Tranzystory

Tranzystory od sprawdzonego dostawcy

Dacpol jest doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystorów. Nasi klienci mogą polegać na jakości dostarczanych przez nas produktów i usług, niezależnie od tego czy kupują moduły MOSFET, diody prądu stałego...

Tranzystory od sprawdzonego dostawcy

Dacpol jest doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla...

Czytaj więcej
Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
Rthjc
więcej... mniej
Obudowa
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Konfiguracja
więcej... mniej
Napięcie VCES
więcej... mniej
Prąd kolektora IC
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
więcej... mniej
Prąd ciągły IC przy Tc=25oC
więcej... mniej
Prąd ciagły IC przy Tc=100oC
więcej... mniej
Moc
więcej... mniej
Napięcie V(RD)DSS
więcej... mniej
RDS(ON)
więcej... mniej
Prąd Id
więcej... mniej
UCE
więcej... mniej
IOUTpeak
więcej... mniej
fmax
więcej... mniej
dv/dt
więcej... mniej
IT(AV)
więcej... mniej
napięcie elektryczne
więcej... mniej
Prąd
więcej... mniej
Prąd ciągły ID
więcej... mniej
Napięcie URRM
więcej... mniej
VDSmax
więcej... mniej
VGSmax
więcej... mniej
QG typ (nC)
więcej... mniej
QGS typ (nC)
więcej... mniej
QGD typ (nC)
więcej... mniej
QOSS typ (nC)
więcej... mniej
ID (A)
więcej... mniej
Pulsed ID (A)
więcej... mniej
Package (mm)
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 15 V
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
RDS(ON) przy VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) przy VGS = 15 V
więcej... mniej
Filtruj
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
Nazwa produktu
Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
Typ obudowy
Typ obudowy
Rthjc
Obudowa
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
Konfiguracja
Napięcie VCES
Prąd kolektora IC
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
Prąd ciągły IC przy Tc=25oC
Prąd ciagły IC przy Tc=100oC
Napięcie V(RD)DSS
RDS(ON)
Prąd Id
IOUTpeak
dv/dt
IT(AV)
napięcie elektryczne
Prąd
Prąd ciągły ID
Napięcie URRM
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) dla VGS = 18 V
RDS(ON) dla VGS = 15 V
Napięcie UDS
RDS(ON) przy VGS = 18 V
RDS(ON) przy VGS = 15 V
picture_as_pdf SK25TMLID12F4TE2 Moduł IGBT SEMIKRON SK25TMLID12F4TE2 Moduł IGBT ZOBACZ SK25TMLID12F4TE2 Na zamówienie -- -- -- -- -- 3-level 1200 V 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf EPC2304 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC2304 Tranzystor ZOBACZ EPC2304 Na zamówienie -- -- -- -- -- Single -- -- -- -- -- -- -- 5 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 200 6 21 7-May 2-Jun 115 102 260 QFN 3 x 5 -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06L ZOBACZ G3F45MT06L Na zamówienie TOLL -- -- -- 61 A -- -- -- 43 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 650 V 42 mΩ 55 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBACZ G3F40MT12J Na zamówienie TO-263-7 -- -- -- 59 A -- -- -- 42 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V 40 mΩ --
picture_as_pdf 3 generacja modułów IGBT - seria H Mitsubishi 3 generacja modułów IGBT - seria H ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf FMF375DC-66A MOSFET SiC Mitsubishi FMF375DC-66A MOSFET SiC ZOBACZ FMF375DC-66A Na zamówienie -- -- -- -- -- 2in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 375 V -- --
-- Moduły SiC MOSFET Mitsubishi Moduły SiC MOSFET ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SK10DGDL12T7ETE1s Moduł IGBT SEMIKRON SK10DGDL12T7ETE1s Moduł IGBT ZOBACZ SK10DGDL12T7ETE1s Na zamówienie -- -- -- -- -- Seven Pack 1200 V 10:00 AM -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K ZOBACZ G3F65MT12K Na zamówienie TO-247-4 -- -- -- 35 A -- -- -- 25 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V 65 mΩ --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K Na zamówienie TO-247-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V 20 mΩ --
picture_as_pdf EPC23103 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC23103 Tranzystor ZOBACZ EPC23103 Na zamówienie -- -- -- -- -- Half Bridge ePower Stage -- -- -- -- -- -- -- 7-Jun -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 100 6 -- -- -- 21, 22.95 25 109 QFN 3.5 x 5 -- -- -- -- --
picture_as_pdf 4 generacja modułów IGBT TRENCH - seria F Mitsubishi 4 generacja modułów IGBT TRENCH - seria F ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1 Mitsubishi 6 generacja modułów ipm FULL GATE -SERIA V1 ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf PSH30L92C6-W MOSFET SiC Mitsubishi PSH30L92C6-W MOSFET SiC ZOBACZ PSH30L92C6-W Na zamówienie -- -- -- -- -- Three-phase interleaved -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 30Arms V -- --
picture_as_pdf CMH400HC6-24NFM MOSFET SiC Mitsubishi CMH400HC6-24NFM MOSFET SiC ZOBACZ CMH400HC6-24NFM Na zamówienie -- -- -- -- -- 1in1 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 400 V -- --
-- 7 generacja modułów IGBT Mitsubishi 7 generacja modułów IGBT ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- SK225GH07H5TD1E2 Moduł IGBT SEMIKRON SK225GH07H5TD1E2 Moduł IGBT ZOBACZ SK225GH07H5TD1E2 Na zamówienie -- -- -- -- -- H-Bridge 650 V 225 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SKiM429GD17E4V5 Moduł IGBT SEMIKRON SKiM429GD17E4V5 Moduł IGBT ZOBACZ SKiM429GD17E4V5 Na zamówienie -- -- -- -- -- Six Pack 1700 V 420 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf EPC7020 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7020 Tranzystor ZOBACZ EPC7020 Na zamówienie -- -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- -- -- -- -- -- 11 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 200 6 11-Jul 3-May 2-Feb 76 39 170 BGA 4.6 x 2.6 -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J ZOBACZ G3F65MT12J Na zamówienie TO-263-7 -- -- -- 37 A -- -- -- 26 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V 65 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBACZ G3F20MT12J Na zamówienie TO-263-7 -- -- -- 108 A -- -- -- 76 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 1200 V 20 mΩ --
picture_as_pdf Wysokonapięciowe moduły diodowe Mitsubishi Wysokonapięciowe moduły diodowe ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Moduły IGBT szybkie - seria NFH Mitsubishi Moduły IGBT szybkie - seria NFH ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf 5 generacja modułów ipm -seria FULL GATE CSTBT (WERSJA L1 i S1 ) Mitsubishi 5 generacja modułów ipm -seria FULL GATE CSTBT (WERSJA L1 i S1 ) ZOBACZ -- Na zamówienie -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
Wyników na stronę:

Tranzystory od sprawdzonego dostawcy

Dacpol jest doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystorów. Nasi klienci mogą polegać na jakości dostarczanych przez nas produktów i usług, niezależnie od tego czy kupują moduły MOSFET, diody prądu stałego czy elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.

Jesteśmy gotowi dostarczyć hurtową ilość szukanego przez Państwa produktu bez względu na to, czy zamawiają Państwo pojedyncze tranzystory, czy kupują je w ilościach hurtowych, oferujemy kompleksową dostawę wszystkich produktów.

Ze względu na najwyższą jakość obsługi oferujemy swoim klientom wyłącznie produkty od sprawdzonych dostawców i producentów. Nasza kadra inżynierów, na każdym etapie służy swoją wiedzą i doradztwem tak, aby móc zapewnić klientom informacje na temat konserwacji i użytkowania zakupionych produktów

Oferta Dacpol w zakresie produktów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza jest znacznie większa i obejmuje różnego rodzaju artykuły elektryczne i przemysłowe z kategorii tranzystory. Na naszej stronie internetowej mogą zapoznać się Państwo z pełną ofertą towarów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza.

Tranzystory polowe od DACPOL

Oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOS-FET oraz IGBT.

Tranzystory MOS-FET

Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.
Dostępne są w przedziale prądowym od 1,1A do 250A i napięciami od 12V do 900V. Tranzystory MOS-FET wytwarzane są w następujących typach obudów: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.

Tranzystory IGBT

Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Wysoka jakość oferowanych produktów

Dostępne są w obudowach elektroizolowanych jako pojedyncze tranzystory, moduły dwutranzystorowe (półmostki), moduły sześcioelementowe (pełny mostek), moduły siedmioelementowe (pełny mostek z tranzystorem). Typowe obudowy to: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.

 

Sprawdź również nasze produkty z kategorii mostki prostownicze!

Czym są tranzystory i jakie są ich podstawowe rodzaje?

Tranzystory to półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne, które mają za zadanie przede wszystkim wzmacnianie sygnału poprzez zwiększenie ich amplitudy. Dodatkowo mogą kontrolować przepływ prądu w obwodach elektrycznych – działać jak przełącznik. Wykonywane są z materiałów półprzewodnikowych, takich jak krzem czy german. Tranzystor po raz pierwszy został zbudowany w 1948 roku przez J. Bardeen oraz W.H. Brattain. Jego konstruktorzy wraz z W.B. Shockley – twórcą modelu bipolarnego otrzymali w 1956 roku za niego Nagrodę Nobla.

Półprzewodnikowe, trójelektrodowe elementy elektroniczne dzielą się na dwa główne rodzaje. Pierwsze z nich to tranzystory polowe, określane również jako unipolarne, które są sterowane napięciowo. Składają się z bramki, która po przyłożeniu do niej napięcia wytwarza pole elektromagnetyczne zmieniające opór między drenem a źródłem, czyli miejscem wyjścia sygnału.

Tranzystor bipolarny określany również jako złączowy to natomiast ich drugi rodzaj. Składa się z bazy, emitera oraz kolektora. Sterowany jest za pomocą prądu, który przepływa między emiterem a bazą. Tranzystory bipolarne dodatkowo dzielą się również na modele n-p-n oraz p-n-p.

Czym charakteryzuje się tranzystor polowy i gdzie najczęściej znajduje zastosowanie?

Tranzystor MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), zaliczany do modeli polowych, czterozaciskowych cechują się wysoką rezystencją wyjściową oraz bardzo szybkim czasem przełączania. Z tego względu znajdują one zastosowanie przede wszystkim w:

- zasilaczach impulsowych, w których zapewniają możliwość skutecznego i wydajnego zarządzania siecią,

- ładowarkach do pojazdów elektrycznych oraz hybrydowych,

- zasilaczach UPS,

- napędach silnikowych wykorzystywanych w motoryzacji i przemyśle,

- wzmacniaczach układów audio lub telekomunikacyjnych,

- układach scalonych, w szczególności bazujących na technologii CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), stosowanej obecnie w przeważającej części mikroprocesorów.

Dodatkowo należy zaznaczyć, że tranzystory polowe mogą być wykorzystywane zarówno w układach scalonych bazujących na sygnałach analogowych, jak i cyfrowych.

Czym są tranzystory IGBT i do czego są wykorzystywane?

Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zaliczane do bramowych urządzeń izolowanych łączą cechy modeli bipolarnych oraz MOS-FET. Dzięki temu cechują się wysoką łatwością sterowania oraz przełączania. Tranzystor IGBT przystosowany jest do obsługiwania obciążeń o znaczącej mocy, wynoszącej nawet do kilkuset kW. Ma także zdolność do blokowania wysokich napięć dochodzących do 6 kV. Jednocześnie jego zastosowanie zapewnia niewielkie straty mocy. Z tego względu tego typu tranzystor może zostać wykorzystany w między innymi w:

- falownikach, w których będzie przekształcał napięcie stałe w zmienne na potrzeby systemów energetycznych,

- kuchenkach i ładowarkach indukcyjnych,

- zasilaczach awaryjnych,

- zasilaczach impulsowych,

- systemach napędowych stosowanych w przemyśle, takich jak silniki elektryczne.