Musisz być zalogowany/a
-
-
-
Category
-
Półprzewodniki
- Diody
-
Tyrystory
- Tyrystory firmy VISHAY (IR)
- Tyrystory firmy LAMINA
- Tyrystory firmy INFINEON (EUPEC)
- Tyrystory firmy ESTEL
- Tyrystory firmy WESTCODE
- Tyrystory firmy Semikron
- Tyrystory firmy POWEREX
- Tyrystory firmy DYNEX
- Tyrystory do grzejnictwa indukcyjnego
- Tyrystory firmy ABB
- Tyrystory firmy TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
-
Moduły elektroizolowane
- Moduły elektroizolowane firmy VISHAY (IR)
- Moduły elektroizolowane firmy INFINEON (EUPEC)
- Moduły elektroizolowane firmy Semikron
- Moduły elektroizolowane firmy POWEREX
- Moduły elektroizolowane firmy IXYS
- Moduły elektroizolowane firmy POSEICO
- Moduły elektroizolowane firmy ABB
- Moduły elektroizolowane firmy TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
- Mostki prostownicze
-
Tranzystory
- Tranzystory firmy GeneSiC
- Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi
- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
- Moduły SiC MOSFET firmy ABB
- Moduły IGBT firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy MITSUBISHI
- Moduły MOSFET firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy ABB
- Moduły IGBT firmy POWEREX
- Moduły IGBT - firmy INFINEON (EUPEC)
- Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
- Przejdź do podkategorii
- Sterowniki
- Bloki mocy
- Przejdź do podkategorii
- Przetworniki prądowe i napięciowe LEM
-
Elementy pasywne (kondensatory, rezystory, bezpieczniki, filtry)
- Rezystory
-
Bezpieczniki
- Bezpieczniki miniaturowe do układów elektronicznych seria ABC i AGC
- Bezpieczniki szybkie rurkowe
- Wkładki zwłoczne o charakterystykach GL/GG oraz AM
- Wkładki topikowe ultraszybkie
- Bezpieczniki szybkie standard brytyjski i amerykański
- Bezpieczniki szybkie standard europejski
- Bezpieczniki trakcyjne
- Wkładki bezpiecznikowe wysokonapięciowe
- Przejdź do podkategorii
-
Kondensatory
- Kondensatory do silników
- Kondensatory elektrolityczne
- Kondensatory foliowe Icel
- Kondensatory mocy
- Kondensatory do obwodów DC
- Kondensatory do kompensacji mocy
- Kondensatory wysokonapięciowe
- Kondensatory do grzejnictwa indukcyjnego
- Kondensatory impulsowe
- Kondensatory DC LINK
- Kondensatory do obwodów AC/DC
- Przejdź do podkategorii
- Filtry przeciwzakłóceniowe
- Superkondensatory
-
Zabezpieczenia przeciwprzepięciowe
- Ograniczniki przepięć dla aplikacji RF
- Ograniczniki przepięć dla systemów wizyjnych
- Ograniczniki przepięć linii zasilających
- Ograniczniki przepięć do LED
- Ograniczniki przepięć do Fotowoltaiki
- Ograniczniki przepięć dla systemów wagowych
- Ograniczniki przepięć dla magistrali Fieldbus
- Przejdź do podkategorii
- Filtry emisji ujawniającej TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Przekaźniki i Styczniki
- Teoria przekaźniki i styczniki
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC 3-fazowe
- Przekaźniki półprzewodnikowe DC
- Regulatory, układy sterujące i akcesoria
- Soft starty i styczniki nawrotne
- Przekaźniki elektromechaniczne
- Styczniki
- Przełączniki obrotowe
-
Przekaźniki półprzewodnikowe AC 1-fazowe
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii 1 | D2425 | D2450
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii CWA I CWD
- Przekażniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii CMRA I CMRD
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii PS
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC podwójne i poczwórne serii D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- 1-fazowe przekaźniki półprzewodnikowe serii gn
- Przekaźniki półprzewodnikowe ac jednofazowe serii ckr
- Przekaźniki AC jednofazowe na szynę din SERII ERDA I ERAA
- Przekaźniki jednofazowe AC na prąd 150A
- Podwójne przekaźniki półprzewodnikowe zintegrowane z radiatorem na szynę DIN
- Przejdź do podkategorii
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC 1-fazowe do druku
- Przekaźniki interfejsowe
- Przejdź do podkategorii
- Rdzenie oraz inne elementy indukcyjne
- Radiatory, Warystory, Zabezpieczenia termiczne
- Wentylatory
- Klimatyzacja, Osprzęt do szaf rozdzielczych, Chłodnice
-
Akumulatory, ładowarki, zasilacze buforowe i przetwornice
- Akumulatory, ładowarki - opis teoretyczny
- Baterie litowo-jonowe. Niestandardowe baterie. System zarządzania baterią (BMS)
- Akumulatory
- Ładowarki akumulatorów i akcesoria
- Zasilacze UPS i zasilacze buforowe
- Przetwornice i osprzęt do fotowoltaiki
- Magazyny energii
- Wodorowe ogniwa paliwowe
- Ogniwa litowo-jonowe
- Przejdź do podkategorii
-
Automatyka
- Części do dronów Futaba
- Wyłączniki krańcowe, Mikrowyłączniki
- Czujniki, Przetworniki
- Pirometry
- Liczniki, Przekaźniki czasowe, Mierniki tablicowe
- Przemysłowe urządzenia ochronne
- Sygnalizacja świetlna i dźwiękowa
- Kamera termowizyjna
- Wyświetlacze LED
- Przyciski i przełączniki
-
Rejestratory
- Rejestrator AL3000
- Rejestrator KR2000
- Rejestrator KR5000
- Miernik z funkcją rejestracji wilgotności i temperatury HN-CH
- Materiały eksploatacyjne do rejestratorów
- Rejestrator 71VR1
- Rejestrator KR 3000
- Rejestratory PC serii R1M
- Rejestratory PC serii R2M
- Rejestrator PC, 12 izolowanych wejść – RZMS-U9
- Rejestrator PC, USB, 12 izolowanych wejść – RZUS
- Przejdź do podkategorii
- Przejdź do podkategorii
-
Przewody, Lica, Peszle, Połączenia elastyczne
- Druty
- Lica
-
Kable do zastosowań specjalnych
- Przewody przedłużające i kompensujące
- Przewody do termopar
- Przewody podłączeniowe do czyjnków PT
- Przewody wielożyłowe temp. -60°C do +1400°C
- SILICOUL przewody średniego napięcia
- Przewody zapłonowe
- Przewody grzejne
- Przewody jednożyłowe temp. -60°C do +450°C
- Przewody kolejowe
- Przewody grzejne w Ex
- Przewody dla przemysłu obronnego
- Przejdź do podkategorii
- Koszulki
-
Plecionki
- Plecionki płaskie
- Plecionki okrągłe
- Bardzo giętkie plecionki - płaskie
- Bardzo giętkie plecionki - okrągłe
- Miedziane plecionki cylindryczne
- Miedziane plecionki cylindryczne i osłony
- Paski uziemiające giętkie
- Plecionki cylindryczne z ocynkowanej i nierdzewnej stali
- Miedziane plecionki izolowane PCV - temperatura do 85 stopni C
- Płaskie plecionki aluminiowe
- Zestaw połączeniowy - plecionki i rurki
- Przejdź do podkategorii
- Osprzęt dla trakcji
- Końcówki kablowe
- Szyny elastyczne izolowane
- Wielowarstwowe szyny elastyczne
- Systemy prowadzenia kabli
- Peszle, rury
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Półprzewodniki
-
-
Tranzystory
Kategorie
- Tranzystory firmy GeneSiC
- Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi
- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
- Moduły SiC MOSFET firmy ABB
- Moduły IGBT firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy MITSUBISHI
- Moduły MOSFET firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy ABB
- Moduły IGBT firmy POWEREX
- Moduły IGBT - firmy INFINEON (EUPEC)
- Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
- Moduły tranzystorowe firmy Dynex
- Tranzystory MOSFET - firmy VISHAY (IR)
- Moduły SIC MOSFET - POWEREX
- Moduły IGBT - firmy Semikron
- Sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT firmy Semikron
- Moduły MOSFET firmy Microsemi
- Tranzystory IGBT firmy VISHAY (IR)
- Moduły IGBT firmy Starpower
- Tranzystory GaN firmy EPC
| Obraz | Zobacz produkt | Nr producenta | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
Mitsubishi | Moduły SiC MOSFET | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK25TMLID12F4TE2 Moduł IGBT | ZOBACZ | SK25TMLID12F4TE2 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC2304 Tranzystor | ZOBACZ | EPC2304 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 21 | 7-May | 2-Jun | 115 | 102 | 260 | QFN 3 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06L | ZOBACZ | G3F45MT06L | Na zamówienie | TOLL | -- | -- | -- | 61 A | -- | -- | -- | 43 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | 55 mΩ |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | ZOBACZ | G3F40MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 59 A | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 40 mΩ | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 3 generacja modułów IGBT - seria H | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF375DC-66A MOSFET SiC | ZOBACZ | FMF375DC-66A | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 375 V | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK10DGDL12T7ETE1s Moduł IGBT | ZOBACZ | SK10DGDL12T7ETE1s | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K | ZOBACZ | G3F65MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | 35 A | -- | -- | -- | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 65 mΩ | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ZOBACZ | G3F20MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 20 mΩ | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | ZOBACZ | EPC23103 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7-Jun | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 4 generacja modułów IGBT TRENCH - seria F | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1 | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PSH30L92C6-W MOSFET SiC | ZOBACZ | PSH30L92C6-W | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | CMH400HC6-24NFM MOSFET SiC | ZOBACZ | CMH400HC6-24NFM | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 1in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 400 V | -- | -- |
| -- |
|
Mitsubishi | 7 generacja modułów IGBT | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| -- |
|
SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 Moduł IGBT | ZOBACZ | SK225GH07H5TD1E2 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKiM429GD17E4V5 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKiM429GD17E4V5 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1700 V | 420 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7020 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J | ZOBACZ | G3F65MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | 26 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 65 mΩ | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | ZOBACZ | G3F20MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 108 A | -- | -- | -- | 76 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 20 mΩ | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Wysokonapięciowe moduły diodowe | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Moduły IGBT szybkie - seria NFH | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 5 generacja modułów ipm -seria FULL GATE CSTBT (WERSJA L1 i S1 ) | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzystory od sprawdzonego dostawcy
Dacpol jest doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystorów. Nasi klienci mogą polegać na jakości dostarczanych przez nas produktów i usług, niezależnie od tego czy kupują moduły MOSFET, diody prądu stałego czy elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.
Jesteśmy gotowi dostarczyć hurtową ilość szukanego przez Państwa produktu bez względu na to, czy zamawiają Państwo pojedyncze tranzystory, czy kupują je w ilościach hurtowych, oferujemy kompleksową dostawę wszystkich produktów.
Ze względu na najwyższą jakość obsługi oferujemy swoim klientom wyłącznie produkty od sprawdzonych dostawców i producentów. Nasza kadra inżynierów, na każdym etapie służy swoją wiedzą i doradztwem tak, aby móc zapewnić klientom informacje na temat konserwacji i użytkowania zakupionych produktów
Oferta Dacpol w zakresie produktów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza jest znacznie większa i obejmuje różnego rodzaju artykuły elektryczne i przemysłowe z kategorii tranzystory. Na naszej stronie internetowej mogą zapoznać się Państwo z pełną ofertą towarów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza.
Tranzystory polowe od DACPOL
Oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOS-FET oraz IGBT.
Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.
Dostępne są w przedziale prądowym od 1,1A do 250A i napięciami od 12V do 900V. Tranzystory MOS-FET wytwarzane są w następujących typach obudów: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.
Wysoka jakość oferowanych produktów
Dostępne są w obudowach elektroizolowanych jako pojedyncze tranzystory, moduły dwutranzystorowe (półmostki), moduły sześcioelementowe (pełny mostek), moduły siedmioelementowe (pełny mostek z tranzystorem). Typowe obudowy to: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.
Sprawdź również nasze produkty z kategorii mostki prostownicze!
Czym są tranzystory i jakie są ich podstawowe rodzaje?
Tranzystory to półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne, które mają za zadanie przede wszystkim wzmacnianie sygnału poprzez zwiększenie ich amplitudy. Dodatkowo mogą kontrolować przepływ prądu w obwodach elektrycznych – działać jak przełącznik. Wykonywane są z materiałów półprzewodnikowych, takich jak krzem czy german. Tranzystor po raz pierwszy został zbudowany w 1948 roku przez J. Bardeen oraz W.H. Brattain. Jego konstruktorzy wraz z W.B. Shockley – twórcą modelu bipolarnego otrzymali w 1956 roku za niego Nagrodę Nobla.
Półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne dzielą się na dwa główne rodzaje. Pierwsze z nich to tranzystory polowe, określane również jako unipolarne, które są sterowane napięciowo. Składają się z bramki, która po przyłożeniu do niej napięcia wytwarza pole elektromagnetyczne zmieniające opór między drenem a źródłem, czyli miejscem wyjścia sygnału.
Tranzystor bipolarny określany również jako złączowy to natomiast ich drugi rodzaj. Składa się z bazy, emitera oraz kolektora. Sterowany jest za pomocą prądu, który przepływa między emiterem a bazą. Tranzystory bipolarne dodatkowo dzielą się również na modele n-p-n oraz p-n-p.
Czym charakteryzuje się tranzystor polowy i gdzie najczęściej znajduje zastosowanie?
Tranzystor MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), zaliczany do modeli polowych, czterozaciskowych cechują się wysoką rezystencją wyjściową oraz bardzo szybkim czasem przełączania. Z tego względu znajdują one zastosowanie przede wszystkim w:
- zasilaczach impulsowych, w których zapewniają możliwość skutecznego i wydajnego zarządzania siecią,
- ładowarkach do pojazdów elektrycznych oraz hybrydowych,
- zasilaczach UPS,
- napędach silnikowych wykorzystywanych w motoryzacji i przemyśle,
- wzmacniaczach układów audio lub telekomunikacyjnych,
- układach scalonych, w szczególności bazujących na technologii CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), stosowanej obecnie w przeważającej części mikroprocesorów.
Dodatkowo należy zaznaczyć, że tranzystory polowe mogą być wykorzystywane zarówno w układach scalonych bazujących na sygnałach analogowych, jak i cyfrowych.
Czym są tranzystory IGBT i do czego są wykorzystywane?
Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zaliczane do bramowych urządzeń izolowanych łączą cechy modeli bipolarnych oraz MOS-FET. Dzięki temu cechują się wysoką łatwością sterowania oraz przełączania. Tranzystor IGBT przystosowany jest do obsługiwania obciążeń o znaczącej mocy, wynoszącej nawet do kilkuset kW. Ma także zdolność do blokowania wysokich napięć dochodzących do 6 kV. Jednocześnie jego zastosowanie zapewnia niewielkie straty mocy. Z tego względu tego typu tranzystor może zostać wykorzystany w między innymi w:
- falownikach, w których będzie przekształcał napięcie stałe w zmienne na potrzeby systemów energetycznych,
- kuchenkach i ładowarkach indukcyjnych,
- zasilaczach awaryjnych,
- zasilaczach impulsowych,
- systemach napędowych stosowanych w przemyśle, takich jak silniki elektryczne.