R2 15K0
AB 664 2450 26 55 50,5-52 22,6 5650 10 565 54 0,9 3R3 22K0
AB 252 3115 33 20 15,5-17 11,3 2825 6,5 435 28 5 0R56 3K9
AB 857 3127 33 32 27,5-29 20,4 5100 9 565 48.5 2,8 1R0 6K8
AB 185 3135 33 40 35,5-37 26,4 6600 10,5 630 62.5 2,2 1R5 10K0
AB 186 3150 33 55 50,5-52 37,7 9425 13,75 685 88 1,5 2R2 15K0
Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Rezystory H. V. do kompaktowych zespołów obwodów elektrycznych

  • 100% materiału aktywnego
  • Wysoki wskaźnik energii udarowej
  • Duża wytrzymałość wysokonapięciowa
  • Duży zakres wielkości geometrycznych

Typowe zastosowania:

  • Ładowanie/rozładowywanie kondensatorów
  • Dzielniki napięcia
  • Ochrona przepięciowa

Seria HVR rezystorów wysokonapięciowych do kompaktowych zespołów obwodów elektrycznych jest wykonywana z dokładnie dobranej mieszanki gliny, tlenku glinu i węgla. Po wymieszaniu materiał jest prasowany do określonego kształtu, a później wypalany w kontrolowanych warunkach przy wysokiej temperaturze. Ten proces spiekający wytwarza rezystor ceramiczny, węglowy, który jest w 100% materiałem aktywnym o minimalnych rozmiarach.

Rezystory H. V. do kompaktowych zespołów obwodów elektrycznych cechuje się promienistymi stykami ołowianymi i wysokiej jakości powłoką z żywicy epoksydowej w celu ulepszenia wytrzymałości dielektrycznej i mechanicznej.

Naturalnie bezindukcyjne i zdolne wytrzymać chwilowe impulsy wysokich napięć, ta seria jest idealna do zastosowań ładowania, rozładowania, snubberów, dzielników napięć i ochrony przepięciowej. Te typowe zastosowania cechują źródła dużych mocy, lasery, radary, medyczny i wojskowy sprzęt.

Specyfikacja techniczna

Dla serii kompaktowych rezystorów H. V. o średnim zakresie mocy 1,0 W – 2,5 W:

Typ dysku Model Ogólne wymiary Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Do Max Lo Max LpZakr.
Jednostki (cm) (cm) (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 912 1104 13 9 4,5-6 0,4 100 1 100 2,0 2,4 1R2 8K2
AB 903 1107 13 12 7,5-9 0,7 175 1,25 140 2,5 1,4 2R2 15K0
AB 017 1111 13 16 11,5-13 1 250 1,5 165 3,5 0,9 3R3 22K0
AB 892 1114 13 19 14,5-16 1,3 325 1,75 185 4 0,7 4R7 27K0
AJ 149 1117 13 22 17,5-19 1,6 400 2 200 5 0,6 5R6 33K0
AB 986 1414 16 19 14,5-16 2,2 550 2,25 245 6,5 1,1 2R7 18K0
AB 993 1417 16 22 17,5-19 2,6 650 2,5 260 7,0 0,9 3R3 22K0


Dla serii kompaktowych rezystorów H. V. o średnim zakresie mocy 2,6 W – 4,5 W:

Typ dysku Model Ogólne wymiary Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Do Max Lo Max LpZakr.
Jednostki (cm) (cm) (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 058 1911 21 16 11,5-13 3,1 775 2,75 280 9 2,6 1R2 8K2
AB 840 1915 21 20 15,5-17 4,3 1075 3,25 330 11,5 1,9 1R5 10K0
AB 893 1917 21 22 17,5-19 4,8 1200 3,5 345 13 1,7 1R8 12K0
AB 620 1920 21 25 20,5-22 5,7 1425 4 355 15 1,4 2R2 15K0
AB 663 1927 21 32 27,5-29 7,7 1925 4,75 405 20 1,1 2R7 18K0
AB 880 2410 26 15 10,5-12 4,5 1125 3,75 300 12,5 4,5 0R68 4K7
AB 885 2415 26 20 15,5-17 6,8 1700 4,5 380 17,5 3 1R0 6K8


Dla serii kompaktowych rezystorów H. V. o średnim zakresie mocy 4,6 W – 13,8 W:

Typ dysku Model Ogólne wymiary Pojemn. aktywna Max. Joule przy 25°C Max. Moc przy 25°C T.T.C.(t) Waga A/L Zakres rezystancji
Do Max Lo Max LpZakr.
Jednostki (cm) (cm) (cm) (cm3) (J) (W) (s) (g) (cm) Ohm Ohm
AB 881 2420 26 25 20,5-22 9 2250 5,25 430 22.5 2,3 1R5 8K2
AB 662 2425 26 30 25,5-27 11,3 2825 6 470 28 1,8 1R8 12K0
AB 241 2435 26 40 35,5-37 15,8 3950 7,75 510 38 1,3 2R2 15K0
AB 664 2450 26 55 50,5-52 22,6 5650 10 565 54 0,9 3R3 22K0
AB 252 3115 33 20 15,5-17 11,3 2825 6,5 435 28 5 0R56 3K9
AB 857 3127 33 32 27,5-29 20,4 5100 9 565 48.5 2,8 1R0 6K8
AB 185 3135 33 40 35,5-37 26,4 6600 10,5 630 62.5 2,2 1R5 10K0
AB 186 3150 33 55 50,5-52 37,7 9425 13,75 685 88 1,5 2R2 15K0
Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)