G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET
  • G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: GeneSiC Semiconductor

G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET

  • G2R1000MT17J
  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 5 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 1700 V
Nowy

Tranzystor MOSFET SiC „G2R1000MT17J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar. 

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie

Mniej
Czytaj więcej
19,68 PLN
19,68 PLN Cena brutto/szt.
16,00 PLN Cena netto/szt.
Brutto
Dostępność: Dostępny ilość szt: 900
1-2 dni Szacowany czas dostawy / realizacji zamówienia. Czas realizacji zamówienia uzależniony jest od możliwości produkcyjnych.

Rabaty ilościowe

Ilość Unit discount Oszczędzasz
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 4,92 PLN 590,40 PLN
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy TO-263-7
  • Prąd ciągły ID przy Tc=25oC 5 A
  • Prąd ciągły ID przy Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) dla VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) dla VGS = 15 V -
  • Napięcie UDS 1700 V
Nowy

Tranzystor MOSFET SiC „G2R1000MT17J” jest wykonany w opatentowanej przez GeneSiC technologii Trench-Assisted Planar. 

CECHY

  • Najniższy współczynnik R DS(ON) w wysokich temperaturach
  • Najniższe straty energii przy dużych prędkościach
  • Wytrzymała dioda korpusu
  • 100% przetestowane pod kątem lawinowym (UIL)
  • Dłuższa wytrzymałość na zwarcie
  • LoRing - konstrukcja zoptymalizowana elektromagnetycznie

ZASTOSOWANIA

  • Falowniki solarne
  • Ładowanie EV/HEV
  • Napędy silnikowe
  • Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe
  • UPS
  • Inteligentne sieci przesyłowe i dystrybucyjne
  • Ogrzewanie indukcyjne i spawanie

Mniej
Czytaj więcej

Powiązane artykuły

GeneSiC - Diody SiC Merged-PiN Schottky (MPS) ™ GeneSiC - Diody SiC Merged-PiN Schottky (MPS) ™
Opublikowany w: Aktualności, R&D
18-10-2024
Diody Merged-PiN Schottky (MPS) to nowatorska konstrukcja GeneSiC, która łączy najlepsze cechy obu struktur diod PiN...
Czytaj więcej
Komentarze (0)