Tranzystory firmy GeneSiC

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana...

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu...

Czytaj więcej

Kategorie

Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Producenci
więcej... mniej
Typ obudowy
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
więcej... mniej
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) dla VGS = 15 V
więcej... mniej
Napięcie UDS
więcej... mniej
RDS(ON) przy VGS = 18 V
więcej... mniej
RDS(ON) przy VGS = 15 V
więcej... mniej
Filtruj
Pobierz Listę Produktów
Informacje close
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie. Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami. DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów: Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty. Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów. Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne. Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
PDF Obraz
Producent
descasc
Nazwa produktu
descasc
 Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
descasc
Typ obudowy
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
descasc
RDS(ON) dla VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) dla VGS = 15 V
descasc
Napięcie UDS
descasc
RDS(ON) przy VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) przy VGS = 15 V
descasc
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J ZOBACZ G3F135MT12J Na zamówienie TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V 135 mΩ --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K Na zamówienie TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V 20 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBACZ G3F20MT12J Na zamówienie TO-263-7 108 A 76 A -- -- 1200 V 20 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ZOBACZ G3F60MT06K Na zamówienie TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V 55 mΩ 68 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ZOBACZ G3F60MT06J Na zamówienie TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V 55 mΩ 68 mΩ
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ZOBACZ G3F60MT06D Na zamówienie TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ZOBACZ G3F45MT06J Na zamówienie TO-263-7 56 A 39 A -- -- 650 V 42 mΩ 55 mΩ
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ZOBACZ G3F45MT06D Na zamówienie TO-247-3 -- -- -- -- 650 V 42 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ZOBACZ G3F33MT06K Na zamówienie TO-247-4 74 A 53 A -- -- 650 V 28,5 mΩ 38 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ZOBACZ G3F33MT06J Na zamówienie TO-263-7 80 A 56 A -- -- 650 V 28,5 mΩ 38 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K ZOBACZ G3F25MT06K Na zamówienie TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V 20,5 mΩ 29 mΩ
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J ZOBACZ G3F25MT06J Na zamówienie TO-263-7 108 A 77 A -- -- 650 V 20,5 mΩ 29 mΩ
picture_as_pdf G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R12MT12K Na zamówienie TO-247-4 155 A 110 A 10 mΩ 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBACZ G3F40MT12J Na zamówienie TO-263-7 59 A 42 A -- -- 1200 V 40 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ZOBACZ G3F40MT12K Na zamówienie TO-247-4 55 A 39 A -- -- 1200 V 40 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ZOBACZ G3F75MT12J Na zamówienie TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V 75 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K ZOBACZ G3F65MT12K Na zamówienie TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V 65 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J ZOBACZ G3F65MT12J Na zamówienie TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V 65 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K ZOBACZ G3F34MT12K Na zamówienie TO-247-4 63 A 45 A -- -- 1200 V 34 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J ZOBACZ G3F34MT12J Na zamówienie TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V 34 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J ZOBACZ G3F25MT12J Na zamówienie TO-263-7 87 A 61 A -- -- 1200 V 25 mΩ --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K ZOBACZ G3F25MT12K Na zamówienie TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V 25 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J ZOBACZ G3F18MT12J Na zamówienie TO-263-7 122 A 86 A -- -- 1200 V 18,5 mΩ --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06L ZOBACZ G3F60MT06L Na zamówienie TOLL 48 A 34 A -- -- 650 V 55 mΩ 68 mΩ
Wyników na stronę:
Powrót do góry

Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.

Opatentowana przez GeneSiC technologia Trench-Assisted Planar zapewnia najniższy współczynnik RDS(ON) w wysokich temperaturach i najniższe straty energii przy dużych prędkościach. Umożliwia to osiągnięcie niespotykanego dotąd, wiodącego w branży poziomu wydajności, solidności i jakości.

Zapraszamy do zapoznania się z najszerszą gamą tranzystorów MOSFET SiC 650 V – 6,5 kV.