Transformator sterujący do tranzystorów mocy
  • Transformator sterujący do tranzystorów mocy

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: SIRIO

Transformator sterujący do tranzystorów mocy

Przedstawiamy nową serię transformatorów odpowiednich do sterowania pracujących z dużą częstotliwością tranzystorów MOSFET, IGBT itp. Z uwagi na różnicę w sposobie sterowania firma Sirio jest w stanie wykonać transformatory zgodnie z wymaganiami klienta. Typowe modele zamieszczamy poniżej.


Typ n ƒudt
[µVs]		 Ip RMS
[mA]		 Lp
[mH]		 Ls
[µH]		 Ck
[pF]		 Rp
[mΩ]		 Rs
[mΩ]		 Uis
[V AC]		 Uis/STD
[V AC]		 Up
[kV]		 Obudowa Schemat
TI/105 630 1:1 5 400 0,04 0,18 9 20 48 700 440 / IEC742 4 105 G
TI/105 645 1:1,25:1,25 5 400 0,04 0,15 10 20 60 700 440 / IEC742 4 105 H
TI/109 217 1:1 200 350 1,75 5 25 320 260 440 440 / IEC742 3,75 109 C
TI/109 221 1:1:1 60 500 0,3 0,8 20 70 160 500 500 / IEC742 4,4 109 B
TI/109 204 1:1:1 120 300 0,85 2 14 250 450 700 440 / IEC742 4,2 109 B
TI/109 220 1:1:1 170 300 1,85 2,5 20 410 480 440 440 / IEC950 3,1 109 B
TI/109 210 1:1:1 250 300 2,5 5 25 500 650 330 330 / IEC742 3,1 109 A
TI/109 205 1:1,3 60 300 0,22 1,2 11 120 180 700 700 / IEC742 5 109 C
TI/109 202 1:1,3+1,3 60 100 0,21 1,6 11 120 280 700 700 / IEC742 5 109 A
TI/109 215 1:1,2+1,2 150 250 1,3 3 20 430 510 500 500 / IEC950 4 109 B
TI/109 213 1,13:1:1 180 250 1,85 4 20 520 450 500 500 / IEC950 4 109 B
TI/109 214 1,4:1:1 200 250 2,15 4 20 550 400 500 500 / IEC950 4 109 B
TI/117 610 1:1 150 600 0,35 0,9 25 120 135 700 700 / IEC950 4 117 D
TI/117 110 1:1 300 200 3,5 5 35 800 800 500 500 / IEC950 4 117 D
TI/117 615 1:1:1 150 600 0,35 0,6 40 120 150 700 700 / IEC950 4 117 E
TI/117 120 1:1:1 300 200 3,5 2,2 35 800 800 500 500 / IEC950 4 117 E
TI/117 147 2:1 250 400 5,8 10 25 500 250 500 500 / IEC950 4 117 D
TI/117 155 2:1:1 250 400 5,8 8,5 25 500 250 500 500 / IEC950 4 117 E
TI/117 263 3:1 200 130 1,6 3 22 160 70 500 500 / IEC950 3,2 117 F

Uwaga: n - przekładnia transformatora
Rp/Rs - rezystancja uzwojenia pierwotnego/wtórnego
Lp - indukcyjność uzwojenia pierwotnego
Uis - napięcie pracy
Ck - pojemność sprzężenia pomiędzy uzwojeniem pierwotnymi wtórnym połączonymi razem
Up - napięcie probiercze
Ls - indukcyjność rozproszenia uzwojenia pierwotnego odniesiona dowtórnego w stanie zwarcia
ƒudt - minimalna wartość wypełnienia impulsu napięciowego transformowanegona stronę wtórną w impulsie unipolarnym



Obudowa 117
 Obudowa 105
 Obudowa 109


Schematy

A B C D E F G H
Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Przedstawiamy nową serię transformatorów odpowiednich do sterowania pracujących z dużą częstotliwością tranzystorów MOSFET, IGBT itp. Z uwagi na różnicę w sposobie sterowania firma Sirio jest w stanie wykonać transformatory zgodnie z wymaganiami klienta. Typowe modele zamieszczamy poniżej.


Typ n ƒudt
[µVs]		 Ip RMS
[mA]		 Lp
[mH]		 Ls
[µH]		 Ck
[pF]		 Rp
[mΩ]		 Rs
[mΩ]		 Uis
[V AC]		 Uis/STD
[V AC]		 Up
[kV]		 Obudowa Schemat
TI/105 630 1:1 5 400 0,04 0,18 9 20 48 700 440 / IEC742 4 105 G
TI/105 645 1:1,25:1,25 5 400 0,04 0,15 10 20 60 700 440 / IEC742 4 105 H
TI/109 217 1:1 200 350 1,75 5 25 320 260 440 440 / IEC742 3,75 109 C
TI/109 221 1:1:1 60 500 0,3 0,8 20 70 160 500 500 / IEC742 4,4 109 B
TI/109 204 1:1:1 120 300 0,85 2 14 250 450 700 440 / IEC742 4,2 109 B
TI/109 220 1:1:1 170 300 1,85 2,5 20 410 480 440 440 / IEC950 3,1 109 B
TI/109 210 1:1:1 250 300 2,5 5 25 500 650 330 330 / IEC742 3,1 109 A
TI/109 205 1:1,3 60 300 0,22 1,2 11 120 180 700 700 / IEC742 5 109 C
TI/109 202 1:1,3+1,3 60 100 0,21 1,6 11 120 280 700 700 / IEC742 5 109 A
TI/109 215 1:1,2+1,2 150 250 1,3 3 20 430 510 500 500 / IEC950 4 109 B
TI/109 213 1,13:1:1 180 250 1,85 4 20 520 450 500 500 / IEC950 4 109 B
TI/109 214 1,4:1:1 200 250 2,15 4 20 550 400 500 500 / IEC950 4 109 B
TI/117 610 1:1 150 600 0,35 0,9 25 120 135 700 700 / IEC950 4 117 D
TI/117 110 1:1 300 200 3,5 5 35 800 800 500 500 / IEC950 4 117 D
TI/117 615 1:1:1 150 600 0,35 0,6 40 120 150 700 700 / IEC950 4 117 E
TI/117 120 1:1:1 300 200 3,5 2,2 35 800 800 500 500 / IEC950 4 117 E
TI/117 147 2:1 250 400 5,8 10 25 500 250 500 500 / IEC950 4 117 D
TI/117 155 2:1:1 250 400 5,8 8,5 25 500 250 500 500 / IEC950 4 117 E
TI/117 263 3:1 200 130 1,6 3 22 160 70 500 500 / IEC950 3,2 117 F

Uwaga: n - przekładnia transformatora
Rp/Rs - rezystancja uzwojenia pierwotnego/wtórnego
Lp - indukcyjność uzwojenia pierwotnego
Uis - napięcie pracy
Ck - pojemność sprzężenia pomiędzy uzwojeniem pierwotnymi wtórnym połączonymi razem
Up - napięcie probiercze
Ls - indukcyjność rozproszenia uzwojenia pierwotnego odniesiona dowtórnego w stanie zwarcia
ƒudt - minimalna wartość wypełnienia impulsu napięciowego transformowanegona stronę wtórną w impulsie unipolarnym



Obudowa 117
 Obudowa 105
 Obudowa 109


Schematy

A B C D E F G H
Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)