Musisz być zalogowany/a
Tranzystory
Kategorie
- Tranzystory firmy GeneSiC
- Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi
- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
- Moduły SiC MOSFET firmy ABB
- Moduły IGBT firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy MITSUBISHI
- Moduły MOSFET firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy ABB
- Moduły IGBT firmy POWEREX
- Moduły IGBT - firmy INFINEON (EUPEC)
- Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
- Moduły tranzystorowe firmy Dynex
- Tranzystory MOSFET - firmy VISHAY (IR)
- Moduły SIC MOSFET - POWEREX
- Moduły IGBT - firmy Semikron
- Sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT firmy Semikron
- Moduły MOSFET firmy Microsemi
- Tranzystory IGBT firmy VISHAY (IR)
- Moduły IGBT firmy Starpower
- Tranzystory GaN firmy EPC
Obraz | Zobacz produkt | Nr producenta | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK25TMLID12F4TE2 Moduł IGBT | ZOBACZ | SK25TMLID12F4TE2 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC2304 Tranzystor | ZOBACZ | EPC2304 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 21 | 7-May | 2-Jun | 115 | 102 | 260 | QFN 3 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06L | ZOBACZ | G3F45MT06L | Na zamówienie | TOLL | -- | -- | -- | 61 A | -- | -- | -- | 43 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | 55 mΩ |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | ZOBACZ | G3F40MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 59 A | -- | -- | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 40 mΩ | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 3 generacja modułów IGBT - seria H | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | FMF375DC-66A MOSFET SiC | ZOBACZ | FMF375DC-66A | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 375 V | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | Moduły SiC MOSFET | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK10DGDL12T7ETE1s Moduł IGBT | ZOBACZ | SK10DGDL12T7ETE1s | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K | ZOBACZ | G3F65MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | 35 A | -- | -- | -- | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 65 mΩ | -- |
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ZOBACZ | G3F20MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 20 mΩ | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | ZOBACZ | EPC23103 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7-Jun | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 4 generacja modułów IGBT TRENCH - seria F | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1 | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | PSH30L92C6-W MOSFET SiC | ZOBACZ | PSH30L92C6-W | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | CMH400HC6-24NFM MOSFET SiC | ZOBACZ | CMH400HC6-24NFM | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | 1in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 400 V | -- | -- |
-- |
![]() |
Mitsubishi | 7 generacja modułów IGBT | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
-- |
![]() |
SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 Moduł IGBT | ZOBACZ | SK225GH07H5TD1E2 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKiM429GD17E4V5 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKiM429GD17E4V5 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1700 V | 420 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7020 | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 11 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J | ZOBACZ | G3F65MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | 26 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 65 mΩ | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | ZOBACZ | G3F20MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | -- | -- | -- | 108 A | -- | -- | -- | 76 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 20 mΩ | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Wysokonapięciowe moduły diodowe | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Moduły IGBT szybkie - seria NFH | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 5 generacja modułów ipm -seria FULL GATE CSTBT (WERSJA L1 i S1 ) | ZOBACZ | -- | Na zamówienie | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzystory od sprawdzonego dostawcy
Dacpol jest doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystorów. Nasi klienci mogą polegać na jakości dostarczanych przez nas produktów i usług, niezależnie od tego czy kupują moduły MOSFET, diody prądu stałego czy elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.
Jesteśmy gotowi dostarczyć hurtową ilość szukanego przez Państwa produktu bez względu na to, czy zamawiają Państwo pojedyncze tranzystory, czy kupują je w ilościach hurtowych, oferujemy kompleksową dostawę wszystkich produktów.
Ze względu na najwyższą jakość obsługi oferujemy swoim klientom wyłącznie produkty od sprawdzonych dostawców i producentów. Nasza kadra inżynierów, na każdym etapie służy swoją wiedzą i doradztwem tak, aby móc zapewnić klientom informacje na temat konserwacji i użytkowania zakupionych produktów
Oferta Dacpol w zakresie produktów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza jest znacznie większa i obejmuje różnego rodzaju artykuły elektryczne i przemysłowe z kategorii tranzystory. Na naszej stronie internetowej mogą zapoznać się Państwo z pełną ofertą towarów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza.
Tranzystory polowe od DACPOL
Oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOS-FET oraz IGBT.
Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.
Dostępne są w przedziale prądowym od 1,1A do 250A i napięciami od 12V do 900V. Tranzystory MOS-FET wytwarzane są w następujących typach obudów: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.
Wysoka jakość oferowanych produktów
Dostępne są w obudowach elektroizolowanych jako pojedyncze tranzystory, moduły dwutranzystorowe (półmostki), moduły sześcioelementowe (pełny mostek), moduły siedmioelementowe (pełny mostek z tranzystorem). Typowe obudowy to: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.
Sprawdź również nasze produkty z kategorii mostki prostownicze!
Czym są tranzystory i jakie są ich podstawowe rodzaje?
Tranzystory to półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne, które mają za zadanie przede wszystkim wzmacnianie sygnału poprzez zwiększenie ich amplitudy. Dodatkowo mogą kontrolować przepływ prądu w obwodach elektrycznych – działać jak przełącznik. Wykonywane są z materiałów półprzewodnikowych, takich jak krzem czy german. Tranzystor po raz pierwszy został zbudowany w 1948 roku przez J. Bardeen oraz W.H. Brattain. Jego konstruktorzy wraz z W.B. Shockley – twórcą modelu bipolarnego otrzymali w 1956 roku za niego Nagrodę Nobla.
Półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne dzielą się na dwa główne rodzaje. Pierwsze z nich to tranzystory polowe, określane również jako unipolarne, które są sterowane napięciowo. Składają się z bramki, która po przyłożeniu do niej napięcia wytwarza pole elektromagnetyczne zmieniające opór między drenem a źródłem, czyli miejscem wyjścia sygnału.
Tranzystor bipolarny określany również jako złączowy to natomiast ich drugi rodzaj. Składa się z bazy, emitera oraz kolektora. Sterowany jest za pomocą prądu, który przepływa między emiterem a bazą. Tranzystory bipolarne dodatkowo dzielą się również na modele n-p-n oraz p-n-p.
Czym charakteryzuje się tranzystor polowy i gdzie najczęściej znajduje zastosowanie?
Tranzystor MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), zaliczany do modeli polowych, czterozaciskowych cechują się wysoką rezystencją wyjściową oraz bardzo szybkim czasem przełączania. Z tego względu znajdują one zastosowanie przede wszystkim w:
- zasilaczach impulsowych, w których zapewniają możliwość skutecznego i wydajnego zarządzania siecią,
- ładowarkach do pojazdów elektrycznych oraz hybrydowych,
- zasilaczach UPS,
- napędach silnikowych wykorzystywanych w motoryzacji i przemyśle,
- wzmacniaczach układów audio lub telekomunikacyjnych,
- układach scalonych, w szczególności bazujących na technologii CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), stosowanej obecnie w przeważającej części mikroprocesorów.
Dodatkowo należy zaznaczyć, że tranzystory polowe mogą być wykorzystywane zarówno w układach scalonych bazujących na sygnałach analogowych, jak i cyfrowych.
Czym są tranzystory IGBT i do czego są wykorzystywane?
Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zaliczane do bramowych urządzeń izolowanych łączą cechy modeli bipolarnych oraz MOS-FET. Dzięki temu cechują się wysoką łatwością sterowania oraz przełączania. Tranzystor IGBT przystosowany jest do obsługiwania obciążeń o znaczącej mocy, wynoszącej nawet do kilkuset kW. Ma także zdolność do blokowania wysokich napięć dochodzących do 6 kV. Jednocześnie jego zastosowanie zapewnia niewielkie straty mocy. Z tego względu tego typu tranzystor może zostać wykorzystany w między innymi w:
- falownikach, w których będzie przekształcał napięcie stałe w zmienne na potrzeby systemów energetycznych,
- kuchenkach i ładowarkach indukcyjnych,
- zasilaczach awaryjnych,
- zasilaczach impulsowych,
- systemach napędowych stosowanych w przemyśle, takich jak silniki elektryczne.